Zn含量对重电子金属CeCu6-xZnx低温性质的影响

报道了掺Zn的重电子金属CeCu6-xZnx(x=0.05,0.1,0.15,0.2,0.3)样品的非常规制备方法以及低温电阻和低温比热容的测量结果,研究Zn含量对CeCu6-xZnx低温性质的影响及其物理原因.发现低温下Kondo散射项系数c随Zn含量的加大而减小,电阻极大值温度Tmax随Zn含量的加大而降低,CeCu6-xZnx的德拜温度ΘD随Zn含量的加大而略有上升 关键词： 重费密子系统 低温比热容 低温电阻 相干散射     

La0.67-xSmxSr0.33MnO3(0.40≤x≤0.60)体系的TCR研究

通过测量La0.67-xSmxSr0.33MnO3(x=0.40,0.50,0.60)体系的M～T曲线和ρ～T曲线,研究了La位Sm掺杂对体系电阻温度系数 (TCR)的影响.实验结果表明:Sm掺杂引起的电阻率曲线急剧变化,导致大的TCR出现;TCR在x=0.40时出现峰值,随Sm掺杂的增加,TCR值逐渐减小.体系出现大的TCR,来源于Sm掺杂引起的晶格畸变和额外磁性.     

La_(0.7-x)Gd_xSr_(0.3)MnO_3(x=0.20,0.30,0.40,0.50)的TCR研究(英文)

研究了La位Gd掺杂对La0.7-xGdxSr0.3MnO3(x=0.20,0.30,0.40,0.50)体系的电阻温度系数(TCR)的影响.实验结果表明:Gd掺杂将引起电阻率曲线的急剧变化,导致出现大的TCR;而且随Gd掺杂的增加,TCR在x=0.30出现峰值,然后随掺杂量增加逐步降低.体系出现大的TCR,来源于Gd掺杂引起的额外磁性耦合.     

无序CuZr和CuY合金的电阻和磁电阻

以熔化-旋转法制备了Cu70Zr30和Cu100-xYx( x = 28, 67)非晶带试样并在1～300 K温度范围内测量了电阻和磁电阻随温度变化的规律.非晶Cu70Zr30电阻率ρ(T)的温度系数(TCR)在整个测量温区内都是负值,并且在两个不同的温区表现出-T1/2行为.对于类似的Cu100-xYx合金系统,在1～200 K温区内也做了同类测量.在低温1～4 K, 两个不同的无序系统CuZr和CuY的 TCR都准确地表现出-T1/2行为,这表明无序系统在极低温条件下的量子相干效应.这主要应归因于在粒子-空穴通道的电子-电子相互作用.而无序Cu70Zr30在宽广的中低温区60～300 K以更大斜率表现出的-T1/2行为,可以用初始定域化理论解释.无序CuZr和CuY的低温磁电阻ρ(B,T)测量结果与定域化理论进行了拟合和讨论.     

Mn含量对非晶态FeB合金低温电阻率的影响

非晶态(Fe_(1-x)Mn_x)_(84)B_(16)(x=0,0.01,0.02,0.04,0.06)合金采用单辊急冷法制备,用四端引线法测量了4.2—300K温区样品的电阻率与温度的关系.所有样品的电阻率与温度关系中都呈现出极小值.在极小值温度T_(min)以下,电阻率与-lnT成线性变化,在T>T_(min)时,电阻率与T~2成线性变化.室温温度系数α(RT)=1/ρRT dρ/dT和低温区β=1/ρdρ/d(T~2)的数值随Mn含量x的增加而明显下降,这一现象用推广的Ziman理论和局域自旋涨落效应作了讨论.     

非晶态FeCrB合金在临界浓度附近的磁特性

非晶态(Fe_(1-x)Cr_x)_(84)B_(16)(x=0—0.46)合金是用单辊急冷法制备.用交流互感电桥测量低场交流磁化率X与温度的关系,得到该合金系列的磁相图.用四端引线法测量了该浓度范围内的低温电阻反常.本文对非晶态FeCrB合金中的类自旋玻璃,电阻反常和因瓦效应共存现象用合金中存在自由的Fe,Cr原子和具有反铁磁耦合的自旋团进行简要的讨论.     

磁有序状态对非晶Zr-Ni合金导电性质的影响

测量了非晶Zr_(1-x)Ni_x合金(x=0.24,O.36,0.50,O.64,O.91)在1.5—300K温度范围的电阻。在Zr_(.76)Ni_(.24)这一样品中自旋涨落的效应最为明显。对于象Zr-Ni这样的磁性合金,磁有序状态对电阻温度系数α=(1/R)(dR/dT)的影响是不可忽略的。本文还讨论了自旋涨落对合金超导转变温度的抑制作用。     

Ru掺杂La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xRuxO3的磁性和输运性质

利用固相反应法制备了Ru掺杂La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xRuxO3(x=0～0.06)的多晶样品,探讨了Ru掺杂对体系结构,输运性质以及磁电阻的影响.多晶X射线衍射证实所有样品均保持简单立方钙钛矿结构.通过零场冷却(ZFC)和加场冷却(FC)下的磁化曲线的测量发现随温度降低样品发生了顺磁(PM)到铁磁(FM)的相变,且样品的居里温度(Tc)随Ru掺杂发生了显著的变化,从x=0.00时的306.7K,下降到x=0.02时的294.3K,紧接着又上升到x=0.04时的302.4K.测得居里温度明显高于La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xMoxO3体系,而且其磁性也大为增强.由零场和外加磁场H=1T测量得到样品的ρ～T曲线表明随温度降低样品同时发生了从绝缘体到金属的转变,绝缘体-金属转变温度低于相应的居里温度.适量的Ru掺杂降低了样品的电阻率,增强了低温时的磁电阻.     

