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1.
使用3C和DS3C模型,计算了不同入射能情形下电子入射离化H原子的三重微分截面,并对截面的结构进行了分析.结果表明:角分布基本上由两个峰组成,即binary峰和recoil峰.两个峰的形状和位置对两个出射电子的能量分配及探测的几何条件十分敏感.更进一步,末态电子与电子的排斥对形成观测到的角分布有显著的贡献,在不同几何条件下,三体相互作用通过不同散射幅的不同权重控制了干涉花样.此外,对直接和交换效应也都进行了研究.
关键词：
角分布
binary峰
recoil峰 相似文献
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通过考虑末通道 中剩余电子的屏蔽效应,用BBK模型及修正方案在大能量损失小动量转移几何条件下对电子电离氦原子的三重微分截面进行了计算,并从物理本质上系统地研究和分析了剩余电子的屏蔽效应在大能量损失几何条件下对三重微分截面所产生的影响. 相似文献
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通过考虑末通道 中剩余电子的屏蔽效应,用BBK模型及修正方案在大能量损失小动量转移几何条件下对电子电离氦原子的三重微分截面进行了计算,并从物理本质上系统地研究和分析了剩余电子的屏蔽效应在大能量损失几何条件下对三重微分截面所产生的影响. 相似文献
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中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究 总被引：1，自引：1，他引：0
这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由binary峰和recoil峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献.更进一步,修正后的binary峰的幅值对入射电子能量E_0和散射电子偏角θ_1的变化比较敏感. 相似文献
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这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响。研究表明：在中高入射能下,截面的角分布由 binary 峰和 recoil 峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献。更进一步,修正后的 binary 峰的幅值对入射电子能量 和散射电子偏角 的变化比较敏感。 相似文献
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用3C模型和修正后的3C模型在低能、两个出射电子等能分享几何条件下,对电子垂直入射碰撞电离氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算,并把计算结果与实验测量结果进行了比较,系统研究了(e,2e)反应中各种屏蔽效应对氦原子三重微分散射截面的影响,同时对截面中形成各峰的碰撞机理做了详细的探讨.研究结果表明:在入射能较低时,各种屏蔽效应对氦原子的三重微分散射截面幅度以及角分布均存在一定影响,并且形成各峰的碰撞机理直接影响截面的变化规律. 相似文献
8.
本文利用BBK模型和DWBA模型计算共面非对称几何条件下中、低能电子碰撞电离H原子的三重微分截面,所得结果与实验测量进行比较,进而研究初态入射电子的扭曲效应和末态出射电子之间的关联效应对三重微分截面的影响,并对这些影响给出定性的物理解释。我们发现,初态扭曲效应比较微弱,在150 eV以上入射能量时可以忽略;而末态关联效应则十分重要,它会抑制Binary峰的高度,改善Recoil峰的形状,并且使Binary峰和Recoil峰都向大角度偏移,从而使理论结果更接近实验测量。 相似文献
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本文利用BBK模型和DWBA模型计算共面非对称几何条件下中、低能电子碰撞电离H原子的三重微分截面,所得结果与实验测量进行比较,进而研究初态入射电子的扭曲效应和末态出射电子之间的关联效应对三重微分截面的影响,并对这些影响给出定性的物理解释。我们发现,初态扭曲效应比较微弱,在150 eV以上入射能量时可以忽略;而末态关联效应则十分重要,它会抑制Binary峰的高度,改善Recoil峰的形状,并且使Binary峰和Recoil峰都向大角度偏移,从而使理论结果更接近实验测量。 相似文献
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