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电化学“沾笔”纳米刻蚀及其他
引用本文:李彦,Maynor Ben,刘杰.电化学“沾笔”纳米刻蚀及其他[J].无机化学学报,2002,18(1):75-78.
作者姓名:李彦  Maynor Ben  刘杰
作者单位:杜克大学化学系,27708,美国,杜克大学化学系,27708,美国,杜克大学化学系,27708,美国
摘    要:本文提出了一种基于“沾笔”纳米刻蚀和电化学还原技术在表面上制备金属及半导体纳米结构的普适性方法。用这种方法可以在硅表面直接书写线宽度低于50纳米的多种金属和半导体组成的纳米结构。这种简单而有效的方法在精确控制位置和结构的功能化纳米器件制备中具有重要的潜在应用前景。

关 键 词:“沾笔”纳米刻蚀  电化学  AFM  纳米结构
修稿时间:2001年10月17

Electrochemical AFM "Dip-Pen" Nanolithography and More
LI Yan,Maynor Ben and LIU Jie.Electrochemical AFM "Dip-Pen" Nanolithography and More[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2002,18(1):75-78.
Authors:LI Yan  Maynor Ben and LIU Jie
Institution:Chemistry Department, Duke University, Durham, NC 27708, USA,Chemistry Department, Duke University, Durham, NC 27708, USA and Chemistry Department, Duke University, Durham, NC 27708, USA
Abstract:
Keywords:dip-pen lithography  electrochemical  AFM  nanopatterns
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