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Industrialization undoubtedly boosts economic development and improves the standard of living; however, it also leads to some serious problems, including the energy crisis, environmental pollution, and global warming. These problems are associated with or caused by the high carbon dioxide (CO2) and sulfur dioxide (SO2) emissions from the burning of fossil fuels such as coal, oil, and gas. Photocatalysis is considered one of the most promising technologies for eliminating these problems because of the possibility of converting CO2 into hydrocarbon fuels and other valuable chemicals using solar energy, hydrogen (H2) production from water (H2O) electrolysis, and degradation of pollutants. Among the various photocatalysts, silicon carbide (SiC) has great potential in the fields of photocatalysis, photoelectrocatalysis, and electrocatalysis because of its good electrical properties and photoelectrochemistry. This review is divided into six sections: introduction, fundamentals of nanostructured SiC, synthesis methods for obtaining nanostructured SiC photocatalysts, strategies for improving the activity of nanostructured SiC photocatalysts, applications of nanostructured SiC photocatalysts, and conclusions and prospects. The fundamentals of nanostructured SiC include its physicochemical characteristics. It possesses a range of unique physical properties, such as extreme hardness, high mechanical stability at high temperatures, a low thermal expansion coefficient, wide bandgap, and superior thermal conductivity. It also possesses exceptional chemical characteristics, such as high oxidation and corrosion resistance. The synthesis methods for obtaining nanostructured SiC have been systematically summarized as follows: Template growth, sol-gel, organic precursor pyrolysis, solvothermal synthesis, arc discharge, carbon thermal reduction, and electrospinning. These synthesis methods require high temperatures, and the reaction mechanism involves SiC formation via the reaction between carbon and silicon oxide. In the section of the review involving the strategies for improving the activity of nanostructured SiC photocatalysts, seven strategies are discussed, viz., element doping, construction of Z-scheme (or S-scheme) systems, supported co-catalysts, visible photosensitization, construction of semiconductor heterojunctions, supported carbon materials, and construction of nanostructures. All of these strategies, except element doping and visible photosensitization, concentrate on enhancing the separation of holes and electrons, while suppressing their recombination, thus improving the photocatalytic performance of the nanostructured SiC photocatalysts. Regarding the element doping and visible photosensitization strategies, element doping can narrow the bandgap of SiC, which generates more holes and electrons to improve photocatalytic activity. On the other hand, the principle of visible photosensitization is that photo-induced electrons move from photosensitizers to the conduction band of SiC to participate in the reaction, thus enhancing the photocatalytic performance. In the section on the applications of nanostructured SiC, photocatalytic H2 production, pollutant degradation, CO2 reduction, photoelectrocatalytic, and electrocatalytic applications will be discussed. The mechanism of a photocatalytic reaction requires the SiC photocatalyst to produce photo-induced electrons and holes during irradiation, which participate in the photocatalytic reaction. For example, photo-induced electrons can transform protons into H2, as well as CO2 into methane, methanol, or formic acid. Furthermore, photo-induced holes can convert organic waste into H2O and CO2. For photoelectrocatalytic and electrocatalytic applications, SiC is used as a catalyst under high temperatures and highly acidic or basic environments because of its remarkable physicochemical characteristics, including low thermal expansion, superior thermal conductivity, and high oxidation and corrosion resistance. The last section of the review will reveal the major obstacles impeding the industrial application of nanostructured SiC photocatalysts, such as insufficient visible absorption, slow reaction kinetics, and hard fabrication, as well as provide some ideas on how to overcome these obstacles.