磁场对重电子金属材料CeCu6-xCdx电阻的影响

介绍了重电子金属CeCu6-xCdx(x=0.10,0.15,0.20,0.30,0.50)在1.8-300K温度范围内,在磁场(μ0H=0,5,10T)下电阻随温度的变化规律及低温(1.9,15 K)下的磁电阻(μ0H=0-10T).实验表明所有样品在零场下的Tmax(对应于电阻极大值的温度)都低于1.8 K.加磁场后,Tmax随磁场和掺杂量x的增加明显向高温方向变化.此外,各样品的磁电阻在1.9 K全是负值,温度升高到15 K以后,磁电阻有变为正值的趋势.从近藤散射和相干散射的角度对这一现象的物理机制进行了分析.     

钙钛矿结构La1-xSrxCoO3(x=0.7,0.8,0.9,1.0)样品的铁磁相变和绝缘-金属转变

利用固相反应法及溶胶凝胶法我们制备了多晶La1-xSrxCoO3(x=0.7,0.8,0.9,1.0)样品.X射线衍射谱表明,La1-xSrxCoO3样品呈ABO3型钙钛矿结构,晶格常数随着x的增加而增大.与钙钛矿结构的锰氧化物类似,电阻率随温度变化以及磁化强度随温度变化的关系强烈依赖于掺杂浓度.x=0.7和0.8的样品在低温下显示铁磁性,而x=0.9和1.0的样品磁化强度随温度变化没有显示铁磁转变.电阻率随温度的变化似乎与磁化率测量相对应,在x=0.8和0.9样品之间存在绝缘-金属转变.     

双层钙钛矿锰氧化物Nd_(2-2x)Ca_(1+2x)Mn_2O_7(x=0.4,0.5)的磁相变特性

利用固相反应法制备了Nd2-2x Ca1+2x Mn2O7(x=0.0-0.9)多晶样品,通过FULLPROF程序对样品X射线衍射图谱进行了精修,样品的空间群为14/mmm.测量了样品x=0.4,0.5的磁性(5K相似文献   

氢对非晶态Y_5Ni_(95)合金膜的磁性和电子输运性质的影响

采用电解法实现了非晶态Y,Ni_(95)合金的加氢。在1.5—400K温度范围内测量了a-Y,Ni_(95)H_x(x=0—15.1)合金的磁矩、电阻率和霍耳电阻率随氢含量的变化关系。结果指出,随氢含量增加,样品的0K磁矩、居里温度和电阻率温度系数显著下降,而高场磁化率、电阻率和反常霍耳系数则迅速增加。借助现行的理论对加氢引起的上述影响进行了简要的讨论。     

重费密子系统CeCu6-xNix的极低温电阻研究

CeCu₆是一种重费密子系统,采用Ni替代Cu研究磁性原子掺杂的多晶样品CeCu_6-xNi_x(x=0.00,0.05,0.10,0.15,0.20)在极低温下的电阻随温度的变化规律.实验结果表明,随着Ni原子掺杂量的增加,电阻的规律发生变化.在500mK以下,x≈0.1的样品电阻与温度呈线性关系,表现出非费密液体行为,而其他样品皆为典型的费密液体,x≈0.1是其临界掺杂成分.对比用Au替代的情况,临界掺杂成分也是0.1,但Au掺杂是靠体积膨胀来改变合金的基态性质,而Ni掺杂则是因其磁性造成对合金基态性质的影响 关键词： 重费密子 临界掺杂 非费密液体     

Tb0.3Dy0.6Pr0.1(Fe1-xAlx)1.95合金的磁性、磁致伸缩和穆斯堡尔谱研究

系统研究了室温下Tb0.3Dy0.6Pr0.1(Fe1-xAlx)1.95(x=0.05,0.1,0.15,0.2,0.25,0.3)合金中元素Al替代Fe对结构、磁性、磁致伸缩性能和自旋重取向的影响.测量结果发现,x<0.2时Tb0.3Dy0.6Pr0.1(Fe1-xAlx)1.95合金基本上是纯的单相,x=0.2时出现其他杂相,杂相随Al替代量的增加不断增多.随Al替代量x的增加,点阵常数a接近于线性增大,Curie温度TC逐渐下降,而矫顽力Hc急剧下降.振动样品磁强计(VSM)测量发现,磁化强度M随Al替代量x的变化较为复杂.VSM计和磁致伸缩效应测量共同表明,少量Al的替代有利于降低磁晶各向异性,而且随着Al替代量x的增多磁致伸缩系数快速减小,x>0.15时巨磁致伸缩效应消失.穆斯堡尔效应研究发现,随Al含量的增加Tb0.3Dy0.6Pr0.1(Fe1-xAlx)1.95合金中易磁化轴可能在{110}面逐渐偏离了立方晶体的主对称轴,发生自旋重取向,从而引起合金宏观磁性、磁致伸缩性能的变化.     

