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GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
用金属有机化合物气相外延(MOVEP)方法生长具有不同表面形貌的非掺杂GaN,并对部分样品的外延层表面进行镜面加工.用阴极射线发光、光散射和拉曼散射方法观察GaN中深能级发光、缺陷散射光分布和拉曼散射光频移.结果表明,缺陷不但影响GaN的发光和光散射,而且影响拉曼频移 相似文献
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高质量GaN外延薄膜的生长 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了高质量GaN外延薄膜的生长研究工作的最新重要进展.主要采用的新工艺为:在较低温度下生长GaN缓冲层后再高温生长GaN外延薄膜,双气流金属有机化合物气相沉积(MOCVD),以及用开有窗口的SiO2膜截断穿过位错后横向覆盖外延生长(epitaxialylateralovergrowth).X射线衍射和高分辨电镜研究证实,上述工艺使GaN外延薄膜质量得到显著提高.利用这种薄膜研制成的蓝色激光管即将投放市场. 相似文献
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新型蓝光衬底材料LiAlO_2晶体的生长和缺陷分析 总被引:3,自引:0,他引:3
LiAlO2和GaN的晶格失配率只有1.4%,是一种很有希望的GaN外延生长衬底材料。本文利用温度梯度法生长出了透明的LiAlO2单晶,并通过化学浸蚀、光学显微镜、透射电子显微镜、同步辐射X射线貌相术对晶体中的缺陷进行了检测。结果表明:LiAlO2在钼坩埚中无籽晶自由凝固结晶时,是沿(100)方向生长。用温度梯度法生长的LiAlO2晶体质量良好,晶体中无气泡和包裹物。在LiAlO2(100)晶面上测得的位错密度为(3.8~6.0)×104cm-2,晶体中的主要缺陷为亚晶界或镶嵌结构,可能是由于温场不稳定、生长速率太快造成的。 相似文献
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新型蓝光衬底材料LiAlO2晶体的生长的缺陷分析 总被引:2,自引:2,他引:0
LiAlO2和GaN的晶格失配率只有1.4%,是一种很有希望的GaN外延生长衬底材料。本文利用温度梯度法生长出透明的LiAlO2单晶,并通过化学浸蚀、光学显微镜、透射电子显微镜、同步辐射X射线貌相术对晶体中的缺陷进行了检测。结果表明:LiAlO2在钼坩埚中无籽晶自由凝固结日地,是沿(100)方向生长。用温度梯度法生长的AiAlO2晶体质量良好,晶体中无气泡和包裹物,在LiAlO2(100)方向晶面 相似文献
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研制了不同厚度的直径为5-15μm的GaN光学微盘,并 学微盘的显微荧光图像进行了细致观测和数据值采集。结果表明,在同一个GaN外延样品上由于厚度的差别,微盘呈现两种不同类型的荧光图像, 相似文献
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分子束外延高Mg掺杂GaN的发光特性 总被引:2,自引:0,他引:2
采用分子束外延技术在蓝宝石衬底上制备Mg掺杂的立方相p-GaN,并对其不同温度下的光致发光光谱进行了研究.实验观察到高Mg掺杂GaN中施主受主对发光的反常温度行为.理论分析表明,高Mg掺杂GaN中施主受主对的发光受到陷阱与受主间竞争俘获非平衡空穴过程和空穴隧穿输运过程的影响. 相似文献
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研究快讯直立在金膜表面的单壁碳纳米管的研究(薛增泉等);磁性隧道结Ni80Fe20/Al2O3/Co的制备和物性(陈等).评 述介电极化新概念———边界屏蔽理论(李景德等).知识和进展近场光学显微镜下的生物世界(沈玉民等);金属有机化合物气相外延生长GaN薄膜的电子显微结构研究(程立森等);GaN紫外光探测器(张德恒等);分子整流器的共振隧道效应(周淑琴等);具有共轭结构的导电聚合物及其应用(闻荻江等).物理学和高新技术空间光调制器物理和大屏幕投影电视产业(宋菲君);核医学的发展及其与相关学… 相似文献