卟啉化合物的电催化行为 Ⅳ.载在石墨上经热处理的四(对甲氧基苯基)卟啉钴对胱氨酸还原的电催化作用

应用循环伏安法及带环的旋转圆盘电极(RRDE)在2mol·dm~(-2)HCl溶液中研究了经热处理的四(对甲氧基苯基)卟啉钴(Co-TMPP)对胱氨酸还原反应的电催化作用.在循环伏安曲线上出现明显的氧化还原电流峰,表明Co-TMPP对胱氨酸还原有很好的电催化活性.在Co-TMPP/石墨电极上的还原反应为不可逆的简单电荷传递反应,其控制步骤的电子数为1.在极化电位较正时(-0.35～-0.45V)为电化学控制,在电位较负时(<-0.45V)为电化学及扩散混合控制.根据实验结果计算了动力学参数并初步讨论了反应机理.应用薄层盘环电极及聚四氟乙烯粘结膜电极分别测定了胱氨酸还原反应的电流效率.实验结果表明,经热处理的Co-TMPP能提高胱氨酸还原反应的电流效率.     

卟啉化合物的电催化行为V.金属卟啉化合物电极上胱氨酸还原反应的动力学及反应机理研究

采用循环伏安法及带环的旋转圆盘电极技术,在经热处理的载于石墨粉上的四(对甲氧基苯基)卟啉钴(Co-TMPP/石墨)电极上研究了溶液pH值对胱氨酸还原反应的影响.实验结果表明,在不同pH值溶液中经热处理的Co-TMPP/石墨对 胱氨酸还原反应均有较好的催化活性且该电极上胱氨酸还原反应为不可逆的简单电荷传递反应.测出了不同pH值溶液中胱氨酸剂原反应的标准速度常数.当pH<4时,胱氨酸还原对[H^+]的反应级数为1;pH>9时,反应与[H^+]无关.提出了不同pH值溶液中胱氨酸还原反应的机理.     

卟啉化合物的电催化行为 Ⅴ.金属卟啉化合物电极上胱氨酸还原反应的动力学及反应机理研究

采用循环伏安法及带环的旋转圆盘电极技术,在经热处理的载于石墨粉上的四(对甲氧基苯基)卟啉钴(Co-TMPP/石墨)电极上研究了溶液pH值对胱氨酸还原反应的影响.实验结果表明,在不同pH值溶液中经热处理的Co-TMPP/石墨对胱氨酸还原反应均有较好的催化活性且该电极上胱氨酸还原反应为不可逆的简单电荷传递反应,测出了不同pH值溶液中胱氨酸还原反应的标准速度常数.当pH<4时,胱氨酸还原对[H~+]的反应级数为1;pH>9时,反应与[H~+]无关.提出了不同pH值溶液中胱氨酸还原反应的机理。     

卟啉化合物的电催化行为(Ⅵ)——在经热处理的载于石墨上的四对甲氧基苯基卟啉钴电极上半胱氨酸氧化反应的动力学研究

应用软嵌式薄层催化剂制备的带环的旋转圆盘电极技术和循环伏安法,研宽了经热处理的载于石墨粉上的四对甲氧基泰基卟啉钴(Co-TMPP/石墨)在不同pH值溶液中对半胱氨酸(RSH)氧化反应的电催化行为。实验结果表明,在不同pH值溶液中Co-TMPP/石墨对RSH氧化成RSSR反应均有明显催化作用。该反应为不可逆的简单电荷递传反应,其电流效率在碱性介质中达90%以上。讨论了该反应的反应机理。     

Dy（III）离子在LiCl-KCl熔盐中的电化学行为及Dy-Ni金属间化合物的选择性制备

采用循环伏安、方波伏安和开路计时电位等电化学方法研究了Dy(III)离子在LiCl-KCl共晶盐中的电化学行为及Dy-Ni合金形成的电化学机理.循环伏安和方波伏安法研究表明, Dy(III)离子的电化学还原过程为三个电子转移的一步反应.与惰性W电极相比, Dy(III)离子在Ni电极上的循环伏安曲线多出了三对氧化还原峰,是由于Dy与Ni形成了合金化合物,导致Dy(III)离子在活性Ni电极发生了欠电位沉积.采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)附带能量散射谱(EDS)对恒电位(-1.6,-1.8和-2.0 V)电解制备的Dy-Ni合金进行分析,分别获得了DyNi5, Dy2Ni7和DyNi2金属间化合物.实验结果表明,通过控制电位进行恒电位电解可以有选择性地制备不同的金属间化合物.     

