Dy(Fe0.8Al0.2)2单晶体的宏观量子效应

测量了Dy(Fe_0.8Al_0.2)₂单晶体在[100],[110]和[111]方向上的退磁曲线、内禀矫顽力和磁黏滞性系数随温度的变化.认为退磁曲线出现台阶和大跳跃、内禀矫顽力随温度变化存在峰值、磁黏滞性系数与温度无关等都是畴壁隧穿能垒的宏观量子效应的反映.实验上得出由经典热激活到量子隧穿的交界温度约为5.5K. 关键词：     

Sm(CobalFe0.1Cu0.1Zr0.033)6.9高温永磁合金的矫顽力

对Sm(Co_balFe_0.1Cu_0.1Zr_0.033)_6.9合金, 经810℃等温时效后以0.5℃/min逐渐冷却, 在600℃-400℃温度区间淬火, 研究了不同淬火温度下的磁滞回线、磁畴和矫顽力温度系数β. 发现时效600℃淬火后磁滞回线出现台阶状, 说明畴壁中应存在两处钉扎. 随淬火温度的降低, 合金的室温矫顽力显著增加, 磁滞回线的台阶消失. 通过磁畴形貌发现时效600℃淬火后的磁畴接近条形畴, 1:5相中Cu分布相对均匀, 形成的畴壁钉扎较弱, 从而使磁滞回线出现台阶, 决定矫顽力的畴壁钉扎位于两相界面处; 随时效淬火温度的降低, 磁畴逐渐细化, 畴壁1:5相中的畴壁能降低, 形成了较强的内禀钉扎, 并决定材料的矫顽力, 两相界面处的畴壁钉扎被掩盖. 对不同温度淬火合金的高温矫顽力研究表明, 最强的畴壁钉扎位于两相界面处时, 矫顽力随温度升高逐渐增加, 矫顽力出现温度反常现象; 最强的畴壁钉扎位于1:5相中心时, 矫顽力随温度升高逐渐衰减. 当测试温度达到500℃后不同淬火温度样品的矫顽力几乎相同, 此时最强畴壁钉扎均在两相界面处.     

[FeGd(bipy)(H_2O)_4(CN)_6]·5.69H_2O杂化氰根桥联配合物的磁性研究

合成了一个4f-3d杂化氰根桥联配合物[FeGd(bipy)(H2O)4(CN)6]·5.69H2O,运用元素分析,热重(TGA)分析,红外光谱分析,电感耦合等离子体(ICP)仪对配合物进行表征,用超导量子干涉仪对样品进行直流和交流磁性测量,获得摩尔磁化率与温度的曲线及磁化率与温度乘积随温度变化曲线,而知配合物在300K～90K之间是分子内的铁磁性互作用,90K～50K之间可能存在晶体场效应或者自旋交叉行为,50K以下主要以分子间的反铁磁相互作用为主。     

CdSe/ZnSe自组装量子点中非线性系数随着温度的规律性变化(英文)

研究了在CdSe/ZnSe自组装量子点中CdSe量子点的发光随着激发光强度变化的特性。发现当激发强度(I)变化3个数量级的时候,量子点发光的峰位、峰形都没有发生明显的变化。通过公式L∝Ik(其中I是激发光强度,L是量子点发光强度,k是非线性系数)得到非线性系数k值。实验结果表明:在温度由21 K升高到300 K的过程中,k值随温度变化可以分为3个区域:当温度低于120 K时,k值接近于1;然后,随着温度升高,k值慢慢变小;最后,随温度进一步升高,k值由200 K时的0.946迅速减少到0.870。结合发光随温度变化的实验结果,确认在120 K以下发光主要来源于束缚激子复合。在温度由200 K升高到300 K的过程中,非线性系数的单调减小主要归因于随着温度的升高,发光部分来自于由自由电子或空穴到束缚态能级(FB)的复合。进一步通过分析量子点发光的积分强度随着温度的变化的实验结果,发现发光强度随温度升高而减弱的主要原因是材料中的缺陷或者位错等提供非辐射渠道。     

非简谐振动对石墨烯量子电容和热稳定性的影响

采用固体物理理论和方法,研究了单层石墨烯的量子电容和它的温度稳定性随温度和电压的变化规律,探讨原子非简谐振动对它的影响.结果表明:(1)当电压一定时,单层石墨烯的量子电容和温度稳定性系数均随温度升高发生非线性变化,电压小于2.3 V时,量子电容随温度升高而增大,温度稳定性系数随温度升高由缓慢变化到很快增大,电压高于2.3 V时,量子电容随温度升高先增大后减小,而其温度稳定性系数随温度升高由缓慢变化到很快减小.温度一定时,量子电容只在电压值为0.4～2.8 V范围内才变化较小,而电压值大于2.8 V时,量子电容迅速减小并趋于0;(2)与简谐近似相比,非简谐项会使石墨烯量子电容有所增大,且温度愈高,两者的差愈大,非简谐效应愈显著,温度为300 K时,非简谐的量子电容要比简谐近似的值大0.33%,而温度为1 000 K时,差值增大到1.47%;(3)电压在1.5～1.8 V之间,而温度低于800 K时,石墨烯量子电容的温度稳定性系数最小且不随温度而变,储能性能的温度稳定性最好;(4)非简谐项会使它的量子电容热稳定性系数比简谐近似的值增大,且增大的情况与温度有关,当温度为400 K时量子电容热...     

