低功耗XOR门的快速分解技术

为了在相对短的时间内得到基于XOR门电路的最优结构，并达到功耗优化的目的，以XOR门输入信号的概率为依据进行低功耗分解，提出了一种新的基于XOR门的电路功耗优化技术．实验结果表明：提出的算法能在更短的时间内实现功耗优化，且比现有的方法最多可提高8．9％，同时也证明了提出的算法在功耗节省方面比其他同类算法更有效．     

基于沟长偏置的近阈值逻辑漏功耗减小技术

随着集成电路芯片特征尺寸的不断缩小,减小漏功耗已成为集成电路设计技术的焦点之一.在近阈值逻辑电路中,亚阈值漏电流是其最主要漏电流的构成.根据MOS器件沟道长度与亚阈值漏电流之间的非线性关系,通过适度提高MOS器件的沟道长度从而降低CMOS逻辑电路的漏功耗,形成了基于沟长偏置的漏功耗减小技术.应用HSPICE软件对基于45nm PTM工艺参数沟长偏置为8%的基本逻辑门电路、镜像加法器和传输门加法器的漏电流进行了仿真测试,实验结果表明漏电流约下降了39%～44%.因此沟长偏置技术是一种有效的适用于近阈值逻辑的漏功耗减小技术.     

基于正反馈异或/同或门的低延时混合逻辑加法器设计

针对采用传输管逻辑设计的加法器存在阈值损失以及延时过高等问题, 结合正反馈原理, 提出无阈值损失的低延时正反馈混合逻辑加法器设计方案. 该方案首先分析传输管异或门阈值损失机理, 利用正反馈环电平锁定特性, 设计无阈值损失的正反馈异或/同或门; 然后利用有比逻辑特定晶体管的尺寸差, 以减少正反馈异或/同或门输出延时; 最后融合传输管逻辑、传输门逻辑和静态互补CMOS逻辑等的优点, 实现无阈值损失且低延时的混合逻辑加法器. 在TSMC 65nm CMOS工艺下, HSPICE仿真结果表明, 所设计电路与传输门加法器相比延时和功耗延时积分别降低12.75%和10.88%.     

三输入高性能AND/XOR复合门电路设计

针对现有"与/异或"(AND/XOR)复合门级联设计电路存在功耗大、延时长等不足,提出一种基于晶体管级的三输入AND/XOR复合门电路结构.通过采用多轨结构、缩短传输路径以及混合CMOS逻辑设计方法,克服了原有电路中单一逻辑和单轨结构信号路径长的不足,进而提高了电路性能.在55nm的CMOS技术工艺和PTM多种工艺下,经过HSPICE模拟和Cadence提取版图的后仿真,显示所设计的电路具有正确的逻辑功能,相较于采用门电路级联而成的AND/XOR电路,本电路在不同负载、频率和PVT组合等情况下的延时、功耗和功耗延迟积(PDP)都得到了明显改善.     

基于门冻结技术的无冒险RS触发器设计

数字电路中的冒险现象不仅会导致电路的误操作,而且消耗了很多能量、增加了操作时间,因此在电路设计中冒险的检测和消除非常重要．文章介绍了门冻结技术的基本思想,以此为基础给出了基于F门的CMOS与非门、或非门的逻辑单元电路设计,并将其应用到RS触发器的设计中,经PSPICE模拟显示,与传统的同步RS触发器相比,所设计的基于F门的同步RS触发器电路不仅具有正确的逻辑功能,消除了冒险,而且使电路的功耗也得到了有效地降低。     

基于高低电平预充电方案的功耗恒定型门电路设计

功耗分析攻击（power analysis attack,PAA），即通过分析数字电路中寄生电容和负载电容充放电引起的功耗变化得到与之相关的信息，因此，消除功耗与数据的相关性已成为防御功耗攻击的重要研究方向，功耗恒定电路便是比较有效的方案之一。基于动态差分逻辑的门电路，设计了可较好消除功耗与存储和计算信息关系的电路，从根本上消除了功耗分析所依赖的功耗-数据相关性的物理基础，提出了一种改进型低功耗、低成本的功耗恒定门电路，设计了高电平预充电和低电平预充电2种方案，并比较了2种方案在功耗恒定性和能耗上的差异。结果表明，与已有方案相比，设计的2种预充电方案均具有更小的功耗偏差，且低电平预充电方案的电路总能耗更低。     

