Electronic structure of BN nanotubes with intrinsic defects NB and BN and isoelectronic substitutional impurities PN, AsN, SbN, InB, GaB, and AlB

The effect of intrinsic defects and isoelectronic substitutional impurities on the electronic structure of boron-nitride (BN) nanotubes is investigated using a linearized augmented cylindrical wave method and the local density functional and muffin-tin approximations for the electron potential. In this method, the electronic spectrum of a system is governed by a free movement of electrons in the interatomic space between cylindrical barriers and by a scattering of electrons from the atomic centers. Nanotubes with extended defects of substitution N_B of a boron atom by a nitrogen atom and, vice versa, nitrogen by boron B_N with one defect per one, two, and three unit cells are considered. It is shown that the presence of such defects significantly affects the band structure of the BN nanotubes. A defect band π(B, N) is formed in the optical gap, which reduces the width of the gap. The presence of impurities also affects the valence band: the widths of s, sp, and p_π bands change and the gap between s and sp bands is partially filled. A partial substitution of the N by P atoms leads to a decrease in the energy gap, to a separation of the Ds(P) band from the high-energy region of the s(B, N) band, as well as to the formation of the impurity Dπ(P) and Dπ*(P) bands, which form the valence-band top and conduction-band bottom in the doped system. The influence of partial substitution of N atoms by the As atom on the electronic structure of BN nanotubes is qualitatively similar to the case of phosphorus, but the optical gap becomes smaller. The optical gap of the BN tubule is virtually closed due to the effect of one Sb atom impurity per translational unit cell, in contrast to the weak indium-induced perturbation of the band structure of the BN nanotube. Introduction of the one In, Ga or Al atom per three unit cells of the (5, 5) BN nanotube results in 0.6 eV increase of the optical gap. The above effects can be detected by optical and photoelectron spectroscopy methods, as well as by measuring electrical properties of the pure and doped BN nanotubes. They can be used to design electronic devices based on BN nanotubes.     

CeCu2Si2和UBe13的超导理论(Ⅰ) ——模型,Tc及序参量

本文从周期性的Anderson晶格模型出发,考虑到局域电子与局域晶格形变的作用,对CeCu₂Si₂和UBe₁₃的重费密子超导现象进行了理论研究。通过计算,得到了合理的超导转变温度T_c;给出了描述同位素效应大小的参数α<1/2,甚至等于零(在BCS理论中α=1/2),说明现在的理论给出的同位素效应比BCS理论小,甚至可以不存在同位素效应,这与重费密子超导的实验相符合;此外还给出了序参量随温度及态密度变化的关系曲线,由此可 关键词：     

无定形靶中离子注入的R,Rp,△Rp的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解:R=2/a[E^1/2-A₁(arctg(2E^1/2-f)/△^1/2+arctg f/△^1/2)+B₁ln((E^1/2-f)²)/(E-fE^1/2+d) ·d/f²],其中A₁,B₁,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=R/(R_p)(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系 η=F(μ)[A₂(μ)+(B₂(μ))/(ε^1/2+C)],和ω=R_p/△R_p(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A₃(μ)ε^1/21/2+B₃(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A₂(μ),B₂(μ), B₃(μ)和A₃(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对η等关系式的物理意义作了讨论。上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO₂等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

溅射a-GeNx和a-GeNx:H薄膜的制备及光电特性的研究

本文报道了应用射频反应溅射法制备a-GeN_x和a-GeN_x:H薄膜的工艺条件及其基本的光电特性,并报道了它的IR和Raman特性,讨论了掺氮对a-GeN_x:H膜带尾态ΔE,IR谱及Raman谱的影响。 关键词：     

Complete first-order Raman spectra of the pyrite structure compounds FeS2, MnS2 AND SiP2

The first-order Raman spectra of FeS₂, MnS₂ and SiP₂ are measured at room temperature. The frequencies of all Raman-active phonons are obtained. We describe the displacement patterns and discuss the extent to which the concept of a molecular crystal can be applied.     

