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相似文献
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1.
吴成  张丽  赵昆 《中国稀土学报》2005,23(2):209-209
研究了La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)/YBa2Cu4O8(YBCO)/LCMO三层薄膜中的各向异性磁电阻。LCMO单层膜和三层膜都表现出面内各向异性,磁电阻对θ(磁场方向和偏置电流方向的夹角)和Ф(磁场方向和薄膜表面的夹角)表现出正弦三角函数的依赖关系。在低场下,无论在面内还是面外都发现了正的磁电阻。  相似文献   

2.
采用脉冲激光沉积(PLD)的方法分别在LaAlO3(100),(110)和(111)衬底上沉积了La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)外延薄膜,研究了不同晶面取向对薄膜输运和光诱导特性的影响。实验结果表明随着垂直膜面晶格不匹配度的增加,薄膜的相变温度向低温方向移动,而电阻率和光致电阻率变化值(Δρ)则增大,分析表明这一现象的出现可归结于晶格失配致使双交换作用减弱。  相似文献   

3.
运用循环伏安和阶跃电位方法研究了Ni(OH)2粉末靶直流溅射沉积的NiOxHy薄膜电致变色特性.结合实时的光透射-时间变化,发现着色后的薄膜在零外电势下有一自发的消色过程,该过程可能对应着Li 的自发注入。着色没有自发过程,获取了着消色状态Ni2p3/2和O1s的XPS谱,表明在着色态镍被氧化,消色态镍被还原,相应地氧的化学环境发生改变.  相似文献   

4.
采用对靶溅射技术制备了YBa2Cu4O8/La2/3Ca1/3MnO3/YBa2Cu4O8(Y-124/LCMO/Y-124)异质结, 研究了超导转变温度(TC)随LCMO层厚度(dL)的振荡行为. 当dL>dLCR时, TC-dL曲线表现出清晰的非单调行为, 而金属-绝缘体转变温度(TMI)仅当dL>dLCR时才能观测到. Y-124/LCMO/Y-124系统中所存在的这种对中间层的依赖关系, 显示了铁磁和超导耦合间强烈的相互作用.  相似文献   

5.
用不同实验方法制备了名义组分为(1-x)La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3/xCuO(LCMO/CuO)和La_(0.67)Ca_(0.33)Mn_(1-x)Cu_xO_3(LCMCO)两组样品,在宽的温度范围内研究了样品的电输运行为随Cu含量x的变化关系,发现这两组样品表现出不同的行为.对于LCMCO,随x的增加,金属-绝缘体转变温度T_p迅速降低,当x=5.5%,样品表现出绝缘体导电行为;而LCMO/CuO复合样品,当x≤6%时,随x增加,Tp逐渐下降,x≥6%时,T_p不再继续降低,所有样品几乎表现出相同的电输运行为.另外,这两组样品均表现出较好的低场磁电阻效应(LFMR),在0.3 T下样品的最大磁电阻分别达到了~76%和88%.基于样品结构以及制备过程的分析,我们认为LFMR效应的增强主要是因为颗粒边界上形成的Cu相关自旋无序层引起的.  相似文献   

6.
利用磁控溅射方法,在(100),(110)和(111)LaAlO3(LAO)衬底上制备得到了不同生长方向的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)薄膜并对其晶体结构及磁电学性能进行了系统研究。AFM图揭示出(100),(110)和(111)生长方向的LSMO薄膜分别具有圆形、长条形和点状的表面晶粒形貌。磁电学测试结果表明不同生长方向的LSMO薄膜磁电学性能与其应变程度有关。(111)生长方向的LSMO薄膜由于按最密排面生长,晶格畸变很小,从而具有相对最大的磁饱和强度值和最低的电阻。  相似文献   

7.
La0.67Ca0.33Mn1-xAlxO3体系的结构和输运特性研究   总被引:3,自引:1,他引:3  
研究了Al离子的Mn位替代对巨磁阻材料La0.67Ca0.33MnO3体系的结构和输运特性的影响。结果表明,随Al3 替代量的增加,在整个替代范围内,晶胞体积表现出单调减小的规律。体系的电阻率急剧增加,绝缘体 金属转变温度TIM向低温方向移动,且与Al3 替代量存在线性关联。对少量Al3 替代量,在T>TIM的高温区域体系的输运特性满足热激活模型,在T相似文献   

8.
采用静电纺丝方法制备了不同含量的偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物(P(VDF—TrFE))纳米纤维薄膜。通过P(VDF—TrFE)纳米纤维薄膜和柔性电极的结合,设计制作了一种针对医疗和服饰等领域应用的新型柔性压力传感器。利用扫描电镜和X射线衍射分析的方法分别对P(VDF—TrFE)纳米纤维的形貌和晶体结构进行了表征,并通过自制的测试系统获得了柔性压力传感器的灵敏度。结果表明:静电纺丝得到的纳米纤维具有较高的结晶度和β相结晶含量,其中P(VDF—TrFE)(n(VDF)/n(TrFE)=77/23)纳米纤维的口相结晶含量达到了51.3%,同时这种纳米纤维薄膜具有柔软、透气和生物相容性好等优点;基于电纺纳米纤维的柔性压力传感器具有良好的响应性能。P(VDF—TrFE)(T/(VDF)/n(TrFE)=77/23)压力传感器具有最高为60.5mV/N的灵敏度,接近于其塑性薄膜传感器,但塑性薄膜传感器的柔软性和透气性较差  相似文献   

