Ⅱ—Ⅵ族化合物注入式发光的进展

本文是一篇Ⅱ-Ⅵ族化合物注入式发光的情况报告。对用于注入式发光器件的已知的和潜在的材料作了简要的评论,并对Ⅱ-Ⅵ族化合物与其它材料的优缺点进行了对照比较。接着讨论了Ⅱ-Ⅵ族化合物的一般特性,这些特性直接影响注入式发光器件的性能,包括:施主和受主的溶解度、补偿现象、以及缺陷中心的本质。在讨论用来获得注入式发光的各种结构时,对其中两例做了比较详细的描述,一是p-n结型器件,一是单一导电类型器件。估价了以Ⅱ-Ⅵ族化合物制作注入式发光器件的前途,其中涉及到我们的知识不足的一些方面,这些方面应当作为进一步研究的焦点。     

Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究进展

半导体异质结在探索新奇物理和发展器件应用等方面一直发挥着不可替代的作用.得益于其特有的能带性质,相对较窄的带隙和足够大的自旋轨道耦合相互作用,Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结不仅在红外器件应用方面具有重要的研究价值,而且在拓扑绝缘体和自旋电子学等前沿领域引起了广泛的关注.尤为重要的是,在以CdTe/PbTe为代表的Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结界面上发现了高浓度、高迁移率的二维电子气.该电子气的形成归因于Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结独特的扭转界面.进一步的研究表明,该二维电子气体系不仅对红外辐射有明显响应,而且它还表现出狄拉克费米子的性质.本文系统综述了近年来Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究取得的主要进展.首先对Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结扭转界面二维电子气的形成机理进行了介绍;然后讨论该二维电子气在低温强磁场下的输运性质,并分析了它的拓扑性质以及在自旋器件方面的应用前景;最后,展示了基于该二维电子气研制的中红外光电探测器.     

Er离子注入GaP,GaAs, InP的二次离子质谱(SIMS)的研究

近年来掺稀土元素的Ⅲ—Ⅴ族化合物研究在基础物理和器件应用方面都越来越引起人们的关注,[1,2]其中又由于Er3+的4I13/2—4I15/2的特征发光波长为1.54μm,恰好对应于石英光纤的低损耗区,且离子注入技术简单易行,因而倍受重视.国际上已报道了不少有关Er注入Ⅲ—Ⅴ族化合物的研究,大多选用较低的注入剂量(约1012～1014Er/cm2),而对较高剂量的注入有待于进一步研究.     

发光二极管的制备方法

近来广泛进行有关3-5族或2-6族化合物半导体p-n结制成的发光二极管(在正向电流下发光)的研究。 这种发光二极管可用于光耦合电路,光记忆、显示装置等方面,其发光效率越高越好。但对显示装置方面的应用来说,不仅要求发光效率高而且其发光波长还应满足视见灵敏的要     

二维过渡金属硫族化合物中的缺陷和相关载流子动力学的研究进展

原子级厚度的单层或者少层二维过渡金属硫族化合物因其独特的物理特性而被寄希望成为下一代光电子器件的重要组成部分。然而,二维材料的缺陷在很大程度上影响着材料的性质。一方面,缺陷的存在降低了材料的荧光量子效率、载流子迁移率等重要参数,影响了器件的性能。另一方面,合理地调控和利用缺陷催生了单光子源等新的应用,因此,表征、理解、处理和调控二维材料中的缺陷至关重要。本文综述了二维过渡金属硫族化合物中的缺陷以及缺陷相关的载流子动力学研究进展,旨在梳理二维材料中的缺陷及其超快动力学与材料性能之间的关系,为二维过渡金属硫族化合物材料特性和高性能光电子器件的相关研究提供支持。     

过渡金属二硫族化合物物理特性的研究

一、过渡金属二硫族化合物的制备 过渡金属二硫族化合物MCh2(其中M代表IVb,Vb,VIb族金属元素;Ch代表硫族元素S,Se,Te)是层状化合物,可以用许多方法制成粉末状的材料.例如,在高温下,金属氧化物与H2S或CS2反应;熔化的多硫化物和熔盐电解反应;高温下,在抽真空的密封石英管中元素直     

