双奇核172Re的高自旋

对149Sm(27Al, 4n)172Re反应产生的172Re在束γ的实验数据进行了重新分析, 新发现了可归属于172Re的3个转动带, 由此建立了由6个转动带构成的172Re高自旋态能级纲图。依据相邻核的带结构知识和推转壳模型分析方法, 对新发现的3个转动带的准粒子组态进行了指定, 讨论了它们的转动特征。We have re analyzed the experimental data of in beam γ spectroscopy for 172Re via the 149Sm(27Al, 4n)172Re reaction. Three rotational bands have been newly found and assigned to 172Re. A new level scheme of 172Re, consisting of 6 bands, is thus presented. Based on the existing knowlegde from the neighboring nuclei and the cranked shell model, the quasiparticle configurtions have been assigned to the 3 newly observed bands and their structure properties have been dicussed.     

双奇核172Re高自旋态实验研究

利用149Sm(27Al,4nγ)172Re反应布居了形变双奇核172Re的高自旋态,用12套带有BGO反康普顿抑制的高纯锗探测器阵列进行了在束γ实验测量,首次建立了172Re由3个转动带构成的高自旋态能级纲图.研究和讨论了3个转动带的结构特征,基于已有的高自旋态核结构知识并通过系统学比较和分析指出它们的准粒子组态分别为πh11/2 νi13/2,πh9/2 νi13/2和 π1/2-[541] ν1/2-[521].发现前两个转动带在自旋小于18时其转动能级呈现反常的旋称劈裂.High-spin states in the odd-odd~(172)Re have been investigated via the~(149)Sm(~(27)Al, 4nγ)~(172)Re reaction through excitation functions, X-γ and γ-γ coincidence measurements. A level scheme consisting of three rotational bands have been identified for the first time extending the high-spin studies of A≈160 odd-odd nuclei to the currently lightest rhenium isotope. The three bands have been assigned to be built on the πh_(11/2) νi_(13/2), πh_(9/2) νi_(13/2 ) and π1/2~-\ν1/2~-\ configurations ...     

双奇核172Re高自旋态转动带结构实验研究

利用重离子熔合蒸发反应¹⁴⁹Sm(²⁷Al,4nγ)¹⁷²Re布居了形变双奇核¹⁷²Re的高自旋态,用12套带有BGO反康普顿抑制的高纯锗探测器阵列进行了在束γ实验测量,首次建立了形变双奇核¹⁷²Re由3个转动带构成的高自旋态能级纲图.研究和讨论了3个转动带的结构特征,基于已有的高自旋态核结构知识并通过系统学比较和分析指出它们的准粒子组态分别为πh_11/2⊙νi_13/2,πh_9/2⊙νi_13/2和π1/2^－[541]⊙ν1/2^－[521].发现前两个转动带在自旋小于18.5h时其转动能级呈现反常的旋称劈裂.     

169Re的转动带结构研究

利用在束γ谱学方法,通过反应¹⁴⁴Sm(²⁸Si,1p3n)¹⁶⁹Re研究了¹⁶⁹Re的激发态能级结构.实验进行了X-γ符合、γ-γ符合、DCO系数和带内B(M1)/B(E2)比率测量.基于这些测量,建立了组态为π9/2^－[514]的强耦合带和组态为π1/2^－[541]的退耦合带.通过比较¹⁶⁹Re的转动带与邻近奇质子核已知转动带的结构和B(M1)/B(E2)比率,指定了¹⁶⁹Re转动带的组态.实验观测到π9/2^－[514]和π1/2^－[541]转动带的中子AB带交叉的转动频率分别为0.23和0.27MeV.着重讨论了¹⁶⁹Re转动带的中子AB带交叉频率、转动角动量顺排和旋称劈列等,并讨论了奇ARe核转动带结构的系统性     

