纳米荧光粉Eu_(0.12)Y_(1.88-x)Mg_xO_(3-δ)的光致发光特性

使用超声波作用下的均匀沉淀法,制备了掺杂Mg2+的纳米荧光粉Y2O3:Eu3+.考察了不同Mg2+掺杂含量下Eu0.12Y1.88-xMgxO3-δ(x=0～0.18,δ代表氧空位)的晶格常数变化,研究了掺杂含量对样品发射光谱及激发光谱的影响.结果表明,Eu0.12Y1.88-xMgxO3-δ的晶格常数在1.0604～1.062 3 nm之间,晶粒尺寸在25.9～40.7 nm之间.掺杂Mg2+后,当x=0.14时,样品Eu0.12Y1.74Mg0.14O3-δ的激发光谱中电荷迁移带(CTS)最大峰强度最高且色纯度最好.     

新型萘并氧杂并喹啉酮和萘并吖啶二酮的合成及其荧光性质的研究

以2-溴甲基-3-喹啉甲酸乙酯(1)为底物, 分别与α-萘酚和β-萘酚“一锅法”高产率合成了2-(α-萘氧甲基)-3-喹啉甲酸(2a)和2-(β-萘氧甲基)-3-喹啉甲酸(2b). 化合物2a, 2b用Eaton试剂(五氧化二磷-甲基磺酸)作为环化试剂, 发生分子内Friedel-Crafts酰基化反应得到两种新型闭环产物: 萘并[2’,1’,6,7]氧杂并[3,4-b]喹啉-7(14H)-酮(3a)和萘并[1’,2’,6,7]氧杂并[3,4-b]喹啉-15(8H)-酮(3b). 化合物3a, 3b在氢氧化钾的乙醇-水溶液中经1,2-Wittig重排和空气氧化生成萘并[2,1-b]吖啶-7,14-二酮(4a)和萘并[1,2-b]吖啶-7,14-二酮(4b). 所合成新化合物2a～4a, 2b～4b的结构通过 IR, UV, 1H NMR, MS和元素分析进行了确认. 测定了化合物2a～4a, 2b～4b在三氯甲烷中的紫外光谱和化合物3a, 4a和3b, 4b的固体荧光光谱, 2a～4a, 2b～4b在三氯甲烷中的最大吸收峰分别位于280, 261, 312, 273, 256和313 nm; 3a, 4a和3b, 4b在固态状态下的最大发射波长分别为350, 300, 274和330 nm.     

常用大气污染预报模式的应用及比较分析

针对丹东市采暖期SO2污染的实际情况及气象因子的关系,建立了逐步回归、偏最小二乘回归、主成分回归和BP神经网络等4种常用的大气污染预报模式,并在实际预报中进行了模拟、试报和应用,结果发现,各个模式模拟值与实际值的变化趋势基本一致,BP神经网络方程和偏最小二乘回归方程的预报值与实际值的接近程度要好于逐步回归方程和主成分回归方程.     

低温冷冻刀降温方法综述及展望

介绍了冷冻治疗和它的发展历程,对低温冷冻刀的降温方法作了全面的综述和分类,并进行了降温方法机理分析和优缺点比较,结合冷冻外科的应用现状对低温冷冻刀的应用前景做出展望,为新型低温冷冻刀的设计提供了参考。     

基于模块脉冲函数的非线性随机It\^{o}-Volterra积分方程数值解[英文]

为求解非线性随机It\^{o}-Volterra积分方程, 本文介绍了一种基于模块脉冲函数的有效数值方法. 运用模块脉冲函数的积分算子矩阵将非线性随机积分方程转化为代数方程. 通过误差分析, 证明该方法收敛速度良好. 最后, 利用实例验证了此方法的有效性.     

辐射度量、光度量和色度量及关联性

 从17 世纪牛顿通过三棱镜将光谱分解为七色光开始, 人们逐渐对光有所了解。此后, 很多科学家致力于对光线及其成因进行研究, 从而发现了光波、无线电波、微波、宇宙射线等多种辐射线。在此同时, 部分科学家对光线照射在物体上呈现的颜色进行研究, 逐渐揭示了物体呈现颜色的原因。科学家在不断发现的基础上, 逐渐形成了辐射度学、光度学、色度学等多个度量学。这些度量学的建立, 为量化分析提供了条件, 为深层次的研究本领域内的内容打下了坚实的基础。随着研究内容的增多, 领域之间联系更加复杂。本文将对三个度量的基本概念、范围及领域内的相关概念进行介绍, 并对三者进行对比分析, 以期达到明晰概念的目的。     

广义Dirichlet级数的收敛性

本文把决定Dirichlet级数收敛横坐标的Kojima—Knopp公式推广到复指数Dirichlet级数情形.     

Oxide-apertured VCSEL with short period superlattice

Novel distributed Bragg reflectors (DBRs) with 4.5 pairs of GaAs/AlAs short period superlattice (SPS)used in oxide-apertured vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) were designed. The structure of a 22-period Al0.9Ga0.1As (69.5 nm)/4.5-pair [GaAs (10 nm)-AlAs (1.9 nm)] DBR was grown on an n+ GaAs substrate (100) 2° off toward (111)A by molecular beam epitaxy. The emitting wavelength was 850 nm with low threshold current of about 2 mA, corresponding to the threshold current density of 2 kA/cm2. The maximum output power was more than 1 mW. The VCSEL device temperature was increased by heating ambient temperature from 20 to 100 ℃ and the threshold current increased slowly with the increase of temperature.     

有食饵补充的二维捕食食饵模型的周期解与概周期解

对于有食饵补充的非定常二维捕食食饵模型，利用微分不等式，讨论了周期解的存在性及其全局吸收性，概周期解的存在性及其在壳扰动不的稳定性。     

ZnSe MIS二极管蓝色电致发光的空间分布

本文研究了用ZnS多晶薄膜作绝缘层时制备的ZnSe MIS二极管,在正向电压激发下的蓝色电致发光的空间分布,在光学显微镜下观察到电致发光呈稀疏的点状分布。为了了解发光点的起因,用扫描电镜观测了二极管的二次电子像(SEI),束感生电流像(EBICI)和吸收电流像(AEI)。一个重要的发现是二极管的电致发光点(ELS)和EBICI有相当好的对应关系。文中指出了发光点的存在与绝缘层(Ⅰ)的引入有关。绝缘层一半导体(I-S)界面较大的能带失配和较差的结合,从而产生较多的无辐射复合中心,是产生稀疏发光点可能的原因。文中根据对发光点起因的分析,提出用ZnSe多晶薄膜取代ZnS多晶薄膜作绝缘层来铡备ZnSe MIS二极管。当用显微镜观察时,电致发光点呈密集分布,而用肉眼观察时是均匀的蓝色发光。文中还指出了进一步改进电致发光空间分布的可能途径。