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81.
题1已知抛物线y2=4x及点P(2,2),斜率为1的直线l不过点P,且与抛物线交于点A和B,直线AP、BP分别交抛物线于另一点C和D.证明:AD与BC交于定点Q.文[1]分析了题1的"动源",并利用"动源"将上述问题演变成相关的三个问题,但未能彻底剖析"定因"与"动源"的关系,以致作者最后谈到,"由于运算量过大以及笔者自身的水平有限,未能完成:(1)能否将上述命题一般化;(2)能否将命题类比到椭圆、 相似文献
82.
83.
The title complex [Cd(IPA)L(H2O)]n(1,H2IPA = isophthalic acid,L = 1,4-bis(pyra-zole-1-ylmethyl)benzene) has been hydrothermally synthesized,and characterized by elemental analyses,IR spectroscopy,TGA and X-ray single-crystal diffraction.It crystallizes in the triclinic system,space group P1 with a = 9.3060(6),b = 10.2374(7),c = 11.9706(8) ,α = 73.804(6),β = 77.883(5),γ = 85.942(5)°,V = 1070.7(1) 3,Z = 2,C22H20CdN4O5,Mr = 532.82,Dc = 1.653 g/cm3,μ = 1.062 mm-1,λ(MoKα) = 0.71073 ,F(000) = 536,R = 0.0392 and wR = 0.0640 for 3751 observed reflections with I > 2σ(I).Crystal structure analysis showed that complex 1 has a 1D double chain structure,which is assembled together through strong O-H...O hydrogen bonding interactions between coordinated water molecules and carboxylate groups of isophthalate to form a 2D supramolecular network.In addition,the solid-state fluorescent spectrum of 1 exhibits strong emission at 364 nm. 相似文献
84.
85.
86.
将V2O5溶胶电泳沉积在ITO导电基片上制备V2O5薄膜.运用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构进行分析,通过紫外-可见光透射光谱和循环伏安法分别测试其光学和电化学性能.实验结果表明,电泳沉积V2O5薄膜具有致密的显微结构,薄膜厚度均匀、与基片的粘附性很好;循环实验中,薄膜呈现黄色到绿色的可逆变化,最大的透射率变化达到30%左右;薄膜具有很好的注入/退出可逆性和循环稳定性,50次循环效率仍能达到88.02%,并且循环后的薄膜与ITO导电玻璃的粘附性仍然很好,没有溶解现象;应用交流阻抗法计算Li+在V2O5薄膜着色过程的扩散系数为5.10×10-12cm2/s,表明该薄膜可以作为电致变色材料得到应用. 相似文献
87.
A new surface cleaning method for Si MBE is described in which a very weak Ge beam flux is deposited on the surface for removing the thin passivative layer of SiO2 on the Si subetrate. It has proved that the SiO2 will react with Ge at a relatively low temperature (620℃), and as a result, the oxide layer becomes volatile. Here the high temperature annealing in the conventional Shiraki method is no longer required, and since the oxide layer is removed in ultra high vacuum, only very little carbon contamination may occur. Furthermore, to reduce the excessive Ge on the substrate surface, Ge is deposited at 620℃ and then the sample is annealed at 700℃; the residual Ge atoms on Si substrate can be reduced to less than 0.1 monolay-er (ML). Ge beam treatment turns out to be an effective low-temperature Si surface-cleaning method, especially for the heteroepitaxial growth of GexSi1-x/Si. 相似文献
88.
The electroluminescence of GexSi1-x/Si single quantum well was measured at temper-atures above room temperature along the growth direction and the direction normal to it. TO and NP peaks were resolved. 相似文献
89.
1 实验:浮力方向总是竖直向上的 在初中物理浮力的教学中,浮力的方向总是竖直向上的,教材中没有专门的实验直观显示,学生虽能理解浮力的方向是向上的.但理解浮力方向总是竖直向上的就有一定困难. 相似文献
90.