斜向通道雷电电磁场远场近似特性

为了使雷电电磁场的计算更加接近实际情况,并对远场区雷电电磁脉冲场进行模拟,利用偶极子理论对斜向放电通道雷电电磁场解析表达式进行了求解,用解析方法对地表雷电电磁场及其导数在远场区的一阶、二阶近似表达式进行了推导,得到了电磁场及其导数与通道底部电流及其导数的远场近似关系。采用脉冲函数表示通道基电流,对比了精确表达式与近似表达式计算的电磁场及其导数波形。结果表明在远场区,斜向通道雷电电磁场波形与其近似波形的偏差、电磁场导数波形与其近似导数波形之间的偏差均随着距离的增加而减小,且电磁场导数近似公式要比电磁场近似公式适用范围更加广泛。计算结果验证了解析推导近似的可行性。     

爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电的理论分析

 将爆磁压缩等效为电流源的方法，对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电进行了理论分析，得出爆磁压缩发生器在负载上产生电流波形（简称负载电流）为直线情况和任意电流波形情况下充电电流和充电电压的表达式。分析表明变压器耦合互感与负载电流随时间变化增长率是脉冲形成线充电的两个重要参数，脉冲形成线第一个充电电压峰值与变压器的耦合互感和负载电流波形斜率成正比，负载电流波形斜率的变化可以改变充电电压峰值的时间，斜率不断增加可以延长第一个充电电压峰值时间，从而可能增加充电电压的幅值，提高爆磁压缩发生器能量的利用效率。     

适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型

分析了深亚微米NMOSFET在ESD应力下的非本地传输特性，分析说明了速度过冲效应可以增大漏端电流，改变器件特性. NMOSFET能量弛豫时间与器件中该点的电场、载流子速度和载流子能量密切相关，从而不能再近似为一个常数.利用蒙特卡罗仿真方法得到电子能量弛豫时间和电子高场迁移率与电子能量的关系表达式，并使用上述模型进行了ESD器件仿真，与实验结果的对比显示，使用该能量弛豫时间模型和高场迁移率模型可以得到准确的器件I-V曲线. 关键词： 静电放电 速度过冲 能量弛豫时间     

积分球的光功率波形变换理论

分析说明了积分存在一次反射短时平均等照度性质，提出了积分球的几个概念：平均反射程λ、平均反射时间μ、平均反射率ρ^-、平均出射程η、平均出射时间τ（等于积分球的时间常数）。用分析方法推导了积分球时间常数的一般表达式、积分球对δ函数形式的功率波形的变换表达式、积分球对任意光功率波形的变换表达及其反变换表达式。     

大型超导电缆交流损耗的计算

给出了超导电缆交流损耗的表达式。使用这些表达式 ,并基于 HT- 7U极向场线圈系统在等离子体建立时的电流波形 ,计算了 AC损耗在 PF导体上的能量沉积。最后讨论了电缆参数对AC损耗的影响     

高频振荡下缓慢前沿的电子束电流波形测量

推导了Rogowski线圈理论,给出了任意Rogowski线圈的表达式。通过使用高磁导率的磁芯材料,增加线圈匝数,设计出了能有效测量前沿变化0.1 s、强度mA量级的电子束电流的Rogowski线圈,并测得了电子束等离子体装置中的电子束电流信号。利用推导的任意Rogowski线圈表达式,成功获得低频与高频共存的电流波形。测量结果表明,该电子束等离子体系统中存在束流振荡,振荡幅度达12%。     

静放电电磁脉冲模拟装置

介绍了静电放电电磁脉冲（ESD EMP）的特性，研究了用ESD模拟器产生ESD EMP的方法，并给出了ESD EMP的时域波形和频谱。在研究ESD模拟器的基础上，首次通过ESD模拟器和GTEM室的结合，在GTEM室内产生了均匀的，重复性和线性好的ESD EMP。实验表明，用这种能够实验对静电放电电磁脉冲的实验室模拟，实验了人们用GTEM室产生ESD EMP的梦想。     

强流相对论电子束在等离子体内引起的回流电流

本文用宏观处理的方法,研究了强流相对论电子束在等离子体内引起的回流电流效应。通过Fourier变换的方法,求得Maxwell方程组的电场表达式和回流电流的径向表达式。在4στ>>1的极限下,电子束通道内的回流电流和入射的电子束电流基本抵消。最后,比较了回流电流的焦耳热和束电子与等离子体粒子库仑碰撞的能耗值。     

静电放电电磁脉冲模拟装置

 介绍了静电放电电磁脉冲（ESD EMP）的特性。研究了用ESD 模拟器产生ESD EMP的方法，并给出了ESD EMP的时域波形和频谱。在研究ESD模拟器的基础上，首次通过ESD模拟器和GTEM室的结合，在GTEM室内产生了均匀的、重复性和线性好的ESD EMP。实验表明，用这种装置能够实现对静电放电电磁脉冲的实验室模拟。实现了人们用GTEM室产生ESD EMP的梦想。     