低功耗异或门的设计

在分析了现有典型的异或门电路的基础上，提出了基于传输管逻辑的低功耗异或门的设计．电路实现了内部节点信号的全摆幅，使之具有较强的驱动能力，且避免了后级反相器中亚阈功耗的产生，实现了电路的低功耗．在5、3．3、1．8V电源下，经PSPICE在0．24μm工艺下模拟，与已发表的异或门电路设计相比，新提出的电路功耗和功耗延迟积的改进分别高达36．5％和68．0％，说明本文设计的异或门电路在功耗和延迟方面具有优势．     

基于BP神经网络的CMOS电路平均功耗宏模型

提出了一种基于神经网络的功耗宏模型，该模型提取CMOS（互补金属氧化物半导体）集成电路原始输入／输出流的统计特征，采用反向传播BP神经网络对电路的平均功耗建模．与传统的基于查找表和经验方程的宏模型相比，该模型占用内存少，不需要根据不同的电路预先假定拟合函数的形式．基于ISCAS-85电路集的实验结果表明：功耗估计的平均相对误差小于10％，均方根误差可基本控制在5％以下.     

交流CMOS门电路参数的设定

CMOS门电路的参数是对它本身物理特性的一种定量描述，对参数的设定是实际应用CMOS门电路的基础，本文从理想参数出发归纳了直流CMOS门电路主要参数的设定思想并对各项参数进行了分析讨论，然后介绍了交流CMOS门电路的设计思想及结构与工作原理上的特点，在分析二类CMOS电路差异的基础上，本文采用类比的方法对交流CMOS电路的设定进行了研究。     

低功耗动态三值CMOS D触发器设计

低功耗设计在当前超大规模集成电路中越来越重要，本文以一种没有直流功耗．具有完全电压摆幅的低功耗动态CMOS三值反相器作为基础。结合简单三值差分逻辑（STDL）的结构．设计了一种低功耗动态三值CMOS D触发器．该触发器能很好地实现动态D触发器的逻辑功能．并且具有结构简单、芯片面积小、时钟简单等优点．Pspice模拟表明所设计的触发器还具有速度快、功耗低的优点．它比二值动态TSPCL D触发器节省近35%的能耗．     

晶体与建筑

简述了矿物晶体与建筑的相似性，重点地阐述了晶体形态在建筑物外部体形设计中的应用，如水晶式建筑、绿柱石式建筑、电气石式建筑、晶簇式建筑、双品式建筑、浮生式建筑、平行连生式建筑和镶嵌式建筑。晶体式建筑具有天然美的造型，合理的力学结构，良好的抗震性，较好的采光、通风，占地少，节省建筑材料，宜于建筑的高层化等优点。     

自建ASP组件获取Access位图并显示于Web页技术的研究

通过建立及实现ActiveX DLL，介绍了用ASP（Active Server Pages）技术从Microsoft Access 97数据库中获取位图并在Web页中显示的具体方法。     

拟除虫菊酯的敏化光降解研究Ⅱ.有机过氧自由基光氧化的动力学特征

研究了氯氰菊酯在苯乙酮作用下的光解动力学规律以及探针性物质２，６－二叔丁基－４－甲基苯酚，１，２，３，４－四氢萘对苯乙酮敏化作用的影响．结果表明，随着苯乙酮浓度的升高，氯氰菊酯的光解速率常数略呈上升趋势，而且氯氰菊酯的光解速率与自身浓度变化无关；溶剂分子的偶极矩越大，与溶液中自由基的作用越强，氯氰菊酯光解速率就越小；在苯乙酮敏化体系中，与ＲＯＯ·相比，ＲＯ·的浓度很低，ＲＯＯ·的稳态浓度约为１０－８ｍｏｌ·Ｌ－１，这个浓度也比单线态氧的稳态浓度高得多     

带电极压电晶体板厚剪共振频率的精确确定及其在谐振器设计中的应用

确定带有电极的石英晶体板的厚剪共振频率在石英晶体谐振器的设计和加工过程中有着实际意义，特别是目前频率的不断增高使得谐振器的厚度已经减小到不得不考虑电极效应的程度．由于电极的相对刚度不可忽视，只考虑电极质量效应的频率计算方法则需要进行修正．基于一个熟知的无限大晶体板的厚度频率的确定方法，得到了晶体板及考虑到压电效应的用弹性常数和密度表达的频率方程．根据谐振器设计中常用的材料来求解频率方程，我们可以在设计过程中精确确定设计参数，从而减少修正次数．由于这些方程和结果对大多数材料都是适用的，保证了这一方法可以相对容易的与现有的石英晶体谐振器和设计和制造过程结合．     

