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51.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K. 相似文献
52.
许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究.本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的QuenchingFactor.在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号.实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quench ingFactor随着反冲核能量的减少而增加.在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的. 相似文献
53.
Yuxi Zheng 《Communications in Mathematical Physics》1991,135(3):581-594
We show that the weak-L
2 limit of a sequence of solutions of the two dimensional incompressible Euler equation is still a solution, provided that a (strong) concentration set for the reduced defect measure has locally finite one dimensional Hausdorff measure in space and time. 相似文献
54.
55.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.
关键词:
非弹性中子散射
填充式方钴矿
近藤绝缘体 相似文献
56.
57.
A design of diode-pumped high-efficiency Nd:YVO4/LBO red laser is reported. Using critical phase-matching (CPM) LBO, 671 nm red laser was obtained from 1342 nm light by intracavity frequency doubling. With an incident pump laser of 800 mW, using type-I and type-II CPM LBO, 97 and 52 mWTEM00 mode red laser outputs were obtained, with optical-to-optical conversion efficiencies of up to 12.1% and 6.5%, respectively. 相似文献
58.
利用国家同步辐射实验室合肥光源的真空紫外同步辐射,使NO分子和Ar原子混合物的超声分子束发生光电离,测量了Ar,NO和异类团簇Ar·NO的光电离效率谱. 在谱中,在与Ar原子的共振线对应的能量区域(11.5—12.0 eV)观察到一个强的类共振结构. 这个结果表明,在异类团簇Ar·NO的内部,稀有气体Ar原子的激发能转移到与它接触的分子NO上,使分子NO发生电离.
关键词:
Ar·NO团簇
同步辐射
光电离
能量转移 相似文献
59.
60.