ATTRACTORS OF NONAUTONOMOUS SCHR?DINGER EQUATIONS

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＡｔｔｒａｃｔｏｒｓｏｆａｕｔｏｎｏｍｏｕｓｅｖｏｌｕｔｉｏｎｅｑｕａｔｉｏｎｓｈａｖｅｂｅｅｎｉｎｔｅｎｓｉｖｅｌｙｓｔｕｄｉｅｄｉｎｍａｔｈｅｍａｔｉｃａｌｌｉｔｅｒａｔｕｒｅ (ｓｅｅ,ｆｏｒｅｘａｍｐｌｅ ,ｂｏｏｋｓ [1 ] ,[2 ] ,[3 ] ,[4 ]ａｎｄｔｈｅｌｉｔｅｒａｔｕｒｅｃｉｔｅｄｔｈｅｒｅ) .Ｔｈｅｎｏｎａｕｔｏｎｏｍｏｕｓｉｎｆｉｎｉｔｅ＿ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｄｙｎａｍｉｃａｌｓｙｓｔｅｍｓｗｅｒｅｌｅｓｓｗｅｌｌｕｎｄｅｒｓｔｏｏｄ .Ｉｎ 1 994 ,Ｃｈｅｐｙｚｈ…     

沟道宽度对ZnO-TFT电学性能的影响

用射频磁控溅射法生长的ZnO薄膜作为有源层,制备出了ZnO基薄膜晶体管(ZnO-TFT),并在空气环境下350℃退火1 h,研究了沟道宽度对ZnO-TFT器件性能的影响。实验结果表明:阈值电压随着沟道宽度的减小而增加,这是由于沟道越窄,载流子被捕获的几率越大,在相同栅压下沟道内可动载流子浓度越小,相应的阈值电压就越大;饱和迁移率随着沟道宽度的减小而增加,认为这是由源/漏电阻的侧壁效应及边缘电子场效应引起的附加电流所致。     

High-photosensitivity polymer thin-film transistors based on poly（3-hexylthiophene）

Polymer thin-film transistors(PTFTs) based on poly(3-hexylthiophene) are fabricated by the spin-coating process,and their photo-sensing characteristics are investigated under steady-state visible-light illumination.The photosensitivity of the device is strongly modulated by gate voltage under various illuminations.When the device is in the subthreshold operating mode,a significant increase in its drain current is observed with a maximum photosensitivity of 1.7×10 3 at an illumination intensity of 1200 lx,and even with a relatively high photosensitivity of 611 at a low illumination intensity of 100 lx.However,when the device is in the on-state operating mode,the photosensitivity is very low:only 1.88 at an illumination intensity of 1200 lx for a gate voltage of-20 V and a drain voltage of -20 V.The results indicate that the devices could be used as photo-detectors or sensors in the range of visible light.The modulation mechanism of the photosensitivity in the PTFT is discussed in detail.     

论证图-促进初学者学习科学论证的有效工具

以Chrysi和Douglas提出的论证图为基本范式,对其进行优化,并提炼出论证图的4大基本要素,即中心议题、支持性证据、反对性证据和层次等级,论述了论证图促进初学者学习科学论证的工具性作用：为科学论证搭建脚手架,使论证过程可视化和有利于学生论证能力的评估。提出了基于论证图进行科学论证的4个步骤：中心议题的选择、证据的搜集、层次等级的绘制和科学论证的展开,并以"原电池"的教学设计为例进行说明。     

基于思维地图构建高中化学习题解题模型

在对思维地图的由来、优势、基本类型以及所代表的思维活动等方面介绍的基础上,明确思维地图不仅可用于对知识的表征和组织,还可以对思维过程进行描述。以“有机合成题”和“溶液中离子浓度比较”为例,尝试运用思维地图建立高中化学习题的解题模型,以期待思维地图能给我国高中化学教师和高中生一些启发,为高中化学习题教学提供新思路。     

