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101.
Radiation Induced Optical Absorption of Cubic Lead Fluoride Crystals and the Effect of Annealing 下载免费PDF全文
Transparent and colorless lead fluoride crystals with sizes of 20 × 20 × 20 (ram3) are irradiated with several doses of γ-rays from a ^60Co source. Their transmittance spectra before and after irradiation are measured, and a new parameter ΔT = Tb - Ta is defined to evaluate the irradiation damage. Three optical absorption bands peaking at 27Onto, 37Onto and 50Onto are found in the plots of AT versus wavelength, and their intensities increase with the irradiation dose. These optical absorption bands, except the one at 27Onto, can recover spontaneously with time. Thermal annealing treatment can enhance this recovery of the transmittance, while the optimum annealing temperature for different samples depends on the irradiation dose. 相似文献
102.
103.
本文以 Cr3 +自由离子的 3 d电子径向波函数为基础 ,对 Cr3 +∶Al2 O3 中的电子云延伸效应进行了理论研究 ,引入了电子云延伸效应系数 κ,得到了 Cr3 +∶Al2 O3 中 Cr3 +离子的最优化 3 d电子径向波函数 .并研究了压力对电子云延伸效应系数κ的影响 相似文献
104.
本文以Cr3+自由离子的3d电子径向波函数为基础,对Cr3+:Al2O3中的电子云延伸效应进行了理论研究,引入了电子云延伸效应系数κ,得到了Cr3+:Al2O3中Cr3+离子的最优化3d电子径向波函数.并研究了压力对电子云延伸效应系数κ的影响. 相似文献
105.
106.
设计了一系列的对比实验,利用XRD,XPS,TPR,EXAFS等技术,系统研究了CuCl/γ-Al2O3上的NO脱除反应过程。结果发现,CuCl/γ-Al2O3样品暴露在空气中,表面被部分氧化生成CuCl2及CuO等,在高温处理和反应过程中,造成样品表面氯的损失,同时生成更多的CuO,因而得新还原处理后测活性时,得到高分散的金属铜,使样品的NO分解活性提高,但由于NO对低价铜有很强的氧化作用,NO 相似文献
107.
108.
红外光谱研究PEO基离子液体聚合物电解质 总被引:1,自引:0,他引:1
以聚氧化乙烯(PEO)为聚合物基体, 双三氟甲基磺酸亚酰胺锂(LiTFSI)为锂盐, 加入不同量的离子液体(BMIMPF6)为增塑剂, 制备离子液体聚合物电解质. 运用发射FTIR光谱技术实时监测所制备聚合物电解质的结构随温度的变化. 结合FTIR透射光谱\, SEM和XRD的研究结果分析了离子液体对离子电导率的影响, 并初步提出离子导电增强机制. 相似文献
109.
官能团化己内酯与丙交酯无规共聚物的合成与降解性能 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了官能团化新型己内酯单体的合成及其与丙交酯无规共聚物的降解性能. 首先, 环己酮和N-异丙基丙烯酰胺通过Michael加成反应合成了2-(N-异丙基酰胺乙烯基)-环己酮; 然后, 以间氯过氧化苯甲酸为氧化剂, 通过Baeyer-Villiger氧化反应, 制备带有酰胺官能团的己内酯单体6-(N-异丙基酰胺乙烯基)-ε-己内酯; 最后, 在异辛酸亚锡[Sn(Oct)2]的催化下与丙交酯开环聚合, 得到新型己内酯与丙交酯的无规共聚物. 采用1H NMR, SEC和DSC表征了聚合物的结构和热力学性能. 同时通过黏度法、失重法和SEM对该聚合物的降解性能进行了表征. 结果表明, 该共聚物的降解速率明显增快, 材料降解2个月后, 材料的质量损失达到28.1%, 特性黏度降低近40%. 相似文献
110.
Study of total ionizing dose radiation effects on enclosed gate transistors in a commercial CMOS technology 下载免费PDF全文
This paper studies the total ionizing dose radiation effects on MOS
(metal-oxide-semiconductor) transistors with normal and enclosed gate
layout in a standard commercial CMOS (compensate MOS) bulk process.
The leakage current, threshold voltage shift, and transconductance of
the devices were monitored before and after $\gamma $-ray
irradiation. The parameters of the devices with different layout
under different bias condition during irradiation at different total
dose are investigated. The results show that the enclosed layout not
only effectively eliminates the leakage but also improves the
performance of threshold voltage and transconductance for NMOS
(n-type channel MOS) transistors. The experimental results also
indicate that analogue bias during irradiation is the worst case for
enclosed gate NMOS. There is no evident different behaviour observed
between normal PMOS (p-type channel MOS) transistors and enclosed
gate PMOS transistors. 相似文献