NO2分子519～524 nm区的激光诱导荧光激发谱

实验测定了室温下NO2分子在519～524nm区域的高分辨激光诱导荧光激发谱,标识了25个振动带,并作了转动分析,确定了这些带的带源、转动常数以及旋-转偶合常数等分子常数,其中有8个振动带是新发现的,对振动带的转动结构分析表明,所有得到转动标识的谱线均属于平行跃迁2B2-2A1,其中上振动能级具有B2对称类是由于电子激发态2B2与电子基态的振动能级之间的强烈相互作用所致。     

双奇核170Re高自旋态实验研究

在166MeV的束流能量下,利用重离子熔合蒸发反应142Nd(32S, 1p3nγ) 170Re布居了170Re的高自旋激发态. 用12套带BGO反康普顿抑制的高纯锗探测器阵列进行了在束X-γ和γ-γ符合测量. 基于对实验测量结果及周围邻近核已知信息的综合分析,首次建立了双奇核170Re的转动带能级纲图. 根据实验提取出的准粒子顺排、旋称劈裂等结构特征和Re双奇核同位素带结构系统学知识的比较分析,指出该带的准粒子组态是πh11/2(○×)υi13/2.     

双奇核~(170)Re高自旋转动带分析(英文)

通过重离子熔合蒸发反应142Nd(32S,1p3nγ)170Re布居了缺中子双奇核170Re的高自旋激发态,识别出了该核的一条转动带并建议了其组态为πh1/2 νi13/2。基于对同中子素能级系统性、旋称反转系统性、带内B(M1)/B(E2)、准粒子Routhians、动力学转动惯量和Total Routhian Surface(TRS)等带结构特征的详细分析和讨论,进一步确认了对A=170核区目前最缺中子双奇核高自旋转动带组态、宇称和自旋值的指定。     

双奇核170Re中πh11/2⊙νi13/2带的实验观测及其系统学分析

通过束流能量为166MeV的重离子熔合蒸发反应¹⁴²Nd(³²S,1p3nγ)¹⁷⁰Re, 用在束γ谱学方法研究了¹⁷⁰Re的高自旋激发态, 首次观测到了双奇核¹⁷⁰Re的转动带能级纲图. 应用推转壳模型的基本理论, 进行了简要讨论. 在系统学上发现该转动带与A=170核区双奇核中πh_11/2⊙νi_13/2组态带的旋称劈裂特征及规律相符.     

奇奇核168Lu高自旋态及三轴超形变带的研究

采用TRS方法对¹⁶⁸Lu新发现的4条转动带进行了理论计算,证实了在实验上观测到的一条三轴超形变带,并得到其形变参数值.本工作还对准粒子能量随角频率的变化进行了研究,对实验结果给出了合理解释,说明了为什么实验上很难找到第四条转动带的旋称伙伴带     

98Sr两准粒子带研究

通过对²⁵²Cf的自发裂变产生的瞬发γ谱的分析, 对丰中子核⁹⁸Sr的集体转动带进行了研究. 扩展了建立在1838keV能级上的K=3的转动带. 新发现了一个建立在2535keV能级上的K=6的转动带. 通过分析, 这两个带的带头组态都是ν_9/2[404]⊙ν_3/2[411], 分别满足关系Ω= |Ω₁－Ω₂|和Ω= |Ω₁+Ω₂|. 用延迟符合方法测量, 我们得到K=3和K=6的两个带的半衰期分别是13±3ns和4.5±1.0ns.     

超声射流冷却S2自由基激光诱导荧光激发谱

在超声射流条件下.采用SF6/Ar(～10%)混合气束脉冲直流放电方法产生S2自由基,观测了32S2自由基在30000～35500 cm-1波段的激光诱导荧光激发谱.通过对所观测到的40多个振动谱带的归属,确定其中28个谱带为s2自由基B3∑μ一X3∑-g跃迁的(v'=1-9,0),(v'=1-8,1),(v'=1-7,2)和(v'=2-5,3)四个谱带序列.通过对所获谱带的转动分析,得到更为丰富的S2自由基B3∑-μ-X3∑-g跃迁谱带的转动光谱常数和更为精确的B3∑-μ电子态的平衡分子常数:Te,щe,щXe,Be,ae和Re.另外,还测得所有观测到的谱带的寿命,进一步丰富了S2自由基学∑-μ-X2∑-g跃迁谱带的光谱信息.     

