全文获取类型
收费全文 | 10368篇 |
免费 | 1964篇 |
国内免费 | 966篇 |
专业分类
化学 | 6890篇 |
晶体学 | 83篇 |
力学 | 667篇 |
综合类 | 97篇 |
数学 | 1207篇 |
物理学 | 4354篇 |
出版年
2024年 | 23篇 |
2023年 | 239篇 |
2022年 | 266篇 |
2021年 | 375篇 |
2020年 | 422篇 |
2019年 | 415篇 |
2018年 | 349篇 |
2017年 | 336篇 |
2016年 | 513篇 |
2015年 | 484篇 |
2014年 | 546篇 |
2013年 | 748篇 |
2012年 | 915篇 |
2011年 | 1021篇 |
2010年 | 641篇 |
2009年 | 667篇 |
2008年 | 666篇 |
2007年 | 571篇 |
2006年 | 527篇 |
2005年 | 441篇 |
2004年 | 340篇 |
2003年 | 282篇 |
2002年 | 260篇 |
2001年 | 207篇 |
2000年 | 223篇 |
1999年 | 204篇 |
1998年 | 215篇 |
1997年 | 192篇 |
1996年 | 152篇 |
1995年 | 198篇 |
1994年 | 168篇 |
1993年 | 128篇 |
1992年 | 102篇 |
1991年 | 86篇 |
1990年 | 92篇 |
1989年 | 63篇 |
1988年 | 42篇 |
1987年 | 34篇 |
1986年 | 35篇 |
1985年 | 23篇 |
1984年 | 18篇 |
1983年 | 20篇 |
1982年 | 12篇 |
1981年 | 6篇 |
1980年 | 10篇 |
1979年 | 2篇 |
1978年 | 4篇 |
1975年 | 3篇 |
1974年 | 2篇 |
1957年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
951.
研究了两种典型的量子纠缠消相干现象对确定型量子态远程制备方案的影响.首先对该确定型远程制备方案进行了分析,得到该方案确定性和比特消耗情况; 然后通过分析制备过程中纠缠消相干现象对系统的影响得出: 在极化消相干过程中,该系统保真度与目标量子比特在Bloch球上的经度选择无关,仅与目标比特的纬度和消相干的大小有关;在相位消相干中,该系统的保真度不会受到消相干的影响,仅与目标量子态的纬度相关.
关键词:
远程制备
纠缠消相干
通信消耗
保真度 相似文献
952.
采用射频磁控溅射法在氮化硅衬底上沉积纳米VOx薄膜,利用X射线衍射、原子力显微镜分别对薄膜的结晶形态及表面形貌进行表征.研究了纳米VOx薄膜在空气中长时间暴露后的方块电阻、热滞回线等电学特性的变化情况,并分析这些变化给器件带来的影响.利用X射线光电子能谱仪、傅里叶变换红外光谱仪分析对比新制与久置薄膜的组分及分子结构差异.研究表明,暴露在空气中的纳米VOx薄膜方块电阻增大是因为低价钒离子被吸附氧原子氧
关键词:
x薄膜')" href="#">纳米VOx薄膜
磁控溅射
电学特性
退化 相似文献
953.
对熔体急冷法制备的Fe43Co43Hf7B6Cu1非晶合金进行了200,300,400和500 ℃保温30 min的退火处理,用正电子湮没寿命谱、X射线衍射、穆斯堡尔谱等方法研究了退火后试样的结构及结构缺陷变化.结果表明,在非晶合金的制备态,正电子主要在非晶基体相空位尺寸的自由体积中湮没,湮没寿命τ1为158.4 ps,强度I1关键词:
43Co43Hf7B6Cu1非晶')" href="#">Fe43Co43Hf7B6Cu1非晶
退火处理
正电子湮没寿命
结构与结构缺陷 相似文献
954.
955.
用脉冲激光沉积法在(111)Si衬底上成功制备了高度择优取向的Fe3O4薄膜.电阻-温度关系表明Fe3O4薄膜的Verwey转变(TV)约在122 K,低温段(TV)输运特征满足Mott变程跳跃模型,高温段(T>TV)为小极化子输运.激光作用下的光电导实验发现,在整个温区表现为光致电阻率减小,而且低温段的电阻变化率比高温段要大很多.分析认为Fe3O4薄膜的光致电阻率变化主要与激光激发t2g电子的转移有关.
关键词:
3O4薄膜')" href="#">Fe3O4薄膜
小极化子
光诱导特性 相似文献
956.
对三明治复合结构TbxDy1-xFe2-y/Pb(Zr, Ti)O3/TbxDy1-xFe2-y的电容与频率及磁场的函数关系进行了实验和理论研究. 实验发现,该复合材料样品的电容随频率的增加而出现多个谐振峰,并且其谐振点随磁场的增加而发生频移. 在谐振点附近,观察到样品的阻抗随磁场的增加由容抗性转变为感抗性,从而同时观察到巨大的正磁电容效应和负磁电容效应. 由复合材料的弹性力学本构方程出发,对该类样品的电容随频率及磁场的变化进行了理论模拟. 结果显示,模拟曲线与实验结果符合得很好. 理论表明该磁致伸缩/压电复合材料的磁电容效应源于磁场诱变的铁磁相柔顺系数.
关键词:
层状复合材料
界面弹性耦合
磁电容效应 相似文献
957.
基于密度泛函理论(density functional theory),采用第一性原理平面波超软赝势法,研究了纤锌矿AlN,Zn掺杂和Zn,O共掺杂AlN的晶体结构、能带、电子态密度、差分电荷分布及电荷布居数.计算结果表明:Zn,O共掺杂方法中引入激活施主O原子,能使受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级.同时,受主能带变宽、非局域化特征明显、从而提高了Zn原子的掺杂浓度和系统的稳定性.Zn,O共掺杂更有利于获得p型AlN.
关键词:
第一性原理
AlN
电子结构
p型共掺杂 相似文献
958.
959.
应用群论及原子分子反应静力学方法推导了TiO分子基态(X3Δr)的离解极限.采用不同的计算方法,包括密度泛函B3LYP,B3P86,BP86,B3PW91和MP2,MP4方法,结合不同基组计算了TiO分子基态的平衡核间距、能量和振动频率.研究表明,使用B3LYP方法,对O原子使用6-311+G基组,Ti原子使用6-311+ +G**基组时计算得到的平衡几何结构、分子离解能和谐振频率与实验值符合得最好.使用优选出的方法和基组对T
关键词:
TiO
势能函数
光谱常数
密度泛函理论 相似文献
960.
用坩埚下降法(Bridgman)生长出了Bi离子掺杂的CdWO4单晶.测定了晶体不同部位的吸收光谱、发射光谱和X射线电子能谱(XPS).Bi离子的掺入引起CdWO4晶体的吸收边从345 nm红移到399 nm.在311 nm, 373 nm,808 nm和980 nm光的激发下,分别观测到中心波长为470 nm,528 nm,1078 nm和较弱的1504 nm四个不同发射带.Bi:CdWO4单晶的XPS谱分别与Bi2
关键词:
Bi离子
荧光光谱
X射线电子能谱
4单晶')" href="#">CdWO4单晶 相似文献