持久光谱烧孔动力学的理论模型和实验研究

建立了单光子光化烧孔的三能级模型，求解了反映质子转位变构机制的速率方程组，推导了成孔过程的动力学特性，获得了可与实验进行比较的解析解．用时域和频域两种方法测量了ＴＨＰ／ＰＭＭＡ和ＴＭＰ／ＰＭＭＡ薄膜样品光谱烧孔的动力学过程，得到与理论分析一致的规律，并测得了有效成孔速率和成孔时间等参数．这些参数对于评价频域光存贮材料性能有一定意义．     

用于声光相关/卷积器的双向声光偏转器

本文提出了用于声光相关／卷积器的双向声光偏转器的设计、制备和测试结果．两个通道的中心频率均为175MHz，带宽70MHz，衍射效率30％，渡越时间7μs．已在空间相干器时间相干器系统中得到应用．     

电路参数宽范围变化时电流控制开关变换器的动力学研究

以电流控制Buck—Boost变换器为例,通过对输入电压和负载电阻等电路参数宽范围变化时开关变换器的开关状态的完整描述,导出了电流控制开关变换器的两个电感电流边界,建立了它的精确离散时间模型,并利用分段线性模型验证了离散时间模型的正确性．基于离散时间模型,揭示了开关变换器存在周期分岔、边界碰撞分岔、鲁棒混沌和阵发混沌等复杂动力学行为;通过推演Jacobi矩阵,给出了电路参数变化时最大Lyapunov指数和特征值的运动轨迹;并采用参数空间映射图,由电路参数域对开关变换器的工作状态域进行了估计．最后进行了电路实验制作,实验观察结果与理论分析结果～致．本文系统研究了开关变换器的动力学理论,其分析方法和研究结果对开关变换器的设计及控制都具有重要的指导意义．     

1.06 μm连续激光辐照TiO2/SiO2/K9薄膜元件温升规律研究

利用1．06μm连续激光在不同强度下辐照TiO2／SiO2／K9薄膜元件，实验中用红外热像仪测量激光辐照在TiO2／SiO2／K9元件表面引起的温升随时间的变化，通过数据处理，获得激光辐照区域最高温度随辐照时间的增加而增加。同时，给出材料温升随材料发射率的变化关系。并用程序模拟不同激光强度下薄膜温度场的分布，通过实验测量数据校正数值模拟计算结果，给出TiO2／SiO2／K9薄膜元件温度随激光辐照强度和辐照时间的变化规律。并且获得在薄膜厚度方向：薄膜表面温度最高，基底与薄膜接触处温度最低；沿径向：激光辐照中心温度最高，边沿温度最低。     

水分子在不同电荷态的重离子作用下的离化作用

运用舍时密度泛函理论和局域密度近似方法，计算了水分子H2O在速度为12．5a0／fs的重离子C^＋和C^2＋作用下产生的各种电荷态的水分子离子的几率，平均逃逸电子敷和偶极矩的变化随时间的演化，计算结果表明，在重离子势最大时，电偶极矩的变化最大；重离子远离分子时，重离子的电荷态越高，产生高电荷态分子的几率反而越小。     

1,2-丙二醇协同松弛的DSC研究

利用差示扫描量热法(DSC)研究了1,2-丙二醇在不同降温速率下的协同松弛行为，以曲线拟合方法获得非线性Adam-Gibbs焓松弛参数．结果表明，模型参数强烈依赖于降温速率．在较高降温速率下获得的模型参数和用比热频谱及介电方法得到的结果很接近．利用DSC测得的比热容数据和拟合结果估算了1,2-丙二醇体系非线性AG理论的两个主要微观参数，即协同重排域(CRR)尺寸z*和对应的位形态数量W*．结果表明，如果采用聚合物玻璃推荐的W*，则会导致1,2-丙二醇在玻璃化温度处的CRR中的分子数小于1．而如果采用Johari的方法，则可得到玻璃化温度处的CRR中约有3个1,2-丙二醇分子，但随之产生的W*却异常的大．利用Donth的热力学温度波动公式估算得到的1,2-丙二醇在玻璃化温度处的CRR中的分子数为355，这和Johari方法得到结果难以统一．表明对于小分子氢键液体而言，非线性AG理论中z*的物理意义应重新审视．     

液氦温区La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3(x=0.15)体系的磁电阻弛豫效应

实验上研究了液氦温区Ｌａ２／３Ｃａ１／３Ｍｎ１－ｘＣｕｘＯ３（ｘ＝０－１５）单相多晶样品给定磁场下的电阻随时间的变化,发现磁电阻随时间变化并非遵从对数规律而是呈指数型变化行为．对这一指数型磁电阻弛豫行为的可能起因进行了讨论,指出这是与Ｍｎ位上Ｃｕ掺杂将额外磁性杂质引入到样品中有关 关键词：     