氧族氢化物的压致金属化与奇异超导电性

富氢化合物在目前实验所能达到的压力范围内有望实现金属化,是潜在的具有高超导临界温度的材料。实验和理论研究均发现高压下S-H化合物的超导临界温度高达203 K,创造了高温超导的新纪录,掀起了新一轮富氢化合物超导电性研究的热潮。本文主要介绍近年来关于氧族氢化物的压致金属化和奇异超导电性研究,对比分析氧族富氢化合物高压行为的异同。氧族元素的最外层电子排布相同,但原子质量和电负性的差异巨大,导致形成的富氢化合物在化学配比、结构、化学成键以及超导电性来源上存在较大差别。S-H和Se-H化合物的超导电性主要源自与氢原子拉伸振动模式相关的强电子-声子耦合,而Te-H和Po-H化合物中对超导电性贡献最大的是氢原子的切向振动模式。     

Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件的硫钝化

Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题．８０年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力．文章对有关硫钝化技术使Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件性能得到的改善以及所存在的问题进行了综述．     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的深能级杂质缺陷

本文综述了近十多年以来对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中深能级杂质缺陷的研究工作。讨论了深能级杂质缺陷对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料与器件的性能的重要影响。介绍了结谱法、光致发光与电子自旋共振等几种研究深中心的方法在研究Ⅲ-Ⅴ族化合物时的某些特点。评述了对砷化镓、磷化镓和磷化铟及某些Ⅲ-Ⅴ族混晶中的一些深中心所取得的研究成果。     

稀土合金相图及相关系的研究

相图用于研究两种或两种以上元素的组合在什么样的成分、温度和压力下形成什么样的晶体结构,可能会有什么样的性能,以及这些因素之间可能产生的变化关系.相图所反映的是物质世界的最基础的规律.大多数新材料的发展是以相图工作作为先导的. 我国稀土资源十分丰富.稀土元素有许多特殊的性能.正如 Wallace在他的著作《稀土金属化合物》中所说,稀土金属化合物有许多有意义的特性.稀土元素是化合物的形成者,几乎与周期表中每一族元素都发生化学组合.这些化合物在晶体结构和配比成分方面是形形色色的,多种多样的.稀土元素所组成的体系具有许多特…     

稀释磁性半导体

稀释磁性半导体是指Ⅰ—Ⅵ族、Ⅳ—Ⅵ族、Ⅱ—Ⅴ族或Ⅲ—Ⅴ族化合物中,由磁性过渡族金属离子或稀土金属离子部分地替代非磁性阳离子所形成的新的一类半导体材料。这类材料的突出特点是磁性离子磁矩和能带电子自旋之间存在交换相互作用。由此引起材料性质发生一系列重要变化。本文系统介绍这类材料的各种物理性质,包括能带结构,ｓｐ—ｄ和ｄ—ｄ交换作用,磁性质和自旋玻璃特性,光学和磁光性质,输运特性等。最后简单介绍这类材料的应用前景。     

中国物理学会相图专业委员会第九次相图学术讨论会在武汉召开

学术会议于1988年11月18日至11月21日在武汉钢铁学院举行.出席会议的有来自全国科学研究单位、高等学校和工矿企业等33个单位的代表82人.会议交流论文共96篇,内容涉及相图理论、合金相图、熔盐相图、氧化物相图的测定,相结构的研究,计算相图,相变、晶体生长和新的实验方法以及相图在材料科学、生产工艺的应用等方面. 与前几次会议相比,本次会议的特点是反映出两年来相图研究工作在结合我国具体资源情况和资源优势,解决国民经济与高科技材料方面已作出了成绩.稀土-过渡族元素的二元及多元相图、稀土化合物相图等方面的研究,占有很大比重.中国…     