一种新型双核Cu配合物的电化学性质及其应用研究

本文研究了一种新型平面双核Cu配合物 (deCu)的电化学性质及其修饰电极在水溶液中对半胱氨酸和L_色氨酸的电催化作用 .悬汞电极循环伏安曲线示出 ,在 - 0 .5V和 - 0 .2 5V处显示的还原峰分别对应于配体和配合物中心金属离子的还原反应 .光谱电化学实验进一步表明 :电位价跃至 - 0 .75V时 ,在 4 40nm处出现Cu(Ⅱ )向低价铜的电子跃迁吸收峰 ,而紫外光谱在 2 70和 2 80nm两处出现的吸收峰红移 ,这可能是因为配合物分子氧桥联发生配位形成大偶合体系所致 .利用循环伏安法制备deCu/GC和deCu/石墨碳修饰电极 ,实验表明 ,该修饰电极修饰膜的氧 /还反应为 2电子 2质子过程 ,并对半胱氨酸和L_色氨酸等具有较好的电催化氧化效果     

Dy(Ⅲ)离子在LiCl-KCl熔盐中的电化学行为及Dy-Ni金属间化合物的选择性制备

采用循环伏安、方波伏安和开路计时电位等电化学方法研究了Dy(Ⅲ)离子在LiCl-KCl 共晶盐中的电化学行为及Dy-Ni 合金形成的电化学机理. 循环伏安和方波伏安法研究表明, Dy(Ⅲ)离子的电化学还原过程为三个电子转移的一步反应. 与惰性W电极相比, Dy(Ⅲ) 离子在Ni 电极上的循环伏安曲线多出了三对氧化还原峰,是由于Dy与Ni 形成了合金化合物, 导致Dy(Ⅲ)离子在活性Ni 电极发生了欠电位沉积. 采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)附带能量散射谱(EDS)对恒电位(-1.6, -1.8 和-2.0 V)电解制备的Dy-Ni 合金进行分析, 分别获得了DyNi₅, Dy₂Ni₇和DyNi₂金属间化合物. 实验结果表明, 通过控制电位进行恒电位电解可以有选择性地制备不同的金属间化合物.     

化学修饰电极的研究XVIII,四苯基钴卟啉化学修饰玻碳电极的热处理及其对氧的催化还原

本文研究四苯基钴卟啉化学修饰玻碳电极的热处理,经热处理的这种电极[(PCo/GC)h]具有对氧催化还原的异常高的稳定性和活性.在纯O2饱和的0.05mol.L^-^1H2SO4溶液中经循环伏安(CV)扫描3000次(100mV/s),其催化活性未见明显降低.研究了热处理温度(500-1000℃)对(PCo/GC)h电极电催化性能的影响.用紫外可见光谱对热处理产物的结构进行了分析.用CV法及旋转圆盘电极研究了O2在(PCo/GC)h电极上电催化反应动力学,测定了速率常数.在该电极上O2的还原反应为二电子还原成H2O2的不可逆过程.     

Sb在Au电极上不可逆吸附的电化学过程

用电化学循环伏安法和电化学石英晶体微天平(EQCM)技术研究了Sb在Au电极上不可逆吸附的电化学过程. 研究结果表明, 在-0.25 V到0.18 V(vs SCE)范围内, Sb可在Au电极上稳定吸附, 并且在0.15 V附近出现特征氧化还原峰. 根据EQCM实验数据, 在电位0.18 V时, Sb在Au电极上的氧化产物是Sb2O3; 同时Sb的吸附阻止了电解液中阴离子和水在Au电极上的吸附. 当电极电位超过0.20 V时, Sb2O3会被进一步氧化成Sb5+化合物, 同时逐渐从Au电极表面脱附.     

乙腈溶剂中三氯化苄在银阴极上的脱氯反应

用常规循环伏安(CV)法和恒电位电解法研究了含0.1 mol·L^-四丁基高氯酸铵(TBAP)乙腈溶剂中三氯化苄在银电极上的还原脱氯机理; 用以银和氯离子的氧化还原反应为基础的阳极区拓宽CV法探测了还原脱氯反应生成氯离子在银电极上的吸附情况. 循环伏安实验表明: (1) 银电极对三氯化苄的电还原脱氯反应具有比汞电极更优良的电催化活性; (2) 三氯化苄在低扫描速率(v)下得到的第一个还原峰对应反应受吸附控制, 电子转移系数约为0.25, 遵守协同电子转移机理; (3) 三氯化苄还原脱氯反应生成氯离子在银电极上的吸附电位为-0.75 - -1.75 V (vs Ag/Ag⁺). 电解实验表明, 通过改变银电极电位可以有效控制三氯化苄还原反应的电解产物.     