激光诱导NO2分子500—532nm区荧光激发谱的实验研究

用准分子激光抽运可调谐染料窄带激光测定了室温下NO₂分子500—532nm区高分辨荧光激发谱,在两个较强吸收区505—510nm和513—520nm范围内标识了25个振动带,并作了转动分析,得到了相应的带头位置、转动常数和旋-转偶合常数等分子光谱常数,在25个振动带中有5个谱带是新发现的,所有得到转动分析的谱线均属于平行跃迁X～ ² A₁—A～²Ｂ₂,对实验结果的分析表明电子激发态A～ 关键词： 激光诱导荧光激发谱 振动带 转动分析     

M_2SiO_4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce~(3+),Tb~(3+))的发光性能(英文)

合成了系列M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3 ,Tb3 )样品,研究了样品在真空紫外区域的激发光谱和发射光谱。从激发谱可以看出:M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3 ,Tb3 )在147,172nm有很强的吸收带。用Mg,Ca完全取代Ba2SiO4∶Tb3 中的Ba,相对应的晶体的晶格参数逐渐增大,晶场的能量逐渐减少,其激发光谱随着碱土离子半径的增加向长波方向移动。在172nm真空紫外光激发下,观察到M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Tb3 和M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3 ,Tb3 )特征发射;在真空紫外激发下,随着M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3 ,Tb3 )中Ce3 含量的增加,M2SiO4∶Re的特征发射明显减弱,并分析讨论了相关发光现象的成因。     

M2SiO4:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)的发光性能

合成了系列M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba; Re= Ce3 ,Tb3 )样品,研究了样品在真空紫外区域的激发光谱和发射光谱.从激发谱可以看出:M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba; Re= Ce3 ,Tb3 )在147,172 nm有很强的吸收带.用Mg,Ca完全取代Ba2SiO4∶Tb3 中的Ba ,相对应的晶体的晶格参数逐渐增大,晶场的能量逐渐减少,其激发光谱随着碱土离子半径的增加向长波方向移动.在172 nm真空紫外光激发下,观察到M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba; Re=Tb3 和M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba; Re= Ce3 ,Tb3 )特征发射;在真空紫外激发下,随着M2SiO4∶Re(M=Mg,Ca,Ba; Re= Ce3 ,Tb3 )中Ce3 含量的增加,M2SiO4∶Re的特征发射明显减弱,并分析讨论了相关发光现象的成因.     

激光诱导NO2分子500-532nm区荧光激发谱的实验研究

用准分子激光抽运可调谐染料窄带激光测定了室温下NO2分子500-532nm区高分辨荧光激发谱,在两个较强吸收区505-510nm和513-520nm范围内标识了25个振动带,并作了转动分析,得到了相应的带头位置、转动常数和旋-转偶合常数等分子光谱常数,在25个振动带中有5个谱带是新发现的,所有得到转动分析的谱线均属于平行跃迁(X)2 A1-(A)2B2,对实验结果的分析表明电子激发态(A)2B2受到基态(X)2A1高振动能级的强烈扰动.     