取向烧结Nd-Fe-B永磁合金反磁化过程及矫顽力机理研究

本文对取向烧结Nd-Fe-B合金沿取向易轴饱和磁化后的反磁化过程分四个阶段进行了理论研究。结果表明,主相晶粒表面软磁性区成核及从表面向晶粒内部不可逆畴壁位移对Nd-Fe-B合金的矫顽力起决定性作用。矫顽力随温度升高而急速下降主要是由于热运动破坏了主相四方结构的完整性,从而使软磁性过渡区变厚所致。 关键词：     

钙钛矿锰氧化物La_(1.3-x)Dy_xSr_(1.7)Mn_2O_7(x=0.025)的磁性和电性研究

采用固相反应法制备双层钙钛矿La_(1.3-x)Dy_xSr_(1.7)Mn_2O_7(x=0.025)多晶样品,通过测量样品的磁化强度与温度变化曲线(M-T)、不同磁场下的磁化率乘温度与温度的变化曲线(χT-T)以及不同温度下磁化强度与外加磁场的变化曲线(M-H)对样品的磁性进行了研究.结果表明,样品的三维磁有序温度(T=350K)对应铁磁团簇的居里温度.FM-AFM转变温度(T=208K),出现了相分离,样品在低温部分出现了团簇玻璃行为.从磁化率随温度的变化图和磁化强度随温度的变化图中可以明显看出,在100K~TN(奈尔温度)之间,样品磁化率和磁化强度随温度降低而减小,因此FM减弱,AFM增强。在不同磁场下,TN以下(100K~TN)的χT值随温度的降低而减小,χT值在TN以上(208K~380K)随温度的降低而增加.通过对样品的电性分析发现,样品在0T与1T时的电阻率随温度的变化曲线(ρ-T),随温度的降低,无论是否施加外场,样品的电阻率都出现了一个峰值,这表明样品存在金属绝缘转变,不同的是施加外场后(1T),样品的电阻率降低.对该样品高温部分的ρ-T曲线进行拟合后发现,样品在高温部分的导电方式遵循热激活模型的导电方式.     

Nd28Fe66B6/Fe50Co50双层纳米复合膜的结构和磁性

利用磁控溅射法制备了Nd28F66B6/Fe50Co50双层纳米复合磁性薄膜,研究了其结构和磁性.经873K退火处理15min后,利用x射线衍射仪测定薄膜晶体结构,采用俄歇电子能谱仪估算薄膜厚度和超导量子干涉仪测量其磁性.磁性测量表明,1)该系列薄膜具有垂直于膜面的磁各向异性.从起始磁化曲线和小回线的形状特征可知,矫顽力机制主要是由畴壁钉扎控制.2)对于固定厚度(10nm)层的硬磁相Nd-Fe-B和不同厚度(dFeCo=1-100nm)层软磁相FeCo双层纳米复合膜,剩磁随软磁相FeCo厚度的增加快速增加,而矫顽力则减少.当dFeCo=5nm时,最大磁能积达到160×103A/m.磁滞回线的单一硬磁相特征说明,硬磁相Nd-Fe-B层和软磁相FeCo层之间的相互作用使两相很好地耦合在一起.剩磁和磁能积的提高是由于两相磁性交换耦合所致.     

钙钛矿锰氧化物La_(1.3-x)Dy_xSr_(1.7)Mn_2O_7(x=0.025)的磁性和电性研究北大核心CSCD

采用固相反应法制备双层钙钛矿La_(1.3-x)Dy_xSr_(1.7)Mn_2O_7(x=0.025)多晶样品,通过测量样品的磁化强度与温度变化曲线(M-T)、不同磁场下的磁化率乘温度与温度的变化曲线(χT-T)以及不同温度下磁化强度与外加磁场的变化曲线(M-H)对样品的磁性进行了研究.结果表明,样品的三维磁有序温度(T=350K)对应铁磁团簇的居里温度.FM-AFM转变温度(T=208K),出现了相分离,样品在低温部分出现了团簇玻璃行为.从磁化率随温度的变化图和磁化强度随温度的变化图中可以明显看出,在100K^TN(奈尔温度)之间,样品磁化率和磁化强度随温度降低而减小,因此FM减弱,AFM增强。在不同磁场下,TN以下(100K^TN)的χT值随温度的降低而减小,χT值在TN以上(208K^380K)随温度的降低而增加.通过对样品的电性分析发现,样品在0T与1T时的电阻率随温度的变化曲线(ρ-T),随温度的降低,无论是否施加外场,样品的电阻率都出现了一个峰值,这表明样品存在金属绝缘转变,不同的是施加外场后(1T),样品的电阻率降低.对该样品高温部分的ρ-T曲线进行拟合后发现,样品在高温部分的导电方式遵循热激活模型的导电方式.     