改进蚁群算法的局部信息动态路径规划

针对传统蚁群算法收敛速度慢、对动态路径变化适应性低的局限性,提出了一种基于局部信息获取策略的动态改进型蚁群算法。该算法利用局部信息获取策略,进行最优局部目标点的获取,然后调用改进蚁群算法获取局部区域内的最优路径,再重复循环获取新的最优局部目标点,直到找到全局目标点。与此同时,将提出的改进型蚁群算法应用于动态路径规划中的路径寻优与避障,仿真结果表明：提出的算法在具有与传统蚁群算法相当的路径优化效果的同时,能够有效适应障碍变化、大大提高了路径规划的收敛速度。     

晶格振动、载流子与高温超导电性的关系

系统地从红外光谱的结果论述了晶格振动、载流子与高温超导电性的关系。指出,在高温超导体中,载流子对晶格振动的作用不是屏蔽作用,而是两者之间的局域强耦合相互作用,这种局域的耦合不同于普通的电声子耦合。在此基础上,通过理论和实验研究,论述了局域耦合强度及其整体效应与超导电性的关系。 关键词：     

GaAs,GaP和GaAsxP1-x合金能带的计算

使用分区变分法计算了GaAs,GaP和GaAs_xP_1-x合金的能带。鉴于原胞内包含不同的原子,依据实际原子的大小,对不同原子球选用了不同的半径。晶体势用相应原子势的迭加势来计算。考虑到组成晶体时原子势场由于电子成键而产生畸变,因而在球外成键区选用了一些调整参数来调整势场,然后再用解析表式来逼近这种调整原子势。适当地选择调整参数使算得的能带同已知的实验值接近。对GaAs和GaP已算得了同实验结果符合的能带结构。使用所得的调整原子势进一步计算了GaAs_xP_1-x合金的能带。 关键词：     

十一甲川和五甲川染料的吸收和弛豫时间

本文报道了用于掺钕激光材料锁模的中国快速可饱和吸收染料D₁(十一甲川)和D₂(五甲川)的吸收和弛豫时间的测量结果。 关键词：     

基于Treelet变换的模拟电路故障诊断

针对模拟电路故障诊断中特征向量冗余的问题,提出一种基于Treelet变换的模拟电路故障诊断方法.Treelet变换是一种自适应的多尺度的数据分析方法,适用于对高维数据降维和特征选择。文中首先对被测电路的输出信号采样,将采集到的信号进行Treelet变换,提取故障特征向量,最后将得到的特征向量输入BP神经网络进行故障模式识别。仿真实验结果表明,该方法能够有效地提取电路故障特征。与其他故障特征提取方法相比较,基于Treelet变换的模拟电路故障诊断方法具有较高的故障诊断率和收敛速度。     

硅化物薄膜的质子弹性散射分析

本文报道了一种分析硅衬底上SiN_x和SiO_x的N/Si和O/Si含量比的简便方法。用1.95MeV质子弹性散射测量薄膜(9000—15000)的组分比和厚度,实验值与2.1MeVHe的背散射分析(RBS)结果符合得很好;对微米以上厚度样品,MeVH束分析更为有利,这是与He束背散射分析互补的一种方法。文中给出了实验结果,并进行了讨论。 关键词：     

Nd2(Fe,Si)17合金的结构与磁性

本文对Nd-Fe-Si三元系富铁区域相的结构和磁性进行了研究。结果表明,Nd-Fe-Si三元系富铁区域(Fe>40at％),除出现NdFe₂Si₂三元金属间化合物外(Si>20at％),同时只出现Nd₂(Fe,Si)₁₇赝二元金属间化合物,其中Si取代9d位的Fe原子,而不能形成类似于Nd₂Fe₁₄B的三元金属间化合物,Si取代Nd₂Fe₁₇中的9d位Fe原子后,使晶胞体积缩小;使饱和磁化强度减小;同时使Fe次晶格的铁磁相互作用增强,导致居里温度增高;还使得Fe次晶格的易面各向异性减弱,造成室温下各向异性场减小。 关键词：     

KIO3·2LiIO3复盐晶体的生长、形态及光学性质

本文研究了KIO₃·2LiIO₃复盐晶体的培养及其红外光谱,测量了它的结晶形态,确定为2/m点群,其晶胞参数为:a=11.189,b=11.038,c=8.262,β=111°27′,给出了光性方位,可见光范围的折射率及其Sellmeier方程。 关键词：     

ScH2及HfH2的电子结构

用自洽LMTO-ASA方法研究了ScH₂及HfH₂的电子结构,毋需在面心晶格的八面体中心位置上加入一个额外的球作为muffin-tin势的修正,关于ScH₂本结果与Peterman及Harmon的计算结果及光电子谱结果十分一致;除去₂¹的位置处在Fermi能级之下,因而在ScH₂中H也可能占据八面体位置。HfH₂状态密度的大致轮廓定性上与光电子谱结果是符合的。H原子带有1.2—1.3个电子电荷。 关键词：     

