聚N-乙烯基咔唑-2,4,7,三硝基-9-芴酮电荷转移复合物薄膜的载流子迁移率

采用渡越时间法测量了PVC_z-TNF电荷转移复合物薄膜载流子的迁移率。观察到电子和空穴在输运过程中的差异:电子的渡越时间是大致均一的。空穴的渡越时间有一个分布,在电场作用下迁移可用Scher-Montroll的理论处理;并观察到在低电场下(E<1.8×10⁵V/cm)迁移率为一恒定值。结合暗电导率的测量对该材料的非欧姆性电导的本质进行了讨论,认为在强电场下载流子迁移率和浓度都随电场增加而增大。 关键词：     

用偏压限制器控制KT－5C托卡马克等离子体边缘电场的实验研究

在托卡马克ＫＴ－５Ｃ上，我们首次采用可灵活组合的多块限制器进行了施加偏压以控制等离子体边缘电场的实验，结果表明，在本装置上限制器加正偏压优于加负偏压，正偏压改变等离子体边缘电场效果更明显。偏压限制器收集面积、纵场和偏置电压的大小对偏压效果的影响都是敏感的。改变限制器收集面积和偏压导致的边缘电场的变化最终将趋于饱和，另外发现，偏压限制器与等离子体柱的相对位置对等离子体边缘电场的影响也是重要的。     

对数学教学中思维定势与思维发散的浅见

在当今数学教学中,能力的培养已提到重要地位,而逻辑思维能力又是能力培养的重要内容。笔者认为,要培养学生的逻辑思维能力,既要注意思维定势的形式,又要重视发散思维的训练,两者相辅相成,缺一不可。所谓思维定势,简单地说就是解决数学问题的一般思维规律,它包含着三层意思:即思维的方向性,思维的目的性,思维的程序性。在思考数学问题的过程中,以上三性并非孤立存在,它们是紧密相连的整体。在解决目的性时往往包含着方向性,而思维的方向性解决得好,程序性的解决就是自然的事情了。     

142Ce的新激发态及其经验壳模型研究

利用420MeV⁸²Se轰击¹³⁹La引起的深部非弹反应和在束γ谱学方法研究了¹⁴²Ce的中高自旋激发态.识别出了激发能为2625,2995和3834keV的3个新能级,自旋、宇称分别被指定为8⁺,9^(－)和11^(－).发现这些能级非常好地符合N=84偶偶核转晕能级的系统性.利用经验壳模型计算了¹⁴²Ce的中高自旋激发态的激发能,计算结果比较好地重现了实验值.对它们的结构进行了讨论,表明在¹⁴²Ce的中高自旋激发态中以单粒子激发为主     

SmCo3.66Fe0.13Sn0.06永磁体Sn处超精细作用的研究

用穆斯堡尔谱学方法研究了SmCo_3.66Fe_0.13Sn_0.06烧结薄片的¹¹⁹Sn谱。发现Sn处磁分裂约为零。得出了Sn近邻区域处于顺磁状态中,添加的大部分Sn及Fe,Sn原子比不小于1:2的Fe均匀地进入了SmCo₅晶格,Fe在Sn近邻形成了主要特征组份相近于FeSn₂的有序排列结构的结论。讨论了这一组态及与之相联系的可能呈现的自旋排布对矫顽力的影响。 关键词：     

宽γ辐照剂量范围内硅泡沫本构模型研究

基于实验和理论建模研究了白炭黑增强硅泡沫材料在γ辐照剂量范围为0~1000kGy作用后的单轴压缩力学行为。实验结果表明辐照导致硅泡沫出现明显硬化现象,初始杨氏模量和固定应变下应力幅值均随γ辐照剂量近似线性增加。辐照后硅泡沫泡孔结构完整,硅橡胶基体中高分子交联反应占主导,且交联密度随辐照剂量线性增大。基于实验分析结果,实现了Ogden Hyperfoam超弹本构模型参数与辐照剂量的关联。结果表明初始剪切模量参数与辐照剂量成线性关系,硬化指数和泊松比参数与辐照剂量无关。基于应力应变实验数据拟合得到模型参数,并与未参与拟合的实验数据对比,验证了模型的准确性,表明该模型能够表征宽辐照剂量范围内硅泡沫的压缩力学行为。     

高效液相色谱法同时测定蔬菜和水果中8种农药残留

建立了同时测定蔬菜和水果中8种农药残留的反相高效液相色谱分析方法.通过乙腈提取,LC-NH2柱净化,C18柱分离,梯度洗脱,检测波长275 nm.8种农药在0.2～10.0 mg/L浓度范围内线性关系良好;检出限在0.01～0.04 mg/kg范围;平均加标回收率在80.1%～103.7%范围,相对标准偏差(RSD)在...     

低渗透裂缝性油气藏非稳态窜流因子研究简

深入分析了常定窜流因子和现有的非稳态因子对于低渗透基质-裂缝窜流的不适应问题,根据对23 个低渗岩心渗流曲线的拟合分析结果,引入了变渗透率系数,并在此基础上推导了非线性扩散方程,也就是低渗透基质-裂缝系统间窜流的控制微分方程;经过无量纲化处理,引入了动边界条件,分别利用积分方法和矩方法导出了非线性扩散方程在前后两个阶段的近似解析解,并在此基础上构建了非稳态窜流因子的表达形式;新的窜流因子可以有效应用于低渗透基质-裂缝系统间的窜流计算,有限元数值模拟的结果验证了新因子在计算非线性非稳态窜流方面的准确性与可靠性.     

SnO分子的X~1∑~+,a~3Π和A~1Π态的势能曲线与光谱性质

对O原子以aug-cc-pvTZ为基组,Sn原子以aug-cc-pvTZ-PP为基组,分别采用多参考组态相互作用方法(MRCI)及运用Davidson修正的多参考组态相互作用方法对SnO分子基态X~1Σ~+及两个激发态a~3Π和A~1Π态的势能曲线进行计算,进而得到了各态的平衡键长R_e,谐振频率w_2,非谐振常数ω_ex_e,转动常数B_r,垂直跃迁能T_e以及离解能D_e,通过群论原理确定了各电子状态和离解通道,计算结果表明:3个电子态有共同的离解通道,即Sn(~3p)+O(~3p);利用Level程序对势能曲线进行拟合得到的光谱数据表明,MRCI方法的计算结果与实验值符合更好;通过求解核运动的Schrodinger方程得到了J=0时这三个电子态的前30个振动态的B_v和D_v等分子常数和振动能级E。     

微波腔镀银实现漫反射冷却的实验研究

观测到了使用镀银微波腔产生漫反射光场冷却原子的信号,完成了微波腔与积分球一体化的最后一步。这种冷却方式结构更加简单,且没有涂料,不会对微波场场型造成影响,有利于钟信号的信噪比及对比度提高。同时测试了微波腔冷却在不同冷却光注入方案、漫反射系数及腔表面开孔尺寸下的冷却性能。结果表明端面注入冷却光是目前获得更多冷原子数目的方法,提高腔表面的漫反射系数,可以显著提高冷原子数目。为了充分利用积分球内的冷原子,采用了10mm的通光孔径,测试了不同通光孔径对冷原子信号的影响,证实了目前较大的通光孔径不会影响到冷原子数。