载体对负载型Zn催化剂上愈创木酚加氢脱氧(HDO)性能的影响

以SiO₂、Al₂O₃和HZSM-5、Re-HY分子筛为载体,以Zn为主要活性成分,研究了不同类型载体以及不同Si/Al比的HZSM-5分子筛负载Zn催化剂的愈创木酚加氢脱氧(HDO)反应性能。结果表明,催化剂的酸性是影响其加氢脱氧活性和产物选择性的主要因素,并且愈创木酚加氢脱氧转化为环己烷、BTX（苯、甲苯、二甲苯）等完全脱氧产物的活性,与催化剂的总酸量、酸中心强度具有一定的相关性。     

中国濒危水生蕨类植物研究进展

报道了中国濒危的水韭属和水蕨属植物在细胞生物学、生态学、进化生物学、遗传学、分子生物学和生物地理学等领域的研究进展.资料显示,生境的破坏和丧失是导致水生蕨类植物在我国濒危的主要原因.遗传多样性和遗传结构的研究为其制定科学的保护策略提供了基础遗传学资料.孢子、细胞学和分子生物学研究表明,中国有中华水韭（Isoetes sinensis）、高寒水韭（I.hypsophila）、云贵水韭（I.yunguiensis）、台湾水韭（I.taiwanensis）和东方水韭（I.orientalis）5种水韭,没有宽叶水韭（I.japonica）.中国产的水蕨可能存在隐种.另外,还讨论了中国濒危水生蕨类植物的保护措施.     

建筑设计艺术中的"梦幻曲"——浅析建筑设计中的非理性成分

通过理性与非理性概念的简要比较,结合相关的建筑设计作品,分析了非理性成分在建筑设计以及城市设计中的表现形式.论证了非理性成分在建筑设计中的现实意义及发展趋势,它的进一步发展将对当代的建筑潮流的发展产生深远的影响.     

芳香胺氮氧化物合贵金属配合物研究 Ⅱ、1,10-菲啰啉-N-氧化物与金(Ⅲ)、铂(Ⅳ)和钯(Ⅱ)的配合物的合成与表征

合成金(Ⅲ)、铂(Ⅳ)、钯(Ⅱ)与1,10-菲啰啉-N-氧化物的三种固体配合物,用元素分析、摩尔电导、红外和紫外光谱、差热分析和荧光光谱对配合物的组成和性质进行了研究,并讨论了配合物的可能结构,配合物中均含有[H(PhenO)]~+大阳离子,在结构上具有氢键的特征.     

KT和6-BA诱导绿豆子叶培养物 器官发生的比较研究

KT与6-BA处理使离体绿豆子叶培养物不定芽形成的前期与对照间有明显差别，对不定根则存在显著差别。6-BA出芽进程快于KT，KT处理部分抑制培养物不定根的形成，6-BA处理则完全抑制不定根形成。6-BA抑制根形成，影响了再生枝的干物质积累。KT与6-BA处理使子叶培养物的内源Put水平升高，特别是KT处理与对照相比达显著程度。KT处理显著降低子叶培养物的内源ZT水平，6-BA处理则显著提高内源ABA水平。对器官发生和内源激素测定结果的对比提示，6-BA和KT对不定芽发生的不同影响与二者对子叶内源CTK/IAA比值的影响不同有关。     

3-7岁儿童社会适应行为研究——行为评定量表内容的初步研究

本文是关于3—7岁儿童社会适应行为发展研究第一阶段工作的总结,其目的在于初步确定行为评定量表的内容.作者开始设计了一份包括六大类(生活自理、运动等).102个项目的调查问卷,根据心理测验编制的原理以及对198名正常儿童和33名弱智儿童的预试结果,对所设计的问卷又进行了多次修改,最后基本确定了3—7岁儿童社会适应行为评定量表的内容.该量表共有104个项目,分为生活自理、运动、作业、交往、社会化以及自我管理六个分量表.这为研究工作的进一步标准化奠定了基础.