应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnSxSe1-x和ZnSe/ZnSxSe1-x价带带阶的研究

采用基于原子球近似下线性Mufin-Tin轨道(LMTO-ASA)的平均键能计算方法,研究了以ZnS_xSe_1-x为衬底,沿(001)方向外延生长的应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnS_xSe_1-x和ZnSe/ZnS_xSe_1-x的价带带阶值ΔE_v(x).研究表明,ΔE_v(x)值随衬底合金组分x单调变化。且两者的关系是非线性的。在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好。     

基于BU-61580总线控制器的接口及容错设计

针对RS-422接口与1553B总线接口无法直接进行高可靠性数据通信,提出了一种基于BU-61580总线控制器的接口及容错设计。设计采用1553B接口芯片BU-61580,通过FPGA控制完成了RS-422与1553B的接口控制及二者之间的数据处理。在硬件接口设计的基础上,设计IP-CORE完成BU-61580的芯片配置,并通过增加容错设计提高了总线控制器数据通的可靠性。经测试结果显示,计算机通过总线控制器与RT终端通信稳定、可靠,并应用于某测试系统中。     

群表示论的物理方法(Ⅳ)——SUmn?SUm×SUn和SUm+n?SUm?SUn分类基

本文证明了置换群CG系数和外积约化系数分别就是将任一SU_m和SU_n不可约基耦合成SU_mn?SU_m×SU_n和SU_m+n?SU_m?SU_n分类基的耦合系数,并给出了将SU_mn?SU_m×SU_n和SU_m+n?SU_m?SU_n分类基用Celfand基展开时计算展开系数的几种方法。给出了基本粒子中常用的SU₆?SU₃×SU₂和SU₈?SU₄×SU₂重子波函数。     

The ν3 and 2ν3 bands of SO3, SO3, SO3, and SO3

This sixth of a series of publications on the high-resolution rotation-vibration spectra of sulfur trioxide reports the results of a systematic study of the ν₃ and 2ν₃ infrared bands of the four symmetric top isotopomers ³²S¹⁶O₃, ³²S¹⁸O₃, ³⁴S¹⁶O₃, and ³⁴S¹⁸O₃. An internal coupling between the l=0(A₁^′) and l=2(E^′) levels of the 2ν₃ states was observed. This small perturbation results in a level crossing between |k−l|=9 and 12, in consequence of which the band origins of the A₁^′,l=0 “ghost” states could be determined to a high degree of accuracy. Ground and upper state rotational constants as well as vibrational anharmonicity constants are reported. The constants for the center-of-mass substituted species ³²S¹⁶O₃ and ³⁴S¹⁶O₃ vary only slightly, as do the constants for the ³²S¹⁸O₃, ³⁴S¹⁸O₃ pair. The S-O bond lengths for the vibrational ground states of the species ³²S¹⁶O₃, ³⁴S¹⁶O₃, ³²S¹⁸O₃, and ³⁴S¹⁸O₃ are, respectively, 141.981 99(1), 141.979 38(6), 141.972 78(8), and 141.969 93(8) pm, where the uncertainties, given in parentheses, are two standard deviations and refer to the last digits of the associated quantity.     

铁电晶体PbxBa1-xNb2O6和掺Li,Na的PbxBa1-xNb2O6的结构和电弹张量的测定

用提拉法从熔体中生长出Pb_0.37Ba_0.63Nb₂O₆和Pb_0.30Ba_0.533Na_0.306Li_0.028Nb₂O₆两种铁电单晶。用X射线衍射方法分析了两种单晶的结构,结果表明,室温时两种晶体都属于四方晶系点群4mm。测定晶格参数得PBN晶体的a=12.493?和c=3.98?;掺Li,Na的PBN晶体的a=12.493?和c=3.970?。测定了两种晶体全部各52个电弹张量的分量,结果表明PBN晶体具有优良的压电性,其中压电系数d₁₅=108×10^-12C/N。这种晶体很有希望用作与厚度切变模式有关的压电换能器材料。掺Li,Na的PBN晶体的介电常数显著降低,而铁电居里点有明显的提高。 关键词：     

Continuous-wave CO2 laser spectroscopy of SF6, WF6, and UF6

The linear absorption of CO₂ laser radiation in SF₆, WF₆, and UF₆ has been measured by using optoacoustic detection techniques. Absolute absorption coefficients per Torr as low as 1 × 10^?7 cm^?1 Torr^?1 in a 2-cm active path length could be measured by taking advantage of calibration measurements performed with SF₆.