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71.
A novel class of optical breathers,called elegant Ince-Gaussian breathers,are presented in this paper.They are exact analytical solutions to Snyder and Mitchell’s mode in an elliptic coordinate system,and their transverse structures are described by Ince-polynomials with complex arguments and a Gaussian function.We provide convincing evidence for the correctness of the solutions and the existence of the breathers via comparing the analytical solutions with numerical simulation of the nonlocal nonlinear Schro¨dinger equation. 相似文献
72.
73.
研究得到了偏离束腰入射的复宗量Laguerre-Gauss光束在强非局域非线性介质中传输的解析表达式,并且得到了其二阶矩束宽的解析解.通过例子研究了偏离束腰入射的复宗量Laguerre-Gauss光束在强非局域非线性介质中传输性质.结果表明:非(0, m)模的复宗量Laguerre-Gauss光束的光束形状随着传输而发生改变,并以Δz=πzc为周期做周期性演化.而(0,m)模复宗量Laguerre-Gauss光束在演化过程中则形状保持不变,仅改变光束宽度;不论功率多大,在偏离束腰入射条件下总是表现为呼吸子;只有当其为束腰入射,并且入射功率等于临界功率时才能形成孤子.
关键词:
强非局域非线性
复宗量Laguerre-Gauss光束
二阶矩束宽
空间光孤子 相似文献
74.
光束在非局域非线性介质中传输由非局域非线性薛定谔方程描述.讨论了在不同非局域程度 条件下,空间光孤子的传输特性.提出了一个基于分步傅里叶算法数值求解孤子波形和分布 的迭代算法.假定介质的非线性响应函数为高斯型,得出了在不同非局域程度条件下空间光 孤子的数值解,并数值证明了它们的稳定性.结果表明,不论非局域程度如何,光束都能以 光孤子态在介质中稳定传输.光孤子的波形是从强非局域时的高斯型过渡到局域时的双曲正 割型,形成孤子的临界功率随非局域程度的减弱而减小,光孤子相位随距离线性增大,相位 的变化率随非局域程度的减弱而减小.
关键词:
非局域非线性薛定谔方程
空间光孤子
临界功率
相位 相似文献
75.
研究了强非局域克尔介质中光束的演化规律,通过相位分析得到了空间孤子相互作用所满足 的非局域非线性薛定谔方程的简化近似模型,并获得了双光束传输的解析解.结果表明在传 输过程中相互作用的高斯光束的相位决定于它们的输入总功率.以振幅一强一弱共同传输的 高斯光束为例进行了具体研究,得到了强光和弱光的解析式,相位分析显示弱光在相当短的 传输距离之内能产生大的相移,可以通过对强光能量的调控来实现对弱光的相位调制.
关键词:
非局域克尔介质
空间光孤子
孤子相互作用
相位调制 相似文献
76.
本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 MeV和1 MeV两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究, 分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度 (室温, 100 ℃, 125 ℃) 下随时间变化的关系, 讨论了引起电参数失效的机理, 并且分析了器件在室温和高温的退火效应以讨论引起器件电参数失效的机理. 结果表明, 1.8 MeV和1 MeV 电子对运算放大器LM108主要产生电离损伤, 相同束流下1.8 MeV电子造成的损伤比1 MeV 电子更大, 相同能量下0.32 Gy(Si)/s束流电子产生的损伤大于1.53 Gy(Si)/s束流电子. 对于相同能量和束流的电子辐照, 器件零偏时的损伤大于正偏时的损伤. 器件辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系, 而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关. 相似文献
77.
对某国产0.5 μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 MeV质子辐射试验, 当辐射注量达到预定注量点时, 采用离线的测试方法, 定量测试了器件暗信号的变化情况. 试验结果表明, 随着辐射注量的增加暗信号迅速增大. 采用MULASSIS (multi-layered shielding simulation software)软件计算了电离损伤剂量和位移损伤剂量, 在与γ辐射试验数据对比的基础上, 结合器件结构和工艺参数, 建立了分离质子辐射引起的电离效应和位移效应理论模型, 深入分析了器件暗信号的退化机理. 研究结果表明, 对该国产器件而言, 电离效应导致的表面暗信号和位移效应导致的体暗信号对整个器件暗信号退化的贡献大致相当. 相似文献
78.
79.
80.
采用60Co γ射线源对高铝组分Al0.5Ga0.5N盲紫外p-i-n结构光探测器和Si基可见光p-i-n结构探测器进行了累计剂量分别为0.1, 1, 10 Mrad(Si)总剂量辐照实验. 实验发现, 随着辐照剂量的增加, AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器的理想因子显著增大, 辐照后理想因子n > 2; 而Si基可见光p-i-n 结构探测器的理想因子随辐照剂量的变化并不明显. AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器理想因子的退化可能主要是因为欧姆接触性能的退化, Si基可见光p-i-n结构探测器的理想因子的变化则可能是由于敏感层的退化.
关键词:
xGa1?xN')" href="#">高铝组分AlxGa1?xN
γ射线辐射效应
理想因子
欧姆接触 相似文献