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本文用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O(12),(Ba3K)Bi4O(12),(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O(12),K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi(+3)和Bi(+5)二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化.“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O(12)是Eg=2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12是Eg=1.6eV其价带顶有少量空穴的半导体.其余“样本”是金属.芯态的LDF本征值经原子模型△SCF修正更接近实验值.用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响,结合任意组份五种“样本”的伯努利分布,计算芯态电子能谱随x的变化.结果表明,所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符,Bi(+3)和Bi(+5)二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于0.2eV,K掺杂使各芯态结合能略有增加,其中Bi(4f),Ba(5d)约1.3~1.5eV,其他芯态约0.4eV,以上计算结果与实验基本一致. 相似文献
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本文报道了6种取代苯胺基亚胺二茂铁类化合物R-N=CH-Fe(-Fe为二茂铁基,R为-C6H4X,(X=H,4-Br,4-OH,2-CH3,4-COOH)及4-NHC6H4NO2)的Mossbauer谱数据,其化学位移分别为(mm.s^-1):0.323,0.332,0.338,0.324,0.315和0.310。其四极矩分裂值分别为(mm.s^-1):2.263,2.285,2.287,2.21 相似文献
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中国物理学家(1900—1959年)的贡献(六)吴水清(中国科学院高能所北京100039)4.60萨本栋于40年代从事各种真空管的性能和效能的研究.4.61卞彭于40年代研究氧化物阴极,最早确定氧化物阴极脉冲发射和直流发射的一致性.4.62戴振锋于4... 相似文献
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《Chinese Journal of Lasers》1994,(6)
AuthorIndextoVolumeB3,1994Alda,J.--(3),265GuoHong--(2),129,137;(4),317;(5),421;Bernabeu,E.--(3),265(6),529,533CatShangda--(4)... 相似文献
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制备了四氯四铜酸苯铵盐(C6H5NH3)2CuCl4单晶,Mr=187.26,由四园衍射数据确定了晶体结构,晶体属单斜晶系,空间群P21/a,a=0.7184(1),b=0.7448(2),c=1.5070(4)nm,β=100.67(2)°,V=0.7924nm^3,Z=2,Dx=1.650gcm^-3,(Mo,Ka)=0.071069nm,μ=4.056mm^-1,F(000)=389,R=0 相似文献
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利用双光子吸收,将Na(3S)原子激发到4D态,测量了Na(4D)+Na(3S)=Na(4F)+Na(3S)碰撞能量转移截面,因为直接由4F→3D的荧光不能探测,所以检测3D→3P级联荧光讯号。结合基态钠原子密度的测量,给出了截面值σ4D→4F-1.3×10^-14±28%(cm^2)。 相似文献
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本文分析了九个被羟基和和(或)甲氧基取代的苯乙酮类化合物的碳谱数据,首次提出了理论计算这类化合物芳环碳化学位移的计算公式以及羟基和甲氧基的取代参数。羟基的取代参数分别为:30.4(Z),-13.2(Z)(Zm)和-7.8(Zp),甲氧基的取代参数分别为:30.5(Zi),-14.1(Zo),0.6(Zm)和-7.2(Zp)。计算公式分别为:δC1=137.3+ΣZδC4=133.0+ΣZresume 相似文献
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用一维能带理论计算了清洁Ag(111),Ag(110)和Ag(001)表面的弛豫。计算结果显示出,当d1=2.640(膨胀4.2%)和d2=2.920(膨胀23.8%)〔对ng(111)〕;d1=1.375±0.008(收缩4.8%±0.008)[对Ag(110)」;d1=2.048±0.005(膨胀0.24%±0.005)[对Ag(001)〕时,理论计算的LEED谱与实验非常一致。 相似文献
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激光沉积法制备(Y1—xHox)Ba2Cu3O7—δ薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了用激光沉积法在(100)LaAlO3衬底上制备(Y1-xHox)Ba2Cu3O7-δ(x=0,0.2,0.4)超导薄膜.结果表明,新超导薄膜表面光滑,具有很强的c轴织构,零电阻温度Tc0约91K,最佳临界电流密度Jc为4.7×106A/cm2(77K). 相似文献
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Bai Jingzhi Bian Jianguo Chai Zhengwei Chen HongfangChen Jiangchuan Chen Shaomin Chen Yaqing Chen YuanboCheng Baosen Cheng Baosen cui Xiangzong Ding Huiliang Du Zhizhen Fan XiaolingFang Jian Gao Cuishan Gao Meili Gao Shuqi Gu Jianhui Gu ShudiGu. Wei 《中国物理 C》1997,(5)
分析J/ψ衰变终态为三个光子的衰变道,测量得到了衰变道J/ψ→γπ0和J/ψ→γη’的分支比分别为Br(J/ψ→γπ0)=(4.6±1.1)×10-5和Br(J/ψ→ッη')=(4.12±0.82)×10-3;相对分支比F(J/ψ→γη’)/F(J/ψ→γη)=4.79±0.85,在实验误差范围内与两个理论模型的预言都能一致。 相似文献
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用第一原理的LDFLMTOASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=16eV及Eg=15eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=05.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变 相似文献
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第五届非物理类专业大学生物理竞赛试题及解答(1989北京)试题一、选择题(共24分,每小题4分)每小题选出正确答案(一个或几个)把它的符号填写在括号内.1、已知质点的运动学方程为r=2ti^+(4-t2)j^,在t>0的时间内的情况是().(a)位置... 相似文献
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本文给出了发射探针和电容探针测量等离子体电位的实验和方法。发射探针采用直流功率加热,并在较强电子发射条件下运行(I_(e0)/I_(e0)>1)。电容探针表面二次电子发射系数δ≥1。本文对发射探针的电子发射性能、工作电流、电容探针的输入、输出电压关系进行了标定实验。得到了电容探针的校准系数分别为3×10(-3)、5×10(-4)。实验给出了MM-4会切中心等离子体电位V_(p4)=-82±9-122±12V;MM-4U东、西会切中心等离子体电位分别为V_(P4u1)=-52.9±3.2V,V_(P4u2)=-62±3.2V。 相似文献
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氢化—AFS法测定青藏高原中草药中的微量砷,锑,硒和汞 总被引:24,自引:0,他引:24
索有瑞 《光谱学与光谱分析》1997,17(5):103-107
本文研究了氢化物发生无色散原子荧光法测定青藏高原中草药中的微量砷,锑,硒和汞的方法,在选定的最佳工作条件下,14种干扰元素的含量低于允许存在量,不影响测定,检出限(μg/mL)为:As1.3,Sb0.39,Se0.24,Hg0.44,9次测定的相对标准偏差(%)的为As2.4~4.2Sb2.5~5.6,Se3.1~5.0,Hg3.8~5.9。4个元素的回收率为94.7~105.4%本方法简便,快速 相似文献