Sm_2(TM)_17合金的磁性(自旋再取向相变)研究

本文研究了Sm_2(FeNiCoM)_(17)合金(M为非磁性组元)的磁性。样品由六角结构无序型的2∶17主相及少量FeNi合金杂相组成。在六角结构的e轴方向(易磁化方向)观察到下述异常现象:低温(273K以下)时的磁化及反磁化曲线发生明显的跃变,跃变时相应的磁场H_r随温度下降而增大;磁滞迴线是蜂腰型的,温度愈低蜂腰愈明显;升温时磁化强度随温度变化(1.5K至居里点T_C)的曲线上出现极大值,其相应的温度T_t随磁场增大而降低;降温时观察到了热磁滞后现象。但在基面(难磁化方向)上及Co含量增多(>18at％)时,样品却表现了正常的铁磁行为。本文提出用磁矩非共线结构排列的自旋再取向相变来解释上述异常现象,并给出自旋倒向所需越过的能垒高度U=9.2×10~(-15)erg,用设想磁结构的模型得到的磁化强度的计算值与实验值也符合得较好。     

MnFeP_(0.45)As_(0.55)材料中的相变研究

利用不同的测量方法,研究了MnFeP1-xAsx(0·32相似文献   

Fe离子注入ZnO生成超顺磁纳米颗粒

过渡族元素掺杂ZnO生成稀磁半导体, 成为近期国际材料科学研究的热点. 在本文中, 研究Fe离子注入ZnO单晶的结构和磁性变化, 目标是建立磁性和结构的对应关系, 澄清铁磁性的来源. 采用卢瑟福背散射/沟道技术 (RBS/Channelling)、同步辐射X射线衍射 (SR-XRD)和超导量子干涉仪 (SQUID), 研究注入温度和退火对样品的晶格损伤、结构及磁性的影响. 研究表明: 样品注入区损伤随注入温度升高而降低; 低温253 K注入样品中, SR-XRD未检测到新相, Fe离子分布于Zn位, ZnO (0002) 峰右侧肩峰可能属于Zn_1-xFe_xO, 5 K下测试样品不具有铁磁性; 623 K注入和823 K真空退火 (253 K注入) 样品中形成α和γ相金属Fe, 5 K下样品具有明显的剩磁和矫顽力, 零场冷却和场冷却 (ZFC/FC) 曲线和300 K下的磁滞回线显示纳米Fe颗粒具有超顺磁性. Fe离子注入ZnO的磁性源于第二相α-Fe和γ-Fe. 关键词： 离子注入 ZnO 同步辐射X射线衍射 超顺磁性     

磁共振法研究(Fe1-xCox)84Zr3.5Nb3.5B8Cu1纳米晶薄带的磁各向异性

铁磁共振(FMR)实验研究(Fe1-xCox)84Zr3.5 Nb3.5B8Cu1(x=0.0,0.2,0.4,0.6, 0.8)合金薄带的各向异性,易轴在薄带的横向方向,同等宽度样品的各向异性常数K′随Co掺杂量的增加而减小, K′值在4.67×10-5 J/m(x=0.0)到2.54×10-5 J/m4(x=0.8)之间.由于磁化率的虚部χ″(H)随磁场强度H非线性变化,在低场(0-12 mT)有一个与FMR信号强度相当的低场非共振信号.特别是对Fe84Zr3.5 Nb3.5B8Cu1合金薄带的磁化,在可逆磁化(0-2.0 mT)和趋近饱和磁化(9.0-12 mT)区域, dχ″/dH=0;不可逆畴壁移动过程中,交流磁化率虚部χ″(H)与磁场强度的n次方即Hn(n≥3)有关;在磁畴转动过程中χ″(H)正比于H2(瑞利区),(dχ″)/(dH)为常数;而且发现,有不可逆畴壁移动-磁畴转动三段交替变化的过程,此过程对应三种磁畴的消失过程.     

