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介绍了纳米压痕测试技术的基础理论及纳米压痕法常用的Oliver -Pharr方法的计算原理。采用纳米压痕试验测得不同表面粗糙度的Li2O-Al2O3-SiO2微晶玻璃样品的纳米硬度、弹性模量和载荷-位移曲线。结果表明样品表面粗糙度会降低纳米压痕测试结果的稳定性、准确性和可靠性:样品表面粗糙度越小,测得的纳米硬度和弹性模量值波动越小,载荷-位移曲线重合性越高。随着最大载荷的增大,测得的弹性模量逐渐减小,其原因是压痕边缘材料发生了塑形变形。在超光滑表面样品(Ra=0.9 nm)上测得较为准确的Li2O-Al2O3-SiO2微晶玻璃纳米硬度和弹性模量值分别为8.8 GPa和7.79 GPa。纳米压痕测试结果的重合度对于评价超光滑表面完整性研究具有指导意义。 相似文献
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采用差热分析(DTA)、X-射线衍射分析(XRD)和扫描电镜(SEM)等分析手段研究了P2O5、TiO2、ZnF2作为晶核剂对Li2O-Al2O3-SiO2(LAS)系统微晶玻璃形核和晶化的影响。结果表明:P2O5晶核剂能获得小尺寸的晶粒,晶型为球形或多面体形,析晶的可控制性良好;TiO2晶核剂析晶温度较高,析晶强烈,形成条状细晶;ZnF2晶核剂能获得小尺寸球状晶粒,析晶温度较低,但对温度过于敏感。P2O5作为晶核剂可以获得理想小晶粒的透明微晶玻璃,从而适合于用作新型硬盘基板。 相似文献
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利用磁控溅射方法在Si(111)衬底上制备了具有(111)和(222)择优取向的TiN薄膜. 用纳米压痕和纳米划痕方法研究了该薄膜的变形和断裂行为. 用扫描电子显微镜、纳米压痕原位原子力显微镜及原位光学显微镜并结合加-卸载 曲线及划痕曲线获得了薄膜发生变形和断裂的微观信息. 在压痕试验中, TiN薄膜在压入深度为200 nm时表现为塑性变形及压痕周围的局部断裂, 随着压入深度的增大, 塑性变形和局部断裂变得越显著, 当最大压入深度达到临界值1000 nm时, 薄膜和衬底间发生了界面断裂. 在划痕实验中, 100 mN及200 mN的最大载荷均可以引起界面断裂. 最大为200 mN的载荷使得薄膜发生界面断裂的位置比用100 mN载荷时的位置提前, 但其临界断裂载荷和100 mN时及压痕实验时的临界界面断裂载荷基本相同.
关键词:
TiN薄膜
纳米压痕
纳米划痕
界面断裂 相似文献
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通过使用波长 800nm、重复频率 250kHz的飞秒激光脉冲聚焦进Li2O-Nb2O5-SiO2组分的玻璃内部,空间选择性诱导出铌酸锂微晶.为了进一步地研究辐照区域晶体的生长机制,使用显微拉曼光谱仪分析了玻璃样品辐照区域不同位置的结构变化.研究表明,在飞秒激光辐照一段时间后的聚焦区域,由于非线性效应和热累积效应形成了一个高温辐射梯度场,在激光辐照中心区域超过玻璃的析晶温度而促使玻璃熔融析晶. 相似文献
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本文采用纳米压痕技术对固相烧结法制备的 MgB2 超导块材进行压入力学实验, 对不同压深的载荷-位移曲线和纳米压痕数据的再现性进行了分析, 实验数据使用 Oliver-Pharr 方法计算得出 MgB2 的硬度值, 借助经验方程拟合纳米压痕蠕变曲线求得蠕变速率敏感指数(m ) . 结果表明, 微观结构不均匀性会对材料在压头压入过程中抵抗外力作用时产生影响, 使压痕数据再现性变差; MgB2 的硬度表现出尺寸效应, 即随着压入深度的增加硬度逐渐下降;m 值随压入深度增加而增加是位错滑移速度加快的结果. 相似文献
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热处理对Li2O-Al2O3A-SiO2系统玻璃性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
测量了线性升温热处理后Li2 O Al2 O3 SiO2 系统零膨胀微晶玻璃V0 2的性质变化。在一个较小的温度区间内 ,玻璃物理性质由于相变而出现显著变化。折射率增加 175× 10 -4、密度增加 0 .0 94g/cm3 、热膨胀系数降低4 1× 10 -7/℃、努普 (Knoop)硬度增加 18.6MPa、线收缩达 1.12 %。短波区透射率随着热处理温度的升高先出现下降而后再次上升。实验结果为大尺寸微晶玻璃毛坯的晶化工艺过程提供有实用意义的建议 相似文献