9.
采用3种类型的电活性界面层材料,如高介电常数材料酞菁铜(CuPc)、电子导体原位合成的聚(乙撑二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT-PSSH)以及离子导体聚乙烯基磷酸(PVPA)和商业的PEDOT-PSSH(BaytronP),研究了界面层对铁电共聚物薄膜的疲劳特性的影响。研究结果表明,三种类型的电活性界面层材料,包括电子、离子导体和含偶极子的高介电常数材料都能为铁电薄膜提供补偿电荷从而提高器件的铁电疲劳性能。  相似文献   

10.
系统研究了xLa5/8Ca3/8MnO3:(1-x)ErMnO3(x=0、0.2、0.4、0.5、0.6、0.8、1)铁电铁磁复合材料的晶体结构和低温下的电磁输运性质.X光衍射结果表明金属铁磁相La5/8Ca3/8MnO3和绝缘铁电相ErMnO3由于晶体结构上的巨大差异几乎完全不相溶.电阻率随x的增大而降低,其导电特性可用经典的渗流理论来解释.当x〉xc时,样品电阻特性山La5/8Ca3/RMnO3主导,电阻温度曲线会出现金属绝缘体转变.磁性测试表明,由于La5/8Ca3/8MnO3的掺入,复合材料的磁性相比单相ErMnO3得到加强.从电磁性质综合分析认为这利复合材料是一种新的多铁性材料,相比单相多铁性材料ErMnO3,它具有更强的磁性和更广的使用温度范围.  相似文献   

11.
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)和旋涂法制备了未掺杂的ZnSnO3薄膜和掺入不同物质的量的Sb的ZnSnO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、霍尔效应仪(Hall)以及紫外-可见光(UV-Vis)等表征了热处理后薄膜的晶相、微观形貌、晶格缺陷、电学性能以及紫外-可见光透过率。结果表明:所有薄膜都是ZnSnO3结构;与未掺Sb的ZnSnO3薄膜相比,掺入Sb后的ZnSnO3薄膜的电阻率都有不同程度的降低,其中掺入8mol%Sb的薄膜具有最低的电阻率0.96Ω·cm;缺陷研究表明:Sb的掺入使得晶格中的间隙锌离子含量增加,这有利于薄膜电阻率的降低;薄膜的紫外-可见光(UV-Vis)表明:在波长大于475nm的可见光范围内,掺入Sb的ZnSnO3薄膜的可见光透过率都在80%以上。  相似文献   

12.
铽配合物Tb(o-BBA)3(phen)有机电致发光研究   总被引:7,自引:4,他引:7  
合成了一种新的稀土配合物邻苯甲酰苯甲酸-1,10-菲罗啉-铽(Tb(o-DDA)3(phen))并用于有机电致发光。研究了Tb(o-DDA)3(phen)与PVK混合薄膜的光敛发光特性,找出了PVK:Tb的最佳比例为3:1。制备了结构为ITO/PVK:Tb/Al的单层电致发光器件,得到了铽离子的特征光谱,其电流-电压特性(I-V)在一定电压范围内符合空间电荷限制电流机制。研究结果表明稀土铽配合物Tb(o-BBA)3(phert)掺杂PVK体系的光致发光是源于PVK到Tb配合物的能量传递及稀土Tb配合物的直接激发两种作用机制,而电致发光以载流子俘获为主。  相似文献   

13.
掺铒GaN薄膜光致发光的研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
采用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)研究了掺铒GaN薄膜光致发光特性,光致发光谱(PL)的测量结果表明:选用退火时间长的电阻加热退火护退火,有利于薄膜中晶格损伤的恢复,MOCVD,MBF两种方法制备的GaN薄膜,注入铒,退火后的PL谱形状基本一样,薄膜中O,C的含量越大,可能导致1539nm处的PL强度越强,不同衬底对掺铒GaN薄膜的红外光致发光影响很大,在Si衬底上外延生长的GaN样品峰值在1539nm处的PL积分强度只有Al2O3(0001)衬底上外延生长GaN样品的30%,MBE生长的GaN/Al2O3样品,注入铒,退火后,当测量温度从15K变化到300K时,样品发光的温度猝灭是30%。  相似文献   

14.
自掺杂锰基氧化物La1-xMnO3+δ的电化学制备   总被引:4,自引:0,他引:4  
利用阴极还原恒电位和恒电化学沉积法制备了自掺杂钙钛矿结构的锰基氧化物La1-xMnO3 δ,研究了电解质溶液中La^3 和Mn^2 的物质的量比、沉积电位以及电密度对产物组成的影响,并对电沉积机理和晶格缺陷进行了探讨,结果表明,晶格中的离子空位和Mn^4 的含量是影响体系输运性质的关键。  相似文献   

