非线性Schrnger方程的算法和光学孤子相互作用的数值结果

本文首先指出了算法分裂步骤(split step)Fourier法和光束传播(Pmpagating beam)法的等价性。利用这种算法,我们数字地摸拟了:1、可变等振幅孤子脉冲对在无耗光纤中的传输过程,证明提高振幅可使孤子的相互作用大大减小;2、初始等间隔的一阶孤子脉冲序列在无耗光纤中的传输过程,发现它完全不同于两个孤子脉冲的传输。     

色散缓变光纤中飞秒光脉冲的调制不稳定性研究

研究了色散缓变光纤中飞秒光脉冲的调制不稳定性 ,发现当色散缓变光纤的色散参量满足一定关系式时 ,增益谱的谱宽最宽 ,获得了增益谱的表达式 ;三阶色散对调制不稳定性不起作用 ;自变陡效应使增益谱的谱宽变窄 ,振幅的增长速度减漫 ;拉曼效应改变了调制不稳定性的产生区域。     

强双折射光纤中色散效应对偏振模传输的影响

本文研究了在强双折射光纤中色散效应对偏振模传输的影响.发现当二阶色散系数较大时,偏振模能稳定传输,但所需入纤功率较高;当降低二阶色散影响以降低对光源要求时,三阶色散对偏振模长距离传输起破坏作用,三阶色散参量越大,对偏振模的破坏也越大.     

半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响

对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad,辐照温度分别为25,70,100 ℃时,NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71,89和113,而NMOS晶体管的阈值电压V_T分别减少了3.53,2.8,2.82 V。     

单模光纤中传输的长脉冲孤子

理论上证明了一种新的孤子可以在单模光纤中稳定传输，其波形为ｓｅｃｈ１／２（ｘ）。对于普通光纤，在工作波长为１．３μｍ处，当输入峰值功率为１Ｗ时，这种孤子脉冲的脉宽大约为１ｎｓ。     

强双折射光纤中超短光脉冲压缩效应研究

研究了强双折射光纤中沿偏振主轴入射的超短光脉冲压缩效应。当考虑三阶色散效应时，三阶色散与光纤非线相互作用能增强一偏振光脉冲的压缩而抑制另一偏振光脉冲的压缩。正三阶和的强慢孤子压缩，负三阶色散增强快孤子压缩，三阶色散参量越大，脉冲压缩效果越明显。     

用信息熵描述非线性光传输的研究

结合光束传输的薛定谔形式理论，基于量子机制的信息熵被用来描述非线性光传输，理论推导和数值模拟结果表明：信息熵及其对光传输方向的变化率可以表征光脉冲的压缩或展宽或光束的聚焦与发散，用信息熵表征非线性光传输优于对用脉（束）宽，二阶矩表征。     

基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究

对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 krad(Si),剂量率为50 rad(Si)/s.实验结果发现随着辐照总剂量的增加,器件的满阱容量下降并且暗电流显著增加.其中辐照使得传输门沟道掺杂分布发生改变是满阱容量下降的主要原因,而暗电流退化则主要来自于浅槽隔离界面缺陷产生电流和传输门-光电二极管交叠区产生电流.实验还表明样品器件的转换增益在辐照前后未发生明显变化,并且与3晶体管像素结构不同,4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器没有显著的总剂量辐照偏置效应.