铟锌氧化物薄膜晶体管局域态分布的提取方法

本文针对铟锌氧化物薄膜晶体管(IZO TFT)的低频噪声特性与变频电容-电压特性展开试验研究,基于上述特性对有源层内局域态密度及其在禁带中的分布进行参数提取.首先,基于IZO TFT的亚阈区I-V特性提取器件表面势随栅源电压的变化关系.基于载流子数随机涨落模型,在考虑有源层内缺陷态俘获/释放载流子效应基础上,通过γ因子提取深能态陷阱的特征温度;基于沟道电流噪声功率谱密度及平带电压噪声功率谱密度的测量,提取IZO TFT有源层内局域态密度及其分布.试验结果表明,带尾态缺陷在禁带内随能量呈e指数变化趋势,其导带底密度N1TA约为3.42×10~(20)cm~(-3)·eV-,特征温度TTA约为135 K.随后,将C-V特性与线性区I-V特性相结合,对栅端寄生电阻、漏端寄生电阻、源端寄生电阻进行提取与分离.在考虑有源层内局域态所俘获电荷与自由载流子的情况下,基于变频C-V特性对IZO TFT有源层内局域态分布进行参数提取.试验结果表明,深能态与带尾态在禁带内随能量均呈e指数变化趋势,深能态在导带底密度NDA约为5.4×10~(15)cm~(-3)·eV~(-1),特征温度TDA约为711 K,而带尾态在导带底密度NTA约为1.99×10~(20)cm~(-3)·eV~(-1),特征温度TTA约为183 K.最后,对以上两种局域态提取方法进行对比与分析.     

双有源层结构掺硅氧化锌薄膜晶体管的电特性

为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)的关态电流(I_off),提高开关电流比(I_on/I_off),采用磁控溅射法制备掺硅氧化锌薄膜晶体管(SZO-TFT)和SZO/ZnO双层有源层结构的TFT器件,研究了Si含量对SZO薄膜透光性和SZO-TFT电性能的影响,比较了单层与双层有源层结构TFT器件的电特性.与ZnO-TFT相比,SZO-TFT的I_off低2个数量级,最低达1.5×10^-12 A;I_on/I_off高两个数量级,最高达7.97×10⁶.而SZO/ZnO双有源层结构的TFT器件可在不降低载流子迁移率的情况下,I_on/I_off比ZnO-TFT提高近两个数量级,有效改善了器件的整体性能.     

现行日本高中化学教材插图特点分析及启示*

日本数研出版(2018年版)的高中化学教材在插图设计方面有许多独到之处,实现了从“教材”向“学材”转变的插图设计理念。综合现有对教材插图科学性的研究,采用文本分析法从图文排版、插图的表现形式、图文融合程度、插图素材选取以及用插图进行多维度信息整合等5个维度对书中插图进行分析,并对我国教材插图的编写提供参考性意见。     

非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性与分析

本文针对底栅结构非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性开展实验与理论研究.由实验结果可知:受铟锌氧化物与二氧化硅界面处缺陷态俘获与释放载流子效应的影响,器件沟道电流噪声功率谱密度随频率的变化遵循1/fγ(γ≈0.75)的变化规律;此外,器件沟道电流归一化噪声功率谱密度随沟道长度与沟道宽度的增加而减小,证明器件低频噪声来源于沟道的闪烁噪声,可忽略源漏结接触及寄生电阻对器件低频噪声的影响.最后,基于载流子数涨落及迁移率涨落模型,提取γ因子与平均Hooge因子,为评价材料及器件特性奠定基础.     

“先学后教”模式下中学生化学学习投入及其影响因素

学习投入是评价教与学质量的重要指标,“先学后教”是转变教学方式的重要抓手。调查了“先学后教”教学模式下九年级学生的化学学习投入情况及影响因素。结果显示：“先学后教”教学模式下化学课堂学生学习投入水平较高,其中情感投入水平最高,行为投入次之,认知投入最低;情感投入在性别变量上呈现显著差异,女生的情感投入显著高于男生。学生学习投入与学习成绩整体上呈低度相关,具体来看,与上、中游学生的学习成绩不相关,与下游学生的学习成绩显著相关。学习环境、教师教学、自我效能感因素对学生学习投入均有显著正向影响。研究结果为理解“先学后教”形态下的化学课堂学生学习投入、提高课堂教学实效提供了实证支持。