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用符合计数器望远镜测量电离损失的方法,在海平面宇宙线中寻找相对论性的小电荷粒子。实验中用厚碘化钠(铊)计数器测量粒子的很小电离损失,来确定粒子电荷。用反符合环形计数器排除侧面进入的粒子本底,实验测量了电荷范围从1/12到1/4电子电荷的小电荷区域。测量的初步结果给出:海平面宇宙线中的(非大气簇射中心区的)小电荷粒子通量的上限,在电荷0.08到0.19电子电荷范围内及0.19到0.25电子电荷范围内,分别小于4×10-5粒子/平方厘米·秒·立体孤度及2×10-5粒子/平方厘来·秒·立体弧度(置信水平90%)。 相似文献
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用闪烁计数器完成对宇宙线信号的采集和转换工作,其输出信号作为原始数据被记录.提出利用动态分析仪进行记录的新方法,应用该方法能够观测到宇宙线与探测器作用的详细情况,并得出一些新的结果.本文介绍这种方法的应用情况,并对观测结果进行分析. 相似文献
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基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐射应力引起的氧化层陷阱电荷、界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量之间定量关系的模型. 根据模型可以得到:低剂量情况下,氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量成正比;高剂量情况下,氧化层陷阱电荷导致的阈值电压漂移量发生饱和, 其峰值与辐射剂量无关,界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量呈指数关系. 另外,模型还表明氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷在不同的辐射剂量点开始产生饱和现象, 其中界面陷阱电荷先于氧化层陷阱电荷产生饱和现象.最后,用实验验证了该模型的正确性. 该模型可以较为准确地预测辐射应力作用下MOSFET的退化情况. 相似文献
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具有许多优点的塑料闪烁体广泛应用在粒子物理中. 高能高电荷情形下塑料闪烁体的光响应研究在高能物理和宇宙线物理中有着重要意义. 芝加哥大学的高能宇宙线实验, 除了获得许多重要天体物理结果, 还为塑料闪烁体对高电荷相对论粒子的光响应研究积累了资料. 本文介绍上述宇宙线实验和资料分析结果并对塑料闪烁体的非线性光响应进行讨论. 相似文献
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从1982年5月到1983年1月,悉尼大学的小型宇宙线观测阵列记录了多于17,000个能量为6×10~(14)—5×10~(16)eV的宇宙线广延大气簇射事例。使用谐波分析和X~2检验法,对这些宇宙线的入射方向进行了研究,没有发现有意义的各向不同性。 相似文献
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通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法,制备了低暗电流、宽响应范围的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下,器件暗电流小于10nA;-5V偏压下电容密度低至1.43×10~(-8) F/cm~2.在1 310nm红外光照及30V反向偏置电压下,雪崩光电二极管器件的响应范围为50nW~20mW,响应度达到1.13A/W.得到了电荷层掺杂浓度、倍增区厚度结构参数与击穿电压和贯穿电压的关系:随着电荷层电荷密度的增加,器件贯穿电压线性增加,而击穿电压线性降低;电荷层电荷面密度为4.8×10~(12)cm~(-2)时,随着倍增层厚度的增加,贯穿电压线性增加,击穿电压增加.通过对器件结构优化,雪崩光电二极管探测器实现25V的贯穿电压和57V的击穿电压,且具有低暗电流和宽响应范围等特性. 相似文献
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本文报道了一种用于堆叠结构有机电致发光器件的新的电荷生成层: LiF/Al/V2O5,采用这种电荷生成层的堆叠器件的两个发光单元互相独立,不受影响.说明在外加电场下,这种电荷生成层具有向邻近的发光单元注入电子空穴的能力.而堆叠了两个相同发光单元的器件的电流效率在相同的电流密度下约为普通单层结构的1.7倍.同时这种电荷生成层避免了溅射indium tin oxide(ITO)和金属、有机物共掺,只需要热蒸发,生长工艺简单.
关键词:
堆叠结构
有机电致发光器件
电荷生成层 相似文献