双奇核174Re中的准粒子形状驱动效应

对双奇核174Re的在束γ谱学实验数据作了仔细分析, 提取出了带间与带内E2 γ跃迁分支比, 并导出了其约化跃迁概率的比值。用带混合理论对约化跃迁概率的比值进行了分析, 得到带间相互作用强度及转动带形变的信息。发现不同组态的转动带其跃迁电四极矩具有明显的差异。与相邻奇A核的结构特征类似,这种跃迁电四极矩的差异很可能是由于1/2-[541]准质子或1/2-[521] 准中子对原子核的形状驱动效应造成的。 By analyzing carefully the in beam γ spectroscopy data of odd-odd 174Re, we have extracted the branching ratios of the interband and intraband E2 γ transitions from the two rotational bands of different configurations in 174Re.The ratios of the reduced transition probabilities B(E2) have been deduced and analyzed using a band mixing theory. Information on the band interaction and deformation have been obtained. Apparent differences of transition quadrupole moments are found in the two configurations. A likely reason for the differences in the transition quadrupole moments is the shape driving effects of 1/2-[541] quasi proton or 1/2-[521] quasi neutron, which has been proposed in the oddA neighbors of 174Re.     

非常缺中子Re核的负三轴形变研究(英文)

利用在束核谱学实验技术,建立了169Re基于9/2-[514]组态的强耦合转动带.该带在已知的奇ARe核中具有最大的低自旋旋称劈列.对于奇ARe中的9/2-[514]转动带,研究了它们的能量旋称劈列和M1跃迁矩阵元相对旋称劈列与核形状偏离轴对称的关系,揭示了非常缺中子的奇ARe核具有相当的负三轴形变. High-spin states in~(169)Re were studied and resulted in the identification of a strongly coupled band based on the 9/2~(-)\ Nilsson state. The 9/2~(-)\ band in~(169)Re shows the largest signature splitting at low spin among the known odd mass Re isotopes. For the 9/2~(-)\ bands in light odd-A Re isotopes, the signature splitting of the Routhians and its relation with the signature dependence of M1 transition matrix elements are investigated in connection with the deviation of nuclear shape from axial symme...     

双奇核中πi_(13/2)νi_(13/2)2-准粒子转动带旋称反转研究

利用重离子熔合蒸发反应和在束γ谱学实验方法研究了双奇核176,178Ir和182 Au的高自旋态结构 ,在这 3个双奇核中观测到了基于πi13 2 νi13 2 准粒子组态下的转动带 .以能级间隔系统学为判据 ,对184Au核中πi13 2 νi13 2 转动带能级自旋进行了指定 .指出176,178Ir和182 ,184Au 4个双奇核的πi13 2 νi13 2 转动带在低自旋区均出现旋称反转 .对πi13 2 νi13 2 转动带旋称反转现象进行了定性的讨论 .用推转壳模型对πh9 2 νi13 2 带和πi13 2 νi13 2 带能级结构进行了理论研究 ,发现当采用形变和对力自洽计算后 ,从理论上可以定性地解释两个半退耦带出现的旋称反转现象     

M2SiO4：Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce3+,Tb3+)的发光性能

合成了系列M₂SiO₄:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce³⁺,Tb³⁺)样品,研究了样品在真空紫外区域的激发光谱和发射光谱。从激发谱可以看出:M₂SiO₄:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce³⁺,Tb³⁺)在147,172nm有很强的吸收带。用Mg,Ca完全取代Ba₂SiO₄:Tb³⁺中的Ba,相对应的晶体的晶格参数逐渐增大,晶场的能量逐渐减少,其激发光谱随着碱土离子半径的增加向长波方向移动。在172nm真空紫外光激发下,观察到M₂SiO₄:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Tb³⁺和M₂SiO₄:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce³⁺,Tb³⁺)特征发射;在真空紫外激发下,随着M₂SiO₄:Re(M=Mg,Ca,Ba;Re=Ce³⁺,Tb³⁺)中Ce³⁺含量的增加,M₂SiO₄:Re的特征发射明显减弱,并分析讨论了相关发光现象的成因。     

175Hf原子核的三轴超形变的探寻

通过采用TRS方法对实验上新发现的¹⁷⁵Hf原子核的两条高自旋转动带进行了研究, 以证明是否具有三轴超形变, 并且为了使结果能够更准确可靠, 选取了最靠近费米面的5个准粒子的组态进行了计算, 但是在这个组态上最后得出的总位能面上并没有发现能表明三轴超形变的明显的第二极小点的存在.