有机二极管基于通用迁移率模型的解析电流电压关系

提出一种有机半导体二极管电流电压关系的解析表达式。该表达式是基于Pasveer 等人[Phys. Rev. Lett. 94, 206601 (2005)]的迁移率模型建立的,其中考虑了影响有机半导体载流子输运最重要的因素,包括温度、载流子浓度和电场强度。将Pasveer等人迁移率公式中的载流子浓度和电场强度用常数迁移率下严格解计算的平均值代入,然后将得到的迁移率取代Mott-Gurney电流电压关系中的常数迁移率从而得到解析电流电压表达式。将新解析表达式应用于三种材料制作的有机二极管,计算结果与实验数据符合很好,表明解析表达式是合理的。     

A mathematical expression for air ESD current waveform using BP neural network

A curve-fitting method based on backpropagation (BP) neural network (NN) is proposed for fitting electrostatic discharge (ESD) current waveforms and giving the corresponding expressions in order to analyze the characteristics of ESD and calculate the ESD electromagnetic pulse radiation field. According to IEC61000-4-2, this method is used to fit the ideal contact current waveform of human-metal ESD to obtain the mathematical expression. The waveform parameters of the fitting curve meet the requirements of the IEC61000-4-2. By fitting the measured air ESD current waveform at 4 kV discharge, the mathematical expression is obtained. This paper proposes the mathematical expression for arbitrary curves and analyzes the factors affecting the effects of curve-fitting.     

高空核爆电磁脉冲波形标准及特征分析

 目前，国际上已有美军标、国际电工委员会、Bell实验室及各种学术出版物等各种高空核爆电磁脉冲波形标准。综述了这些标准，并从时域参数、频谱、归一化累积能流谱、总的能量密度等几方面研究其异同性。比较后认为，IEC61000-2-9和MIL-STD-461E表述的新标准要比1976年出版物波形和Bell实验室波形的频谱范围宽，对电子系统的小孔缝耦合效应稍强，但对多数效应物尤其是线缆引入的传导耦合，损伤程度则相对弱化。最后，分析了由于HEMP波形表述形式变化，给EMP模拟器和效应研究带来的影响和新动态趋势。     

考虑参数不确定性的高空电磁脉冲E1分量环境计算及分析

高空电磁脉冲的早期分量幅值高、频谱宽、分布范围广,是高空核爆的电磁效应的重要组成部分。分析了国内外高空电磁脉冲早期分量仿真计算法的研究进展,并选取基于高频近似并考虑电子与电磁场自洽作用的EXEMP算法进行详细介绍,通过数值计算结果总结了高空电磁脉冲的时域波形和空间分布随场源当量、爆高等参数变化的规律,与IEC标准约定的波形时域和空间特征一致。针对HEMP计算中部分参数的不确定性,分析参数取值偏差和波动对电磁脉冲计算结果的影响,使用多项式混沌方法联合Sobol全局敏感度指标对其进行不确定量化,得到电磁脉冲关键值可能分布的上下界、分布的概率密度等信息,分析各参数在特定取值范围内对电磁脉冲特征参数的影响及联合影响。     

强电磁脉冲的有效带宽、测量带宽及来自上升时间的影响

 从能量分布和测量有效性的观点出发，提出了强电磁脉冲的能量有效带宽和动态范围有效带宽的概念。针对IEC61000－4－4,MIL－STD－464,IEC61000－4－2,IEC61312－1等标准规定的核电磁脉冲(NEMP)、雷电电磁脉冲(LEMP)、静电放电电磁脉冲(ESDEMP)等强电磁脉冲，分别计算了它们的能量有效带宽和动态范围有效带宽。通过分析，得知在一定的范围内，上述强电磁脉冲上升时间的变化对两种有效带宽的影响并不明显，在此基础上，确定了它们的测量带宽。计算结果为NEMP，ESD EMP及LEMP的60 dB有效带宽分别是371，786，1 233 MHz与96 kHz；99%能量有效带宽分别是46，95，183 MHz与15 kHz；不失真测量所需的带宽分别是152，307，916 MHz和95 kHz。     

Human-to-metal electrostatic discharge current measurements – Notes on the ESD current waveform

