电化学“沾笔”纳米刻蚀及其他

本文提出了一种基于“沾笔”纳米刻蚀和电化学还原技术在表面上制备金属及半导体纳米结构的普适性方法。用这种方法可以在硅表面直接书写线宽度低于50纳米的多种金属和半导体组成的纳米结构。这种简单而有效的方法在精确控制位置和结构的功能化纳米器件制备中具有重要的潜在应用前景。     

电化学“沾笔”纳米刻蚀及其他(英文)

本文提出了一种基于“沾笔”纳米刻蚀和电化学还原技术在表面上制备金属及半导体纳米结构的普适性方法。用这种方法可以在硅表面直接书写线宽度低于50纳米的多种金属和半导体组成的纳米结构。这种简单而有效的方法在精确控制位置和结构的功能化纳米器件制备中具有重要的潜在应用前景。     

无机半导体纳米晶光学性质的设计、调控及其生物医学应用

半导体纳米晶由于其丰富的能带结构和光学性质,在光电器件和生物医学应用等领域展现出了广阔的应用前景,且在过去的几十年中得到了广泛关注.因此,对其光学性质进行理性设计和精确调控具有重要的研究意义.本文简要综述了本研究组近年来在不同能带隙的无机半导体纳米晶的可控制备技术以及利用DNA纳米技术和蛋白质自组装手段构建具有特异光学性质的纳米结构等方面的相关研究工作,最后对这些纳米晶和纳米结构的独特光学性质及其在生物医学领域的应用研究进行了总结.     

金属和半导体纳米微粒薄膜的制备

由于金属、半导体纳米微粒在光物理、光化学、光催化等方面具有突出的性能,因此如何将金属、半导体纳米微粒通过某些方式构建成某些薄膜材料,对实现纳米微粒在分子器件和光电器件方面的应用具有重要的意义.本文以制备方法为主线,介绍了几种构建金属、半导体纳米微粒薄膜的基本方法,对其中一些重要的问题进行了比较详细的讨论.     

多级复合半导体纳米材料的制备

金属氧化物、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ等半导体纳米材料由于其独特的功能性质已广泛应用于光学、电子、太阳能转化、催化等领域,是当今先进材料领域的研究前沿与热点。随着科技的发展,人们对材料的高效、多功能要求已成为必然,对半导体材料发展要求亦如此。多组分复合、多层次结构协同是实现半导体纳米材料多功能化与高效化的有效途径。构筑多级结构组合纳米半导体,不但可以调控其能带结构而提高半导体材料的光电与催化性能,而且由于多级低维纳米结构聚集时形成的空间位阻效应可以有效克服纳米晶“易团聚”难题。本文提出多级结构组合纳米晶的概念、分类,结合近年来该领域的研究实践,较系统地综述了多级复合半导体纳米结构制备的最新研究进展。首先简要介绍了多级复合半导体纳米材料的概念与典型结构; 其次对典型多级复合半导体纳米材料的制备方法进行了重点评述,分别综述了液相法、气相法以及最新发展起来的静电纺丝等方法在多级结构半导体复合纳米材料制备中的应用实践。再其次,对以具有半导体特性的石墨烯及其功能化衍生物为基体的新型多级复合半导体纳米材料的制备做了综述。最后对半导体/半导体多级结构复合纳米材料的发展方向做了展望。     

模板法制备高度有序的聚苯胺纳米纤维阵列

近年来,利用化学或物理方法制备多种材料的纳米有序阵列复合结构已成为学术界的研究热点．用具有纳米孔洞的模板(多孔阳极氧化铝、多孔硅以及聚碳酸脂膜)制备的金属、半导体、碳纳米管等材料的纳米有序阵列复合结构已在润滑、微电极、单电子器件、传感器、垂直磁记录、场致电     

特殊纳米结构的化学自组装

本文介绍了近年来国际上一维纳米材料的制备方法的最近进展，如模板法、激光剥蚀法、分子束外延法、有机溶剂中溶液-液体-固体生长法等，同时还介绍了利用新的化学自组装路线制备一维核／鞘结构、无机半导体／高分子纳米电线、金属硫化物纳米空球和花生状纳米结构等工作。     

CdSe纳米结构单元的制备与自组装

纳米CdSe作为一种重要的半导体纳米材料，在发光二极管、生物标记、太阳能电池等领域有着广泛的应用。本文综述了CdSe纳米结构单元制备与自组装的最新研究进展。归纳出了6种有代表性的制备与组装方法，详细介绍了这些方法的原理以及采用这些方法制备的CdSe纳米结构。最后，对这一领域的发展方向作了展望。     

纳米二氧化钛光催化材料研究进展

近年来,对纳米二氧化钛光催化材料的研究主要集中在如何提高其光催化效率和开发新的应用领域。在介绍了半导体光催化技术、纳米二氧化钛主要制备方法的同时,从纳米材料复合体系、复杂结构以及晶面诱导等方面列举了最新的提高纳米二氧化钛催化活性的改性方法,最后重点阐述了纳米二氧化钛光催化材料的应用领域和发展瓶颈。     

普鲁士蓝纳米修饰电极的制备及表征

采用激光加热拉伸的方法制备铂纳米电极,并通过交流电刻蚀的方法制备纳米孔电极,在这两种电极上可通过电化学方法原位合成单颗普鲁士蓝微晶. 结果表明,普鲁士蓝微晶在纳米微孔电极上的机械附着强度增强. 这种方法可用于制备纳米修饰电极或研究功能微晶体材料的电化学性质.     

