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开特摆等值摆长的确定于颖 (辽宁大学物理系)在学生做开特摆实验时,常常被找不到等值摆长所困扰,用了很多时间和精力,去寻求T正一X和T倒一。两曲线的交点.由于等值摆长选的不合适,两曲线不相交而常使实验失败.采用“极值判定法”可以指导学生迅速找到等值摆长... 相似文献
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成功制备了结构为ITO/PDDOPV/PPQ/Al的异质结聚合物发光二极管。该器件在正反向偏压下均可发光。在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV,但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射。蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加,当反向直流电压分别为22V、24V、26V、28V时,其电致发光光谱中PPQ与PDDOPV的峰高比IPPQ/IPDDOPV分别为1.092、1.329、1.605、2.046。换句话说,该器件的发光颜色是压控可调的,这对实现彩色显示是极为有利的。分析了在反向偏压下的发光机理以及IPPQ/IPDDOPV受电压控制的原因。 相似文献
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从音乐贺卡上取下红、绿二只发光二极管,将两只二极管反向并联.先用一节干电池给反向并联的两只二极管通电,发现其中一只二极管发光,调换干电池两极(即改变电流方向),另一只二极管发光,说明二极管有单向导电性.再将反向并联的两只二极管与一个约200匝的漆包线圈组成闭合回 相似文献
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研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN/n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层.在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触,有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触.正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加.
关键词:
GaN
紫外探测器
V形坑
反向漏电 相似文献
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将生命科学中的物理问题分为四类:第一,关于生命的起源和进化;第二,关于密码-序列-构象-动力学(功能)的反向生物学路线;第三,关于生物自组织;第四,关于脑信息处理和向生命学习的问题.文中就每一类列举了若干基本的物理问题. 相似文献
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艾志玮 《工程物理研究院科技年报》2004,(1):337-337
多分辨率并行等值面绘制技术的研究与开发成为提高数据处理规模和效率的一个重要途径。本文提出基于C/S工作模式的并行等值面绘制的解决方案,即在高性能并行机上实现等值面并行提取,在远程图形工作站上实现等值面的显示。该解决方案采用并行处理、网格简化和制定显示调度策略等关键技术,实现分布式环境下远程可视化及动态多分辨率显示。并行处理加快等值面的提取,获得良好的加速性能;利用层次细节模型(LOD)技术对等值面表面进行简化,制定显示调度策略实现模型的局部选择显示和动态多分辨率显示,提高系统的交互性能。 相似文献
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有效的解题途径──逆向思维法叶毅宁(广州市理工中专学校510380)思维能力是智力结构的中枢,在感知事物的基础上,通过思维,人们可以认识事物的本质和规律性,而由于在实际中所要解决的问题各不相同,所以思维的方式就不尽相同.逆向思维,或叫反向思维.即“反... 相似文献
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导出了用多方指数n、温度T及熵S表示的多方过程方程,得出T-S图中多方过程曲线的斜率与多方指数n的关系式.讨论了各等值过程的T、S关系式及在T-S图中过程曲线的斜率表达式. 相似文献
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己知信号的计算机快速识别 总被引:1,自引:1,他引:0
从计算机模拟和14N远程NQR实验上研究了神经网络在对已知信号的自动识别问题.证实了多层网络的反向传播算法对解决这一问题的有效性.实验结果表明.在信噪比很低和存在很强的干扰条件下,B-P算法仍然保持了很高的识别率(≥90%).这在远程NQR实际应用中是非常有意义的. 相似文献