30MeV/u~(40)Ar ~(159)Tb反应中中等质量碎片的发射时标与发射机制

报道３０ＭｅＶ／ｕ４０Ａｒ＋１５９Ｔｂ反应中碎片碎片关联函数的实验结果．利用三体弹道模型从关联函数提取了中等质量碎片发射时间．中等质量碎片的平均发射时间随碎片能量而变化，从低能时的约５００ｆｍ／ｃ下降至高能时的约１００ｆｍ／ｃ．中等质量碎片发射时间随束流能量的升高而下降，表明随着束流能量的升高中等质量碎片发射机制逐渐从相继两体衰变向多重碎裂发射过渡．对于４０Ａｒ＋１５９Ｔｂ反应，此过渡能区在３５—４５ＭｅＶ／ｕ之间     

普通话带鼻尾零声母音节中的协同发音

普通话有／n／和／η／两种鼻尾．带鼻尾的零声母音节用（V）VN表示．有8种（V）Vn，8种（V）Vη．本研究用的实验材料是由15位男人念的带声调的所有（V）VN音节．本实验看到，（V）VN中元音部分终点的舌位不仅受到／n／和／η／不同发育部位的逆向协同发音作用，而且受到（V）V中不同主要元音的顺向协同发音作用。普通话跟英语等语言一样，鼻辅音前面元音共振峰过渡是区分／n／和/η／的最重要依据．根据（V）VN中（V）V终点或／和起点共振峰频率，可以把其（V）V在一定程度上跟其在共振峰模式相似的单元音，或复合元音加以区分．本实验还看到，（V）V和N的时长都受到声调的协同发音作用．上声使（V）V最长，阳平的次之，阴平和去声的最短；阴平，阳平和上声的／n／和／η／时长大致相同，它们都比去声的长；上声使（V）VN最长，去声的最短，阳平比阴平的长．本实验还看到，鼻韵尾时长以及（V）V／N的时长比值与其前面主要元音为低的和非低的特征有关．     

高击穿电压的AIGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

就蓝宝石衬底上制备的AlGaN／GaN场（field plate）HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比．结果证明两种结构的器件直流参数变化不大，但是采用场板后器件的击穿电压从52V提高到了142V．在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真，深入分析了FP对器件击穿电压的影响．     

Gd1-xCaxBa2Cu3O7-y高温超导体压力效应的研究

研究了Ｇｄ_1-xＣａ_xＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-y（０．０≤Ｘ≤０．２０）高温超导体在常压和高压下的超导电性在１－３００Ｋ温度范围内，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ对顶砧获得压力达９．０ＧＰａ，测量了（Ｘ＝０．１０，０．１５，０．２０）样品的ｄＴ_c／ｄｐ分别为７．６８，７．８和４．４６Ｋ／ＧＰａ。发现Ｔ_c的压力导数随着ｃａ²⁺含量的增加而下降，分析了氧含量对Ｔ_c和ｄＴ_c／ｄＰ的影响．利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变，说明ＣｕＯ₂面在超导电性上的作用，用ＣｕＯ₂面之间耦合解释Ｔ_c（Ｐ）曲线的非线性关系。 关键词：     

不同晶面与应变状态下Si/Ge应变异质界面的价带能量不连续性

结合应变异质界面能带排列的平均键能理论和形变势方法，确定了三种不同衬底上生长的Ｓｉ／Ｇｅ系统在（００１）和（１１０）两种不同晶面上的价带能量不连续值（Ｅ_v）得出了Ｓｉ／Ｇｅ系统的Ｅ_v值随其衬底Si_1-xGe_x的组分x变化的定量关系结果表明，Ｓｉ／Ｇｅ系统价带平均能量的不连续性（Ｅ_v，ａｖ）基本不随应变状态的不同而变化，而最高价带的Ｅ_v值则表现出对弹性应变的高度敏感性（变化量约达０．５ｅＶ），此效应主要来源于单轴应力对价带结构的影响．Ｓｉ／Ｇｅ系统在（００１）面和（１０）面上的Ｅ_v值略有差别，表现出弱的晶格取向的相关性本文对（００１）面的计算结果与新近的归一保持赝势方法的大型超原胞计算结果以及相关的实验值相当一致． 关键词：     

