用范德保法测量碳化硅的电阻率和霍耳效应

应用范德保法测量了电阻率在10^-3—10²欧姆·厘米范围的n型和p型碳化硅单晶和外延层的电学性质。进行了测定条件的选择,范德保法与普通法的对照等试验。发现接触电阻的大小和稳定程度对测量结果有极大的影响。在铟、紫铜、锡、磷铜等机械接触中,铟电极具有最低的接触电阻,其他电极须经电冶成方能进行测定。在不同的电极材料和样品电流下,电阻率偏离约2%,指出,样品电流应当根据具体样品的电阻率和接触电阻加以选择。与普通法比较,范德保法精确度高,数据重复性好。测量了自室温至1000°K范围内碳化硅单晶的高温电学性质,求得氮施主的电离能为0.056电子伏。讨论了引起实验误差的一些异常现象及其产生原因。     

不同吊环组合对液体表面张力系数测量的影响

使用FD-NST-Ⅰ型液体表面张力系数测定仪,通过更换细铜丝加大吊环、细铜丝加小吊环、细棉线加大吊环、细棉线加小吊环四种组合的吊环测量了不同温度下纯净水和95%酒精的表面张力系数。由实验结果分析得到在使用细棉线加大吊环组合时,表面张力系数的测量结果相对于其他三种组合有最小的百分误差。     

双臂电桥测量接触电阻的研究

介绍了双臂电桥测量低值电阻的理论,通过改变QJ44型双臂电桥连接法测量金属棒的电阻率及引线电阻和接线头的接触电阻.实验表明:电阻率的测量结果与引线电阻和接触电阻无关,从实验上说明了双臂电桥要四端接线的必要性.     

金属电阻率测量实验的设计与研究

设计了测量金属在不同温度下的电阻率的实验装置,对低温恒温器内的样品进行测量,通过加热装置改变样品温度,获得了铝合金样品和稀土铝合金样品的电阻率随温度的变化曲线.该实验综合了低温、真空、补偿等多方面的物理概念,补充了现行大学物理实验教材中低电阻测定实验的不足.     

电学黑箱实验

介绍了电阻、 电容器、 二极管等电学原件的特点、 各情况下电路的测量原理以及电学黑箱中电子元件或 电路情况的判断方法. 提出了用万用表测量三角形黑箱和直线型黑箱的实验方法     

开尔文电桥测电阻及用Visual Basic处理测量数据

用开尔文电桥测量金属棒的电阻率时,电阻率的不确定度是由测量金属棒直径、长度和电阻的不确定度来决定。为了又快又准确地处理实验的测量数据,设计编制了Visual Basic程序,从而方便快捷的计算出金属棒电阻率的不确定度。     

微小尺度下自然对流换热特性实验研究

采用直接电加热法对平均为101 μm、403μm及801μm的铜丝进行加热,使用高精度电阻仪测量电加热前及电加热后的铜丝的电阻值,根据温度与金属电阻之间的关系能够相当精确的测量整个铜丝电加热后的平均温度值。电加热时的电压及电流也同时被测量。实验结果表明,在自然对流条件下,实验得到的努谢尔特数与经典的准则关联式得到的努谢尔特数随着外径的减小,其偏差越来越大,最大偏差超过50％。     

氧氩比对SnO2/Ag/SnO2透明导电膜光电性能的影响

在室温及不同的氧氩比条件下,采用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层,在载玻片衬底上制备出了SnO2/Ag/SnO2多层薄膜.用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外-可见-近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质.实验结果表明:当氧氩比为1:14时,所制得的薄膜的光电性质优良指数最大,为1.69×10-2 Ω-1;此时,薄膜的电阻率为9.8×10-5Ω·cm,方电阻为9.68Ω/sq,在400～800 nm可见光区的平均光学透射率达85％;并且,在氧氩比为1:14时,利用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层在PET柔性衬底上制备出了光电性质优良的柔性透明导电膜,其在可见光区的平均光学透过率达85％以上,电阻率为1.22×10-4Ωcm,方电阻为12.05Ω/sq.     