光电化学反应的催化III: 溶液中钴离子及用钴修饰的n-TiO2电极的光催化行为

在溶液中加入钴(II)离子能够催化n-TiO2电极上的光电化学析氧反应,增加光电流-电压曲线的充满因子.用钴修饰的n-TiO2电极能提高光电流,并催化溶液中铈(III)的光氧化反应.本文对这两种催化反应的机理进行了讨论.     

光电化学反应的催化II.表面覆盖针状铱层对n-TiO2电极上光电化学过程的催化作用

借助于可换盘旋转环盘电极在含Ce[3+]酸性溶液中比较了n-TiO2电极上载多孔铱层前后的竞争光氧化过程,观察到当铱以高度分散的针状多孔透光层在TiO2电极表面分布时能够催化Ce[3+]的光电化学氧化,并据此讨论了催化光电化学反应的基本前题。     

硝酸银-氨-吡啶甲酸体系的阴极过程研究II. 交换电流和表面扩散步骤

本文报道了用不同方法测得的Ag-AgNO3-NH3-吡啶甲酸体系蜩交换电流值. 探讨了产较大差异的原因, 并得出银从上述体系中电积时, 在低过位区的过电位区的速率控制步骤是吸附离了的表面扩散.     

阳极二氧化铅膜的阴极还原为硫酸铅的机理

应用旋转环盘电极, 和静止电极线性电位扫描法(LSV)研究铅上阳极PbO~2膜的阴极还原为PbSO~4的机理。实验结果表明相应于Pb盘上阳极膜中PbO~2还原时所产生的Pb-7w/oSb环电流是原先PbO~2膜生长时析出的氧扩散入膜中以及膜内的PbO~2微粒中的品种逸出而被还原所致。无可溶性中间体可被检出。扫速对静止Pb上阳极膜中PbO~2的LSV法还原的影响符合薄膜反应的规律。本文提出了上述反应机理。     

用旋转圆盘电极制备碲化镉光电极

有关电沉积法制备碲化镉薄膜的报道中,碲化镉薄膜大多在静止的金属片上沉积.最近,我们用旋转圆盘电极(RDE)研究了电沉积碲化镉过程的动力学,发现在RDE上沉积的碲化镉具有更好的光电化学性能. 我们设计了一种可换盘的RDE.沉积基片为一镍盘(直径6mm,厚0.2mm),用导电银     

化学修饰电极的研究: 1:12磷钼杂多阴离子薄膜修饰电极的电化学性质

用循环伏安法研究了1:12磷钼杂多阴离子(PMo12)薄膜修饰电极的制备及其电化学行为, 发现PMo12膜强烈地吸附在玻璃碳电极表面, 溶液氢离子在PMo12膜改性电极的电化学过程中起着重要的作用, 而其它阴离子不参与这一过程, 在循环伏安法扫描过程中PMo12膜改性电极的稳定性很好。     

碘离子阳极氧化扩散电流的研究

本文对碘化钠-碘浓溶液体系中碘离子阳极氧化扩散电流的性质进行了研究.指出在这种体系中,阳极扩散电流下由碘离子向阳极的扩散速度所控制,而是由阳极电解产物碘由电极表面向溶液中的扩散所控制;其极限扩散电流密度与本文中定义的碘的未饱和度ΔmI2.max成正比,后者是一个与通常所指的碘的不饱和度在意义和数值上都不相同的物理量。     

5-硝基尿嘧啶电化学还原机理的探讨

本文采用循环伏安法、恒电位电解法结合紫外光谱以及电子自旋共振波谱(ESR)方法对5-硝基尿嘧啶(5NU, 1)在DMSO中Ag-Hg电极上的电化学还原过程进行了研究, 并测定了反应中间物自由基的性质及其动力学规律. 实验结果表明, 1在DMSO中可有二个还原过程. 第一过程为1四电子还原为5-羟胺基尿嘧啶, 反应中所需质子由1提供. 第二个过程为失去质子后形成的阴离子5NU^-(2)在较负的电位下单电子还原为二价阴离子自由基, 后者可用ESR进行现场检测和研究, 其ESR参数分别为: 偶合常数αN=14.6G, αH=5.2G, 自由基g因子, g=2.005. 自由基的衰变反应为夺取1的质子, 反应的速度常数k1=52mol^-^1.dm^3.s^-^1.