S/S′层状超导体的穿透深度

在Ｓ／ Ｓ′层状超导材料中,由于邻近效应的存在,其超导电性在垂直于层的平面方向是空间变化的．本文通过一个Ｓ／Ｓ′系统的邻近效应模型,其中Ｔｃ,Ｓ＞ Ｔｃ,Ｓ′,研究了磁场穿透深度λ（Ｔ） 在材料及样品参数变化时的特性．研究表明,随着Ｓ′层的厚度、超导转变温度、电阻率、以及Ｓ／Ｓ′的层间耦合强度的改变,λ（ Ｔ） 显示出丰富的特性,其中许多特征与近年来对常规超导系统及高Ｔｃ 超导材料中的测量所得的结果类似     

熔融织构YBCO块材磁通动力学参量的磁光图像研究

通过磁光图像研究熔融织构ＹＢＣＯ块材的剩余磁感应强度在空间的分布和随时间的变化,推算出样品的局域有效激活能Ｕ（ｘ,ｔ）和局域电流密度Ｊ（ｘ,ｔ）以及对数时间尺度ｔ０．实验结果表明在此样品中Ｚｅｌｄｏｖ磁通蠕动模型Ｕ＝Ｕｃｌｎ（Ｊｃ／Ｊ）仍然是有意义的     

氢化物发生-等离子体发射光谱法测定人发、血液和尿中砷

本文应用氢化物发生－离子体发射光谱法（ＨＧ－ＩＣＰ－ＡＥＳ）测定了人发，全血及尿中砷。并对盐酸介质，硼氢化钾浓度，清洗时间等相关参数进行了考察研究，应用本法对人发，冻干人尿，茶叶等国家级标准样品砷含量进行了测定对照，ＲＳＤ为５％左右，检出限由３５￣４０ｍｇ／ｍＬ降至０．８￣１．６ｎｇ／ｍＬ，下降近２个数量级，方法精密度及准确度均较满意。     

空间相干性的演示

当光源的空间相干度下降时，非定域干涉条纹随之变化为定域条纹．本文用Ｈｅ－Ｎｅ激光器、透镜和毛玻璃屏组成一个时间相干性极好而空间相干性连续可调的光源，在迈克尔逊干涉仪上形成干涉条纹，对该干涉条纹进行观察，以便了解光源的空间相干性．     

复用器/解复用器滤波特性研究

研究了复用器／解复用器（MUX／DEMUX）滤波特性对光网络系统的影响。考虑了滤波器的带通特性，在噪声为高斯分布的前提下，分析了光网络节点对传输速率为10Gbit/s的光信号的影响。结果表明，光网络节点传输函数中央平坦区域的微小抖动（0．2dB-0.5dB），引起系统性能的严重恶化，最坏情况下功率代价增加2dB-6dB）；并且中央区域凹陷个数不同，对系统性能的影响也不同，引起功率代价的判别达到1dB－5dB。     

[Fe/Cr]多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应

用真空蒸镀方法制备了［Ｆｅ／Ｃｒ］，［Ｆｅ／Ｃｒ／Ｓｉ］和［Ｆｅ／Ｓｉ］多层膜．研究了Ｃｒ层、Ｓｉ层和Ｃｒ＋Ｓｉ层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响．Ｆｅ层厚为２ｎｍ，Ｃｒ层厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡．磁电阻值为１４.６％（４.２Ｋ）．在Ｃｒ层中加入一半Ｓｉ层或全部由Ｓｉ层替代，振荡消失，磁电阻减小到千分之几．根据掺Ｓｉ层后多层膜的电阻率变化，认为Ｓｉ加入使非磁层中自由电子数减少，随之极化效应也变弱，导致振荡消失，磁电阻大为降低 关键词：     

切换电路系统的复杂行为及其机理

建立了不同类型Jerk电路之间存在开关的切换电路系统．基于平衡态分析,指出随参数的变化,两子系统分别存在着稳定的焦点以及由Hopf分岔导致其失稳而产生的周期振荡．考察了开关周期切换引起的各种复杂行为,分别给出了点／环和环／环切换周期振荡现象及其相应的产生机理．在不同的切换振荡过程中,切换点的数目随参数的变化会产生倍化序列,导致系统由倍周期分岔进入混沌,同时,由于参数的变化影响着子系统周期振荡的幅值,进而引起整个切换系统吸引子结构的变化．     

1+1/2对转涡轮低压动叶激波结构的研究

本文对1 1／2对转涡轮低压动叶中激波结构等进行了详细的数值模拟．通过对流道中静压和马赫数等参数的分析发现,当高压动叶外伸波扫过低压动叶流道时,低压动叶前缘吸力面处产生了一道脱体弧形激波,流道中吸力面上产生了一道正激波,在脱体激波和正激波之间,存在着较强的膨胀波,这种分布与跨音压气机叶栅中的波系结构相似．当高压动叶尾迹扫过低压动叶时,低压动叶吸力面的压力会产生明显的波动,出现一个随时间变化的低压区．