反射高能电子衍射系统（RHEED）

高能电子小角度（-2℃）掠射样品表面，可以得到电子衍射图像．通过分析电子衍射图像，可以进行表面晶体构造分析，晶体成长过程观察及成膜厚度的监控．     

反射高能电子衍射法（RHEED）

高能电子小角度（～2℃）掠射样品表面，可以得到电子衍射图像．通过分析电子衍射图像，可以进行表面晶体构造分析，晶体成长过程观察及成膜厚度的监控．     

超薄金属膜生长研究新进展

综述了近几年来超薄金属膜（只是一个或几个单原子层的薄膜）生长研究中的新进展，利用隧道电子显微术，热原子散射技术，反射高能电子衍射技术等方法，人们发现了许多有趣的新现象：如不同的生长形貌（分形生长，枝晶生长及团状生长）“再现的逐层生长模式”生长过程中沉积Ａｕ原子诱发的Ａｇ衬底表面空洞的形成等。     

反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究

以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As₄等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据. 关键词： 分子束外延 反射式高能电子衍射 表面重构 温度校准     

关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究

在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能，使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料，成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面，最佳生长温度窗口很小；反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和V/Ⅲ束流比不敏感，难于通过观察再构图案的变化，准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中，观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下，在 GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明：在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差，而在单层生长模式下量子阱光学性能较好，但是界面会变粗糙.利用这一特点，我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术，找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法. 关键词： 反射高能电子衍射 量子阱 分子束外延     

在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究

在晶体衍射理论基础上,利用运动学理论解释了反射式高能电子衍射（reflection high energy electron diffraction, RHEED）在Si-Ge晶体外延生长过程中不同阶段出现的花样．尤其研究了晶体岛状生长之后出现的RHHED透射式衍射花样,并给出了相应的解释．解释了硅锗外延生长过程中的多晶环图案和孪晶衍射图案的含义,并给出各个生长阶段演化的工艺条件． 关键词： 硅锗外延生长 反射式高能电子衍射 表面重构 透射式衍射花样     

SrTiO3同质外延过程中的反射高能电子衍射图案分析

在激光分子束外延实验中,用RHEED原位监测了SrTiO3基片初始、退火以及同质外延过程中的表面形态.通过对RHEED图案分析,获取了表面面内的晶格常数振荡与衍射条纹的半高宽振荡现象,前者是由退火重构表面与薄膜之间的界面造成的,后者与二维岛边界的弛豫相关.另外还观察到了等离子体对入射电子束的影响而导致的RHEED强度振荡行为的相位移现象. 关键词： 反射高能电子衍射 SrTiO3 表面晶格常数及衍射强度振荡     

分子束外延生长[111]晶向CdTe的研究

本文采用分子束外延(MBE)方法在BaF₂衬底上直接外延生长了CdTe(111)薄膜. 反射高能电子衍射(RHEED)实时监控生长表面, 衍射图样揭示了CdTe(111)在BaF₂表面由二维生长向三维生长的变化过程．XRD表征验证了外延生长的CdTe薄膜的单晶性质．由红外透射光谱测量和理论拟合相结合, 得到了CdTe外延薄膜室温带隙宽度E_g=1.511 eV.     

关于晶体衍射的劳厄方程和布拉格反射公式的关系──兼与张若森老师商榷

本文对大学普通物理课程中不介绍劳厄方程的情况下如何阐明布拉格反射所包含的晶体衍射图象作了讨论．强调所有原子都参与衍射过程，从而避免低年级学生中极易产生的将布拉格反射混同于入射束在晶体表面作几何光学式的反射的错觉．而在介绍戴维森－盖末电子衍射实验时，又应注意阐明低能电子衍射与Ｘ射线衍射的异同，以便对二维与三维衍射加以区别，而不致引起概念上的混乱．     

Ga束流低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物的研究

采用低流量Ⅲ族Ga束流在分子束外延中低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物.采用高能电子衍射监控衬底表面氧化物清理过程并得出氧化物清理速率及氧化层对高能电子的吸收系数.根据清理速率对衬底温度依赖的Arrhenius关系,估算了Ga辅助清理过程中发生化学反应所需要的活化能.Ga束流辅助清理衬底表面氧化物技术在外延生长中具有实...     