高压下ZnSe直流和交流电学性质的研究

采用高压原位测量技术在0–35 GPa压力范围内对ZnSe直流和交流电学性质进行了研究. 通过分析直流电学测量结果可知,在实验压力区间内ZnSe经历了由纤锌矿转变为朱砂相再转变为岩盐相的两次相结构转变. 分析温度与材料电阻率的变化关系表明ZnSe在高压下的相变为金属化相变,并通过交流阻抗谱的测量实验证实了这个结论. 进一步比较低压条件下晶粒和晶界电阻的变化,表明朱砂相结构的ZnSe更接近各向同性材料. 关键词： 高压 ZnSe 电学     

谈多用电表欧姆挡的内部结构

欧姆表测电阻较之伏安法测电阻更快捷、简便，用多用电表欧姆挡来测量电阻、探测电学黑箱是高考中的重要实验．新课标人教版高中物理不仅要求学生会用欧姆表测电阻，而且介绍了欧姆表的简单电路（图1）和设计原理．     

不同方法测量铜薄膜厚度的比较

利用磁致溅射方法在玻璃基片上沉积不同厚度的铜膜。利用台阶仪、反射光谱法、四探针电阻法分别测量铜薄膜的形状膜厚、光学膜厚、电阻膜厚。总结了三种方法的测量精度、测量范围和局限性。     

多用电表欧姆挡内部结构的探究

欧姆表测电阻较之于伏安法测电阻更快捷、简便．用多用电表欧姆挡来测量电阻、探测电学黑箱是高考中的重要实验．新课标高中物理人教版选修3—1中不仅要求学生会用欧姆表测电阻，而且介绍了欧姆表的简单电路（图1）和设计原理．     

基础实验试题B:直流电路的研究

介绍了第7届全国大学生物理实验竞赛基础实验试题B的实验内容,给出了参考解答,并分析了竞赛结果.基础实验试题B为直流电路的研究,试题包含电阻的测量、二极管的伏安特性曲线、直流单臂电桥、直流电源的输出特性和电学黑盒子等实验内容.试题在常规实验的基础上,进行了综合、扩展以及提升,比较全面地考查了考生的电学基础知识、实验操作水...     

2006年高考电学实验的考查特点及趋势

2006年高考中对实验的考查仍然以电学为主，力学为辅．总体上说，电学实验又以电阻的测量为主线，围绕测量电源的电动势和内阻以及小灯泡的伏安特性曲线为主要的测量而设计题目．通过三种方式考查考生对电阻测量的认识：首先，也是最主要的，能够从题目给出实验原理中选取合理的，并采取合理的实验步骤来实施测量；其次，像往年一样，能够结合题中实验器材设计出合理的实验原理；最后，使用多用电表测量电阻，如重庆和天津卷考题．分析全国卷和各自主命题省份的考卷，2006年电学实验又呈现下面的四个特点．     

电桥法测金属电阻率的实验数据处理分析

用双臂电桥法测量了金属铜电阻随长度的变化,应用matlab软件处理实验数据得出了金属铜的电阻率,且给出了相对不确定度,为更好地开发大学物理实验数据处理系统打下基础。     

金属薄膜电阻特性与厚度测量

考察不同沉积时间的金属铝与铜的薄膜的沉积态,电阻变化与厚度,厚度测量采用实验室光学干涉和透过率对比方法.金相显微与铝铜电阻变化的测量表明,不连续薄膜与连续过渡之间,电阻显著变化处不同.铝膜电阻随时间变化过程开始时存在波动状态.     

测量电阻率时金属棒的长度的取法

测量电阻率时金属棒的长度的取法吴集泉，吴国进，吕振洪（青岛海洋大学２６６００）用凯尔文电桥测量金属棒的电阻率，常见的物理实验讲义是取一定长度，多次测量统计平均取得结果的７由于金属棒是低值电阻，接触端是有一定宽度的金属环、片（见图１），测量长度时的首尾...     

高压下六方TaSi_2晶体基于结构稳定性的电学输运性质（英文）

作为一类稳定的低电阻及高温材料,二硅化钽(TaSi_2)被广泛应用于集成电路中。因此,其电学稳定性和结构稳定性同样重要。报导了高压下六方TaSi_2晶体基于结构稳定性的电学输运性质。通过同步辐射X射线衍射和拉曼光谱实验研究了TaSi_2晶体在压力高达20GPa时稳定的结晶学结构,并通过原位高压电阻测量发现,当压力增加到16.3GPa时,TaSi_2的电阻率趋于稳定在2μΩ·cm左右;进一步理论计算了压力下TaSi_2的电子结构,以进一步理解其金属性行为。     

电桥法测金属电阻率的实验数据处理分析简

用双臂电桥法测量了金属铜电阻随长度的变化,应用matlab软件处理实验数据得出了金属铜的电阻率,且给出了相对不确定度,为更好地开发大学物理实验数据处理系统打下基础。     

动态E实验中细铜丝悬线的分析探讨

以求铜棒的动态杨氏模量的传统实验方法为基础,改变实验中悬丝的材质,使用轻质细铜丝作为悬线,研究在新悬线吊挂下试样粗铜棒和试样细铜棒在不同悬挂位置对应的共振频率,用求平均值的方法求出节点处的共振频率,并求出铜棒的杨氏模量,误差较小,验证了使用细铜丝悬线这种实验方法的可行性。