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工业化无疑促进了经济的发展,提高了生活水平,但也导致了一些问题,包括能源危机、环境污染、全球变暖等, 其中这些所产生问题主要是由燃烧煤炭、石油和天然气等化石燃料引起的。光催化技术具有利用太阳能将二氧化碳转化为碳氢化合物燃料、从水中制氢、降解污染物等优点,从而在解决能源危机的同时避免环境污染,因此被认为是解决这些问题的最有潜力的技术之一。在各种光催化剂中,碳化硅(SiC)由于其优良的电学性能和光电化学性质,在光催化、光电催化、电催化等领域具有广阔的应用前景。本文首先系统地阐述了各种SiC的合成方法,具体包括模板生长法、溶胶凝胶法、有机前驱物热解法、溶剂热合成法、电弧放电法,碳热还原法和静电纺丝等方法。然后详细地总结了提升SiC光催化活性的各种改性策略,如元素掺杂、构建Z型(S型)体系、负载助催化剂、可见光敏化、构建半导体异质结、负载炭材料、构建纳米结构等。最后重点论述了半导体的光催化机理以及SiC复合物在光催化产氢、污染物降解和CO2还原等领域的应用研究进展,并提出了前景展望。 相似文献
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太阳能驱动光催化反应降解污染物、制备化学燃料或其他高附加值产品是绿色化学和可再生能源研究的重要方向.近年来,在传统的金属氧化物半导体材料之外,金属卤化物钙钛矿类化合物凭借其优异的光电特性也被逐步应用于高效光催化反应中.这篇文章综述了以铅卤钙钛矿为主的金属卤化物钙钛矿材料近年来在光催化领域的研究进展,总结了金属卤化物钙钛矿材料在光(电)催化产氢、CO2还原反应和有机物高附加值转化反应中的应用与反应机制及其关键挑战,最后展望了高效稳定的金属卤化物钙钛矿光催化剂的发展方向和前景. 相似文献
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掺杂TiO2光催化膜材料的制备及其灭菌机理 总被引:84,自引:0,他引:84
采用sol-gel技术制备了掺杂TiO2膜,考察了制备条件对溶胶稳定性的影响,并从TiO2光催化反应的角度分析了膜功能材料的灭菌机理.结果表明,溶胶化过程中温度对掺杂胶体形成速度及胶体粒径分布影响很大,40℃时制备周期短,胶体稳定.TiO2膜材料的灭菌本质在于其光照激活后产生的自由基OH·和O-2·直接攻击细菌的细胞,致使细菌蛋白质变异或脂类分解,从而杀灭细菌并使之分解.TiO2膜功能材料的灭菌效果与TiO2晶相组成直接相关,其灭菌率随膜层中锐钛矿含量的增加而提高. 相似文献
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国产二氧化钛在光催化降解染料废水中的应用 总被引:55,自引:0,他引:55
研究了 几种国 产和进口 二氧化钛 在光催 化降解染 料污染 物方面的 应用. X 射线 衍射 及扫描电镜 分析结果 表明,锐 钛矿型含 量高以 及粒径 小的 二氧 化钛 能很 好地 催化 降解 有机 染 料. 不同结构染 料的降 解难易顺 序为: 酞菁类 > 蒽醌类 > 单偶氮 类; 降解 速度 与吸 附有 直接 关系 . 搅 拌分散体系 和糊状 体系的实 验结果表 明,难于 生物降 解的高浓 度直接耐 晒大红 4 B S 工业 染料 废水 可被光催化 降解并 矿化,国产 催化剂 可重复利 用多次 ,光源可采 用太阳 光. 相似文献
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载钛中孔二氧化硅分子筛的光催化性能研究 总被引:14,自引:0,他引:14
分别 以单一 Ti O2 纳米粒 子及不 同 Ti O2 覆 盖率的中 孔分 子筛( Ti O2/ H M S) 和微 孔分 子筛( Ti O2/ Na Y) 为光催 化剂,以2 ,4 ,6三氯苯 酚( T C P) 为 降解对象 ,考察了 两类分子 筛担 载 Ti O2 的光催化性 能. 结 果表明 : 在钛 含量相 同的 条 件下 , Ti O2/ H M S 的光 催 化活 性 高于 Ti O2/ Na Y 和 单一 Ti O2 的光催 化活性; Ti O2 负载量 较低时 , Ti O2/ H M S 即可 显示 有高 的光 催化 活性, 且其 光催 化活性随着 中孔分 子筛孔径 的增大而 升高 相似文献
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主客体结构纳米半导体光催化的界面钉住效应 总被引:2,自引:0,他引:2
研究 了主客体 纳米结构 Zn S 半导 体在 光 催化 甲 醇水 溶液 产 氢同 时产 乙 二醇 反应 中 的界面“钉 住效应”. 认为在 主体 β环 糊精( β C D) 分子 包覆作用 下,客体 Zn S 的 界面 能带 被钉 住; 溶液酸碱性 的变化, 在很大程 度上通过 改变溶 液相中各 种氧化 还原电 对来 间接 影响 客体 的界 面电 荷输出行为 . 由此 观点出发 ,并结合 已有的 光电实验 结果,解 释了主 客体 包容 物 Zn S/ β C D 的 最高 光催化产氢 活性发 生在溶液 p H = 10 ~11 的实 验现象. 相似文献
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中孔二氧化钛的合成和表征 总被引:13,自引:0,他引:13
以长链 烷基胺 表面活性 剂为模板 剂,在室 温下直 接水解 钛酸 四丁 酯制 备中 孔 Ti O2 , 并以 T G D T A, F T I R, X R D, T E M 和 B E T 等 方法对它 进行了 表征. X R D 分析 表明 , 以 十二 烷基 胺和十八烷 基胺为模 板剂制 得的中孔 Ti O2 , 其孔 径分别 为29 n m 和33 n m . 经350 ℃热处 理的 Ti O2样品的 比表面积 为230 m 2/ g , 而 经500 ℃热处 理的 Ti O2 样品的中 孔结构 被破坏,由 六边 形相 转变成锐钛 矿型, 经700 ℃热处 理时转变 成金红 石型结构 相似文献
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