15.
本文发现α-环糊精包结碳纳米管涂层电极对多巴胺(DA)和肾上腺素(EP)具有显著的增敏和电分离作用,还原峰电位差达390 mV。研究表明α-环糊精包结碳纳米管涂层薄膜表现出了非常令人感兴趣的电催化特性。因抗坏血酸(AA)在α-环糊精包结碳纳米管涂层电极上的氧化是不可逆的,因此利用还原峰进行测定,消除了AA对DA和EP的干扰。由于成本低和制作简便,该电极可用于生物系统电化学研究的生物传感器。  相似文献   

16.
赵青靓  刘旸  魏楠  王胜 《物理化学学报》2001,30(7):1377-1383
采用自组装的方法制备99%高纯度半导体碳纳米管平行阵列条带,以金属钯和钪为非对称接触电极制备碳纳米管(CNT)薄膜晶体管(TFTs)器件. 主要研究不同沟道长度碳纳米管薄膜晶体管器件的电输运特性和红外光电响应特性,分析了其中的载流子输运和光生载流子分离的物理机制. 我们发现薄膜晶体管器件的电学性能和光电性能依赖于器件沟道长度(L)和碳纳米管的平均长度(LCNT). 当沟道长度小于碳纳米管的平均长度时,器件开关比最低;当沟道长度超过碳纳米管平均长度时,随着沟道长度的增加,器件开关比增加,光电流减小.相关研究结果为高纯碳纳米管薄膜晶体管器件在红外光探测器方面的进一步应用提供参考依据.  相似文献   

17.
用自燃烧法制备了钙钛矿型La0.8Sr0.2FeO3催化剂。用H2-TPR考察了催化剂表面的氧消耗过程,用程序升温表面反应(TPSR)研究了甲烷与催化剂表面氧物种的反应,用在线质谱脉冲反应和甲烷/氧切换反应研究了催化剂的晶格氧选择氧化甲烷制合成气。结果表明,催化剂上存在两种氧物种,无气相氧存在时,强氧化性氧物种首先将甲烷氧化为CO2和H2O;而后提供的氧化性较弱的晶格氧具有良好的甲烷部分氧化选择性,可将甲烷氧化为合成气CO和H2(选择性可达95%以上)。在900℃一的CH4/O2切换反应结果表明,甲烷能与La0.8Sr0.2FeO3中的晶格氧反应选择性地生成CO和H2,失去晶格氧的La0.8Sr0.2FeO3能与气相氧反应恢复其晶格氧。在合适的反应条件下,用La0.8Sr0.2FeO3催化剂的晶格氧化替分子氧按Redox模式实现甲烷选择氧化制合成气是可能的。  相似文献   

18.
光致变色WO3/4,4'-BPPOBp超晶格薄膜的制备   总被引:6,自引:0,他引:6  
具有光致变色和电致变色特性的三氧化钨薄膜因其巨大的应用前景而倍受人们关注[1-4].其制备方法一般为物理沉积方法和化学沉积方法等.其中化学方法包括喷射裂解法[5],化学气相沉积法[6,7],电化学沉积法[8]和溶胶凝胶法[9]等.利用超分子化学自组装技术构建用有机组分调控的光致变色纳米超晶格薄膜材料,是研制光致变色功能薄膜材料的新方法.本文采用溶液中相反电荷聚电解质超分子自组装的方法(PEs法)[10],制备了WO3/4,4′BPPOBp超晶格薄膜.采用紫外可见吸收光谱和小角X射线衍射谱对薄膜的结构和分子的排列方式进行了研究.1 实验…  相似文献   

19.
Er2O3纳米晶光伏特性及谱带解析   总被引:1,自引:0,他引:1  
纳米做教是介于体相材料和分子或原子之间的新型材料,表现出许多超常的电、热、光、磁及催化的特性,因此引起人们高度的重视[1,2].目前对其光学、磁学、力学和比热等研究已有大量的报导[3].但是,对于稀土氧化物纳米材料的合成及性质的研究,尤其对它们的电学性质、电子输运方式和光电行为报导较少.本文利用表面光电压谱(SPS)技术对不同粒径的Er2O3纳米晶进行了表面光伏特性的研究,并结合漫反射吸收光谱对其谱带进行了解析,发现,除f→f跃迁外,在300~550nm区间有一定吸收边带,此带可归属于O2p→Er4f电荷转移跃迁.随着样品…  相似文献   

20.
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和离子注入的方法制备了掺铕GaN薄膜。利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动,从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况。结果表明,Eu离子注入剂量越大,对晶格的损伤越严重;Eu离子注入的能量越高,对晶格的损伤也越严重;采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤。离子注入后进行高温退火,可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复。而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多。不同几何配置的Raman谱研究表明,1000℃的高温退火导致了GaN的分解。  相似文献   

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