质子交换MgO:LiNbO3波导的双层结构

本文报导MgO:LiN_bO₃质子交换波导X射线双晶衍射和红外吸收的实验结果。这些结果表明质子交换波导由浅表面层和深表面层构成。浅表面层是一个连续应变层,有着大量随机排列的O—H—O形式的缔合OH^-基团。深表面层是一个均匀应变层,其内H⁺以自由OH^-基团形式出现。质子交换波导折射串不稳定性与双层结构中的结构驰豫密切相关。通过对质子交换过程的分析,提出两条避免双层结构的途径,其一为降低交换剂中的H⁺浓度,另一条是采用有限源工艺。     

碳化硅多型体连生现象的X射线研究

本工作用劳埃法对分布于三十二炉的四百多个碳化硅单晶进行了类型分布、连生规律和结构完整性等的分析。大量的观察表明,碳化硅片状晶体中的共轴平行连生是一种普遍的现象,二种以上类型的连生占晶体总数的三分之二。文中列出了各种连生类型的统计。系统地报导了SiC晶体连生状况的X射线法实验结果。对各炉晶体所作的类型分布的分析表明,不同的制备条件下影响较大的是颜色和结构完整度。类型分布的规律性并不明显,邻近的晶体类型可以完全相异。用实验数据分析了类型、颜色和蚀坑间的关系。对碳化硅多型体产生的机理作了讨论。     

用范德保法测量碳化硅的电阻率和霍耳效应

应用范德保法测量了电阻率在10^-3—10²欧姆·厘米范围的n型和p型碳化硅单晶和外延层的电学性质。进行了测定条件的选择,范德保法与普通法的对照等试验。发现接触电阻的大小和稳定程度对测量结果有极大的影响。在铟、紫铜、锡、磷铜等机械接触中,铟电极具有最低的接触电阻,其他电极须经电冶成方能进行测定。在不同的电极材料和样品电流下,电阻率偏离约2%,指出,样品电流应当根据具体样品的电阻率和接触电阻加以选择。与普通法比较,范德保法精确度高,数据重复性好。测量了自室温至1000°K范围内碳化硅单晶的高温电学性质,求得氮施主的电离能为0.056电子伏。讨论了引起实验误差的一些异常现象及其产生原因。     

用电发光法测量碳化硅少数载流子寿命的若干问题

本文介绍一种测量碳化硅半导体少数载流子寿命的方法,叙述有关的原理和测试设备,并就对测试结果有极大影响的谐振干扰、点接触的电学性质和电发光特性等问题进行了试验。提出了若干可以避兔谐振干扰、防止触点旁路并控制整流比的有效措施。推荐采用焊铟方法制备低阻接触。指出,为了保证实验结果的可靠性,测试前必须了解样品的发光特性。采用这种方法测定了若干碳化硅单晶的少数载流子寿命,测得值一般低于4.2×10^-9秒。