The Electrostatic Discharge (ESD) phenomenon has been described through the IEC 61000-4-2. ESD current parameters' values, have been set in this Standard. The theoretical ESD current waveform defined in this standard, describing the conventional Contact discharge mode, needs to be re-evaluated on the basis of accurate experimental data. Even though the standard deals with commercial ESD generators, its goal is to simulate the natural phenomenon as good as possible. More and accurate data may contribute to the better simulation of the natural phenomenon. New values and better comprehension of the phenomenon demand new measurements based on high end measuring equipment. Such works and publications have been carried out the past years. Yet, the need to systematize and integrate this work remains. Larger and trust-worthy series of measurements need to be carried out and presented clearly.This paper deals with new ESD-current data, taken with broadband equipment. New and more detailed measurements like these, were never before taken at such a large number of individuals. The goal of this work is that the data acquired can serve as a basis for re-evaluating the conventional approach of the scientific community to the ESD event.In this paper, using a broadband measuring system, new parameters' values are measured and relations are presented, following standard statistical procedures. The results, which occur from measurements carried out on tenths of human individuals, are questioning the Standard in many points. A new way of approaching the standardization of the ESD current is proposed, as the excuse of the poor measuring equipment that sets barriers on the measuring accuracy, does not apply any more. The charging voltages of 500 V and 1000 V were also examined since such range of voltages are often met at ESD events and they are considered very harmful.     

快前沿纳秒高压脉冲源的开发及实验研究

 针对国际电工委员会1996年制定的IEC61000-2-9和美国国防部1999年修定的MIL-STD-461E标准提出的高空核爆电磁脉冲波形，研制了一台新型纳秒高压脉冲源。其产生的双指数波脉冲前沿小于3ns，脉宽58ns，幅度可达4kV，此外还可产生前沿小于2ns、幅度最高为4kV的脉冲方波；两种脉冲均可实现单次和间歇可调输出。介绍了脉冲源的电路设计和调试结果，通过实验对比了MIL-STD-461E与MIL-STD-461D两种双指数波形条件下某测控系统模块的干扰耦合效应。     

传输线长度对静电放电防护器件性能测试的影响

为了研究传输线长度对静电放电防护器件性能测试结果的影响,建立了静电放电模型和传输线脉冲模型两种试验系统,对某限压型防护器件进行了快沿电磁脉冲注入试验,并进行了理论分析。结果表明:传输线长度对静电放电防护器件性能测试结果具有极大影响,选用不当会导致错误结论;在对静电放电防护器件性能测试时,应优先采用传输线脉冲测试法;当采用静电放电脉冲测试法时,其传输线长度不应小于8 m。     

基于柔性屏蔽材料混响室的设计与应用

利用柔性屏蔽材料不平整性使屏蔽腔内场环境易于满足各向同性、均匀分布、随机极化统计特征的特点,研究了三种不同柔性屏蔽材料搭建的模式搅拌混响室的可行性。在Z字形搅拌器的作用下通过测量得到低频场均匀性和高频归一化电场的概率密度函数,根据IEC 61000-4-21-2011标准和理想混响室模型验证了所搭建混响室的有效性。在此基础之上,通过实验测量分析了搅拌器转速、天线高度、天线位置对归一化电场概率密度函数(PDF)的影响,并利用所搭建混响室对加载开孔电大金属腔的电磁屏蔽效能进行了测试。研究结果表明利用柔性屏蔽材料搭建混响室具有较好的可行性。     

High power and high reliability GaN/InGaN flip-chip light-emitting diodes

High-power and high-reliability GaN/InGaN flip-chip light-emitting diodes (FCLEDs) have been demonstrated by employing a flip-chip design, and its fabrication process is developed. FCLED is composed of a LED die and a submount which is integrated with circuits to protect the LED from electrostatic discharge (ESD) damage. The LED die is flip-chip soldered to the submount, and light is extracted through the transparent sapphire substrate instead of an absorbing Ni/Au contact layer as in conventional GaN/InGaN LED epitaxial designs. The optical and electrical characteristics of the FCLED are presented. According to ESD IEC61000-4-2 standard (human body model), the FCLEDs tolerated at least 10\,kV ESD shock have ten times more capacity than conventional GaN/InGaN LEDs. It is shown that the light output from the FCLEDs at forward current 350mA with a forward voltage of 3.3\,V is 144.68\,mW, and 236.59\,mW at 1.0\,A of forward current. With employing an optimized contact scheme the FCLEDs can easily operate up to 1.0\,A without significant power degradation or failure. The life test of FCLEDs is performed at forward current of 200\,mA at room temperature. The degradation of the light output power is no more than 9\% after 1010.75\,h of life test, indicating the excellent reliability. FCLEDs can be used in practice where high power and high reliability are necessary, and allow designs with a reduced number of LEDs.     

基于TLP建模的系统级静电放电效应仿真

系统级静电放电(ESD)效应仿真可以在电子系统进行测试之前进行有效的静电放电效应防护,缩短研发周期。根据传输线脉冲测试(TLP)结果,对瞬态电压抑制(TVS)二极管和芯片引脚进行spice行为建模,结合ESD脉冲源的等效电路模型,PCB板的S参数模型,采用场路协同技术完成了系统级静电放电效应的仿真。针对一个典型的电子系统,在IEC 61000-4-2 ESD应力作用下,完成了一款开关芯片防护电路的仿真,并对电路进行了加工、放电测试,仿真与测试芯片引脚的电压波形吻合良好,验证了该仿真方法的有效性。