计算机仿真环境下电子双缝衍射的实验方案

在一般的近代物理实验教材中，关于电子衍射实验采用的是晶体表面反射衍射或金属箔透射衍射。本文提出一套基于双缝衍射的、用于研究微观粒子波粒二象性的电子衍射实验方案，并且鉴于在一般的实验中不具备进行电子双缝衍射实验的条件，本实验方案是在电子双缝衍射计算机模拟的仿真环境下进行的。     

反射电子显微术原理和应用

本文介绍了反射电子显微术的基本原理、方法及应用．反射电子显微术分辨率高，可同时得到有关表面形貌和结构的重要信息，可进行表面结构变化的动态观察，可用来观察表面单原子高度台阶、位错、表面相变及有关现象．     

基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究

利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR-PEMOCVD)方法，采用二茂锰(Cp₂Mn)作为Mn源，高纯氮气作为氮源，三乙基镓(TEGa)作为Ga源，在蓝宝石(α-Al₂O₃)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向，表明制备的薄膜倾向于     

张量低能电子衍射表面结构的自动搜寻：十年来表面结构研究的重要发展

低能电子衍射方法虽然是表面结构研究的有力工具，但由于是一种尝试－修正方法，用来研究复杂表面结构就很难得到确定的结果．经过近１０年来的努力，已经发展起来了张量低能电子衍射结构自动搜寻计算程序包，使研究工作效率得到极大提高．文章对此方法的框架作了简明的介绍     

菊池图在高能电子衍射实验中的应用

本文提出了在高能电子衍射实验中，当加速电压改变时利用菊池图测量电子波长变化值的方法。     

高能离子注入及其应用

本文介绍了高能离子（Ｍｅｖ／ａｍｕ）与固体相互作用的特点，综述了近几年来高能离子注入技术在制备多层结构晶体管、减少载流子寿命、材料表面改性及增强薄膜与基体粘着力等方面的研究概况．     

用氢钝化Si（100）面抑制分子束外延界面的硼尖峰

采用一种新的简便的氢钝化方法，可以在Ｓｉ（１００）衬底表面获得稳定的钝化层，用俄歇电子能谱，反射式高能电子衍射，Ｃ－Ｖ和二次离子质谱等方法对衬底表面及其上面生长的分子束处延层进行检测，发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污，降低退火温度至少２００℃，并完全消除处延层与Ｓｉ（１００）衬底界面处的高浓度硼尖峰，在此基础上，结合衬底表面锗束处理的实验结果，对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化     

等离子辅助分子束外延技术研究生长在Si(111)衬底的氮化镓pn结

利用等离子辅助分子束外延系统研究了生长在硅(111)衬底的氮化镓pn结,并将其应用于光学器件．硅和镁分别用做n和p掺杂,反射高能电子衍射图像显示氮化镓pn结层具有良好的表面形貌,结层厚度约为0.705 nm,且为六方结构．室温下X射线衍射对称摇摆曲线中(0002)面的ω/2θ显示,半峰宽为0.340,说明氮化镓pn结质量高．另外,在硅和镁掺杂样品中没有A1峰淬灭．光致发光光谱表明pn结样品具有良好的光学性能．镍和铝作为分别作为正面和背面的电极接触应用于光学器件,该器件的电流电压特性显示了典型的异质结整流特性．正向接触镍经过氮气中退火处理10 min,结果表明,600 oC处理的样品比400 oC处理和未经处理的样品具有更高的增益．     

分子束外延生长Sb薄膜及其量子尺寸效应

在GaAs(001)衬底上，用分子束外延生长Sb(111)薄膜，用反射式高能电子衍射仪原位监控生长过程，用透射电子显微镜观察薄膜结构，并用van der Pauw方法测量了电阻率随生长温度的变化，观察到Sb薄膜半金属/半导体转变及其量子尺寸效应． 关键词：     

ZnS(110)表面原子几何与电子特性的计算

用总能量最小方法，确定了ZnS(110)表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果．利用格林函数的散射理论方法，计算了题ZnS(110)表面的电子结构，与第一性原理的计算结果进行了比较．讨论了晶格弛豫对表面电子特性的影响． 关键词：