Zr-Ni合金的巡游电子磁性

用交流互感电桥测量了低温下非晶Zr_(1-x)Ni_x合金(x=0.24,0.36,0.50,0.64)的磁化率,对此类合金的磁性来源进行了探讨,提出Zr-Ni合金的低温磁化率中巡游电子磁性的贡献。Zr_(0.64)Ni_(0.36)在低温下表现出最明显的Curie-Weiss定律,其低温磁化率最大与合金的其它性质如密度、杨氏模量随Ni含量的变化在40％Ni附近的转折有联系。     

La2-xSrxCuO4体系正常态的低温反常输运与载流子的局域化

对La2-xSrxCuO4系列(x=0.06～0.20)样品的电阻率和霍尔系数等输运特性进行了系统研究.电阻率随温度变化的实验结果表明,对低掺杂样品,在正常态区域(T＞Tc),随Sr掺杂量的增加,各样品在低温区超导转变温度附近均发生了金属-绝缘体转变,且转变温度TMl随掺杂量的增加逐渐降低;对于最佳掺杂样品,其金属-绝缘体转变行为变得非常不明显,到x=0.18时完全消失.对正常态样品的霍尔系数而言,随温度的降低逐渐增大,且随Sr掺杂量的增加显示减小.表明载流子浓度随掺杂量的增加而增加.在低掺杂时,接近Tc的温区内霍尔系数RH迅速增大,随着掺杂量的增加Tc附近霍尔系数的增大变缓.霍尔系数在Tc附近的增大,表明低温区载流子浓度减少.电阻率和霍尔系数在低温区电输运的这种反常行为可从载流子的局域化角度给予初步解释.     

淬入空位在AuCu有序化过程中的作用

本文通过电阻测量研究了淬火和退火温度对AuCu合金有序化过程的影响,结果表明:1.AuCu合金的有序化过程可分为两个阶段:1)局部有序或有序相成核阶段,电阻上升;2)有序相(或畴)长大阶段,电阻下降。2.淬火后低温退火时,AuCu有序化主要是通过过饱和的淬入空位在金属中的移动而实现的。有序化的速度正比于淬入空位的浓度和移动率。3.通过有序化速度随淬火温度和退火温度的变化,测得AuCu中空位的形成能E_f和移动激活能E_m相应为0.95eV和0.81eV。4.在等温退     

Mo掺杂La_(0.7)Ca_(0.2)Ba_(0.1)Mn_(1-x)Mo_xO_3体系的磁电性质

本文采用固相反应法制备了高价态离子Mo掺杂的La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xMoxO3(x=0,0.01,…,0.06)多晶样品,研究了Mo掺杂对样品的结构、磁性和磁电阻的影响.X射线衍射谱证实所有样品均为具有正交对称性的钙钛矿结构.零场冷却(ZFC)和加场冷却(FCH=0.01T)下其磁化～温度(M～T)曲线的测量表明样品随温度降低发生了从顺磁(PM)到铁磁(FM)的相变,T相似文献   

Cr掺杂对Nd0.7Sr0.3MnO3电磁性质的影响

我们对多晶样品Nd0.7Sr0.3Mn1-xCrxO3(x≤0.30)进行了X射线衍射谱、电阻温度关系和磁化强度测量.实验发现:随Cr掺杂量的增加,样品的电阻率变大,电阻峰温度和居里温度降低,这是由Cr的介入弱化了双交换作用所致;在x=0.10附近,电阻出现了双峰现象,在其M~T上没有发现与低温峰对应的磁性异常;在锰位磁矩与Cr含量的关系中发现,Cr掺杂对样品的磁性几乎无贡献;通过分析,我们用相分离的图象解释了有关的现象.     

La1-x／2Pr1-x／2SrxCuO4的电输运性质和超导电性

La1-x/2Pr1-x/2SrxCuOy(LPSCO)多晶样品采用传统的固相反应法制备.X射线衍射表明:LPSCO具有典型的空穴搀杂的T-214相的结构.磁化率测量显示:Sr搀杂在0.05≤x≤0.30范围内具有超导转变;Tc随x的增大呈抛物线形式变化,且在x=0.18时达到最大值28K.电阻的测量显示:随搀杂量的增大,系统呈现从绝缘到半导体,最后到金属的导电行为的变化;在欠掺杂区,正常态电阻温度关系符合ρ(T)=ρ0 αT-ClnT;而在过掺杂区,对数项消失.本文从替代所引起的晶体结构和载流子特性变化解释了Sr掺杂样品的电输运行为和超导特性.