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The objective of this work is to develop an experimental indentation based method to determine the fracture force at the interface of Pd thin films and SrTiO3 perovskite substrate. This paper reports on the results obtained for indentation into Pd thin films which were deposited in various thicknesses from 20 nm to 200 nm under vacuum and 300 °C substrate temperature by an electron beam physical vapor deposition. Initially, the relation between grain size, elastic module and hardness was considered as a function of film thickness. Thereafter, in developing new method, oscillating indentation was performed with different applied forces and oscillating times in order to measure the critical fracture force in each thickness. The effect of oscillating time on plastically deformed regions surrounding an indentation was schematically explained in conjunction with variation of oscillating time to determine the interfacial properties of the Pd thin film. Furthermore, the accuracy of the critical fracture force was ensured by applied force versus piling up height plot. The method is validated experimentally for the soft thin films over the hard substrate. However, further study would be essential to measure the film adhesion by means of fracture force at the interface. 相似文献
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本文在以前工作的基础上,用电子计算机计算了Li_2O-B_2O_3-SiO_2,CdO-B_2O_3-GeO_2和Li_2O一B_2O_3-TeO_2三元玻璃系统的NMR数据(N_(BO_4)),和实验结果相比较,根据相图原理,提出了一种新的玻璃结构模型,即相图模型.作者认为:玻璃和晶体具有相似的结构,多成分玻璃则是由相图中最邻近的同成分熔融化合物组成的混合物,且各化合物的量可按“杠杆原理”计算,即相图模型.对于未知相图的三元系统,在相图模型的基础上,作者作了一些简单的假设并进行修正. 相似文献
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Al2O3陶瓷涂层尖端受载下的声发射信号参量分析 总被引:2,自引:0,他引:2
为了考察再制造零件涂层结合强度检测仪评价涂层结合强度的可行性,以Al2O3陶瓷涂层为研究对象,在涂层表面进行压入试验,提取并分析了试验过程中声发射信号中的幅度、计数、能量与有效值电压(RMS)特性参数的时间分布曲线,读取了声发射信号突变点的波形,观测了压痕处涂层截面微观形貌。结果表明,声发射信号出现明显突变时,涂层界面确实产生了开裂失效。采用此检测设备可以有效诱导、界定涂层界面的断裂失效,声发射信号可以作为涂层开裂的临界判据,其中幅度的时间分布更能体现出Al2O3陶瓷涂层在压入过程中的裂纹萌生至涂层断裂的扩展过程;能量值对涂层的失效更为敏感,最为适合评价涂层的结合强度。 相似文献
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基于密度泛函理论的第一原理赝势法,研究了Mg在Li(Co,Al)O2中掺杂前后的电子结构的变化.通过能带和态密度的分析,发现Mg掺杂后在价带中引入了电子空穴,同时价带展宽,这两个电子结构的显著变化是引起Li(Co,Al)O2导电率提高的主要机理.通过对Co3d电子态密度的分析发现,在二价Mg掺杂后,Li(Co,Al)O2中的Co价态升高,介于Co3+和Co4+之间.从能带计算出发,进一步定量给出了Co和O的平均价态的变化.
关键词:
Li(Co
Al)O2
电子结构
第一原理
电导 相似文献
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铝硅酸盐Raman活性分子振动解析 总被引:4,自引:1,他引:3
分别测定了蓝晶石、红柱石和硅线石三种铝硅酸盐天然矿物晶体以及K2O-Al2O3-SiO2三元铝硅酸盐玻璃的Raman光谱。构建了一组硅铝四面体聚集体结构模型,采用量子化学自洽场分子轨道从头计算的方法计算了其Raman振动频率。分析研究了上述Raman光谱振动特征,确定了特征谱峰的归属,解析了铝对铝硅酸盐Raman活性分子振动特征的影响。结果表明,随四配位铝的增加,导致800~1 200 cm-1波数区间内谱峰频率降低,该区间的谱峰是Si—Onb间非桥氧对称伸缩振动引起的,其中不含Al—O振动;700~800 cm-1区间内出现的谱峰归属于Al—Onb间非桥氧的对称伸缩振动。 相似文献