Nd2(Fe1-xMnx)14B的低温内禀矫顽力

当x<0.5时,Nd₂(Fe_1-xMn_x)₁₄B可形成四方晶体结构,空间群为P4₂/mnm。在低温下,该赝三元化合物的大块铸态样品具有高矫顽力。此矫顽力不依赖于热处理等工艺过程,因此具有内禀性质。内禀矫顽力 _iH_c与样品的成分有关。Nd₂(Fe_1-xMn_x)₁₄B的起始磁化曲线具有传播场H_p,并且H_p的数值与 _iH_c接近。这表明内禀矫顽力是由畴壁钉扎造成的。研究了 _iH_c与温度的变化关系,并估算了钉扎位垒的强度。测量了Nd₂(Fe_1-xMn_x)₁₄B的居里温度和饱和磁化强度。在此赝三元化合物中,交换作用随Mn对Fe的替换而急剧降低。这使得畴壁厚度变窄。Nd₂(Fe_1-xMn_x)₁₄B的磁化和反磁化行为可用窄畴壁的特征来解释。 关键词：     

纳米晶永磁中面缺陷对畴壁钉扎机理的研究

畴壁钉扎模型的矫顽力可以表示为Hc=αpink2K1/μ0Ms-NeffMs，计算了微结构参数αpink随面缺陷内磁性参数A′和K′1的变化情况.结果表明，αpink可以在很宽的范围里取值.结合纳米单相Nd2Fe14B磁体，研究了晶粒边界的磁性参数和晶界厚度对αpink的影响，当A′/A=05，K′1/K1=01，以及晶界厚度r0＝332nm时，αpink最大.同时研究了纳米复相Nd2Fe14B/α-Fe磁体的αpink随α-Fe晶粒尺寸r0的变化情况，当r0＝7nm时，αpink最大. 关键词： 面缺陷 矫顽力 钉扎机理 纳米晶     

非简并p型Hg1-xMnxTe单晶(x>0.17)的负磁电阻机理研究

研究磁性半导体中负磁电阻产生机理对正确理解载流子与磁性离子间的sp-d磁交换作用 是非常重要的.通过变温(10---300 K)磁输运和变温(5---300 K)磁化率实验研究了一系列不同Mn含量 非简并p型Hg_1-xMn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻和顺磁增强效应. 实验结果表明其负磁电阻与温度的关系和磁化率与温度的关系基本一致, 两者都包含一个呈指数型变化的温度函数exp(-K/T).根据磁性半导体的杂质能级理论, 非简并p型Hg_1-xMn_xTe单晶在低磁场范围内出现负磁电阻效应的主要物理机理 为外磁场的磁化效应使得受主杂质或受主型束缚磁极化子的有效电离能减小.     

邮票上的物理学史(70)--低温物理学

低温物理学中所谓的低温,指的是能量可以和零点能相比的温度. 零点能是一个纯粹量子力学概念. 温度越低,原子或分子的运动越慢,其动能小到可以与零点能相比,这就使其量子特性充分显示出来. 低温下突出的物理现象中超导电性(超导)和超流动性(超流)都属于宏观量子效应.     

Mo掺杂La_(0.7)Ca_(0.2)Ba_(0.1)Mn_(1-x)Mo_xO_3体系的磁电性质

本文采用固相反应法制备了高价态离子Mo掺杂的La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xMoxO3(x=0,0.01,…,0.06)多晶样品,研究了Mo掺杂对样品的结构、磁性和磁电阻的影响.X射线衍射谱证实所有样品均为具有正交对称性的钙钛矿结构.零场冷却(ZFC)和加场冷却(FCH=0.01T)下其磁化～温度(M～T)曲线的测量表明样品随温度降低发生了从顺磁(PM)到铁磁(FM)的相变,T相似文献   

InGaAsN量子阱的光致发光谱研究(英文)

我们测量了低N组分的InGaAsN/InGaAs/GaAs量子阱材料的光致发光(PL)谱,测量温度范围从13K到300K。实验结果显示,InGaAsN的PL谱的主峰值的能量位置随温度的变化呈现出反常的S型温度依赖关系。用Varshni经验公式对实验数据进行拟合之后,发现在低温下InGaAsN量子阱中的载流子是处于局域态的。此外,我们还测量了样品在不同的温度、不同的能量位置的瞬态谱,结果进一步证实了:在低温下,InGaAsN的PL谱谱峰主要是局域态激子的复合发光占据主导地位,而且InGaAsN中的载流子局域态主要是由N等电子缺陷造成的涨落势引起的。     

高温超导体中磁通涡旋的量子隧道效应——TlBaCaCuO化合物磁弛豫的实验研究

本文报道了ＴｌＢａＣａＣｕＯ超导体（２２１２,２２２３单相,多晶及薄膜材料）中磁弛豫现象的实验结果。从实验上证实了通量运动由热激活到非热激活机制的转变。实验中得到的与温度无关的磁弛豫速率与由通量运动量子隧道效应理论计算结果相一致。同时讨论了各向异性和磁场对磁通的量子漂移速率的影响