纳米TiO_2电极的特殊光电化学响应

应用涂膜法、电沉积法和溶胶-凝胶法制备纳米TiO2电极.实验发现,纳米TiO2具有特殊的光电化学响应,其光电流~电位变化出现光电流峰,这一特殊的光电化学性质乃与纳米半导体电极的纳米结构及其特殊的光诱导氧化还原反应机理密切相关.     

羧基功能化离子液体表面修饰TiO2纳米微粒的制备及结构表征

本文用沉淀法制备了羧基功能化离子液体表面修饰半导体TiO2纳米颗粒, 并用FTIR, TEM, XRD和XPS对其结构进行了表征. 初步探讨了羧基功能化离子液体修饰TiO2纳米微粒的形成机理.     

二氧化钛纳米微粒膜光电化学行为的研究

利用不同的制备方法制备出二氧化钛纳米微粒膜，对二氧化钛纳米微粒膜的光电化学材为和产生的机理进行了研究．结果表明；二氧化钛纳米微粒膜除了具有传统半导体的光电化学性质外，还具有不同于传统半导体的光电化学性质这主要是出膜的微粒性引起的，可综合传统半导体和胶粒半导体两种模型来加以解释。     

纳米半导体研究进展

本文从纳米半导体的特性、制备方法、表征和应用前景等方面, 对其研究进展作了综合评述     

纳米金属-偶氮染料共掺杂复合膜的制备与吸收蓝移现象

为了达到高密度存储, 关键而有效的方法是获得更短波长的光存储材料. 报道了具有纳米金属-偶氮染料包覆共掺杂结构复合材料的制备及光吸收蓝移现象. 实验发现, 在这种独特结构的复合膜中, 具有存储功能的偶氮染料甲基橙的最大吸收波长比其单独存在于复合膜中蓝移约23 nm, 复合膜的热稳定性提高. 用TEM, SPM, UV-vis, TGA对样品的物理特性进行了表征. 描述了包覆结构的模型, 分析了波长蓝移的机理. 研究结果表明, 具有这种结构的甲基橙有望成为与蓝紫光半导体激光器(GaN)匹配的新一代光存储材料.     

II-VI族半导体荧光纳米微粒及复合荧光微球的制备及应用

本文简单介绍了半导体荧光纳米微粒（又称量子点）的基本概念和荧光性质，评述了II－VI族半导体荧光纳米微粒（NCs）的制备和性质研究进展，尤其对基于荧光纳米微粒的复合荧光微球的制备、性质及改进方法进行了详细的讨论，指出目前存在问题和发展方向。     

纳米有序体系的模板合成及其应用

评述了以含有高密度的纳米柱形孔道的Al₂O₃膜和有机聚合物膜为模板,制备金属、合金、氧化物、半导体和聚合物及其复合组份的一维纳米结构有序阵列的几种方法、纳米结构的性质和应用的研究进展。可用于模板合成的方法有电化学沉积法、化学镀、化学聚合、化学气相沉积和溶胶-凝胶法等。取决于孔壁和所填充材料的化学性质,所得阵列既可以是由纳米管也可以是由纳米线组成。这样的有序阵列在光学、磁学、催化及电化学等领域有着重要的应用前景。制备新型复合纳米结构有序阵列、开展纳米器件的研制是模板合成研究领域的重要方向。     

特殊形貌CdSe纳米晶的制备*

CdSe纳米晶是II-VI族半导体中研究最多的材料之一,由于其发射波长随纳米晶的尺寸而改变,从而可以覆盖从绿到红的宽光谱范围,因此CdSe纳米晶可以应用于生物标记和荧光显示等领域,各种制备CdSe纳米晶的方法也应运而生。因制备方法的不同,所得CdSe纳米晶的粒径、相结构及形貌也不同,进而影响CdSe纳米晶的性质。本文归纳了7种典型的制备一些特殊形貌的CdSe纳米晶的最新方法,并对各种方法的优缺点作了简单评价。最后,对这一领域未来的研究和发展方向作了展望。     

半导体复合纳米粒子的制备,性质及在光电转换方面的应用

介绍了半导体复合纳米粒子的制备方法,光谱性质、光电催化特性和光电化学性质以及在光电太阳能转换方面的应用。     

光电流谱、光致发光光谱和紫外可见吸收光谱在纳米半导体光电器件研究中的联用

在纳米半导体中由于纳米效应(如量子尺寸效应),其电子结构与块体半导体有所不同。进一步地,当纳米半导体与基底和其他组分结合制成器件后,其性质又受到基底或其他组分的影响,这两点导致了基于纳米半导体的光电器件的性能以及相应表征方法也大不相同。将光电流谱、光致发光光谱和紫外可见吸收光谱三种技术有机地结合起来,可以更好地表征纳米半导体的电子性质和光电性能。本文根据纳米半导体材料与电极的电子性质特点及其测量,结合本课题组前期工作,举例介绍三种谱学方法相结合应用于探究光伏电池和电致发光器件的纳米半导体材料的性能,以及纳米半导体材料表面态的表征。