稀释磁性半导体

稀释磁性半导体是指Ⅱ－Ⅵ族、Ⅳ－Ⅵ族、Ⅱ－Ⅴ族或Ⅲ－Ⅴ族化合物中，由磁性过渡族金属离子或稀土金属离子部分地替代非磁性阳离子所形成的新的一类半导体材料。这类材料的突出特点是磁性离子磁矩和能带电子自旋之间存在交换相互作用。由此引起材料性质发生一系列重要变化。本文系统介绍这类材料的各种物理性质，包括能带结构，ｓｐ－ｄ和ｄ－ｄ交换作用，磁性质和自旋玻璃特性，光学和磁学性质，输运特性等。最后简单介绍这类材料     

锑化铟的物理特性及其应用

一、引言锑化铟(InSb)是近年来引起人们极大兴趣并被广泛研究的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。 InSb和锗(Ge)、硅(Si)相比虽是一发现较晚的半导体材料,但自从1952年惠耳克尔(Welker),首先对InSb进行研究之后,十年来对InSb各方面的性能及其应用已做了很多研究工作。这主要是因为:(1)制备高纯度InSb的工艺相对地比较简单,较容易获得其纯度比Ge、Si或其他Ⅲ-Ⅴ族半导性化合物高一、二个数量极的单晶体。(2)由于InSb具有一些显著的     

CdSnAs_2的基本反射光谱

A~(Ⅱ)B~(Ⅳ)C_2~Ⅴ三元化合物,作为一类具有应用前途的新型半导体材料,近来引起了人们的注意。这是因为它们在物理化学性质、电学性质等方面与相应的等电子系列的Ⅲ-V族化合物半导体有很多相近的地方。特别是 CdSnAs_2 已被人们作了较多的研究,由于具有高值迁移率而受到极大的重视(霍尔迁移率μ_e=22000—25000厘米~2/伏·秒)。     

基于半导体材料微纳波导全光逻辑门的研究进展

全光逻辑门是全光计算以及全光信号处理系统中关键的光子器件.随着互补金属氧化物半导体(COMS)工艺的发展,基于半导体材料微纳波导全光逻辑门已经成为集成光学领域中的重要方向;尤其是硅基光子集成器件在近些年成为了国际研究热点.文章主要对基于绝缘体上的硅(SOD)和Ⅲ-Ⅴ族化合物材料不同波导结构(马赫-曾德尔干涉仪(Mach-Zehnder interferometer)微环谐振腔和条形波导结构)的全光逻辑门的研究进展进行了介绍,并且在器件的工作速率和功耗方面,分别对上述基于SOI和Ⅲ-Ⅴ族化合物材料三种不同波导结构的全光逻辑门进行了分析和比较.     

用于超低损耗光纤通信化合物半导体材料──Ⅳ-Ⅵ族半导体材料

本文综述了可用于超低损耗光纤通信的２－４μｍⅣ－Ⅵ族铅盐化合物半导体材料的最新进展及作者在此方面的一些工作．     

ZnSe0.93Te0.07-ZnSe多量子阱的光泵受激发射

宽带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体在短波长可见光范围内优越的发光特性使其在器件的研制方面有着广阔的前景.ZnSe基量子阱和超晶格结构,尤其是ZnCdSe-ZnSe量子阱已经在器件的制备方面取得了可喜的进展,因而人们研究的比较多.     

磷化镓的一种新汽相生长方法

制做Ⅲ—V族合化物广泛采用了汽相生长方法。大多数生长方法包括两个温度过程:(a)在高温区形成挥发性的化合物,(b)在低温梯度区的衬底上化合物进行沉积。 这篇短文讨论了仅在一个高温区汽相生长GaP的过程。这种方法也适用了像GaAs,GaAs1 -xPx等其他Ⅲ-V族化合物的生长。 图1示出了这种装置和温度分布的简图。与广泛采用的方法不同的是:沉积区的温度与镓源的温度是相同的。镓和磷被分别输运到反应管,直到沉积区之前不进行混合。在沉积区,GaCl与磷反应生成GaP。     

周期表ⅠA、ⅡA族氯化物载体增强谱线强度机理的探讨

为了提高光谱分析的灵敏度和准确度,许多文章研究了载体对谱线强度的影响及其在光谱分析的应用。但是过去的工作,从载体化合物角度,缺乏从周期表规律进行总结;从杂质谱线的角度,缺乏针对载体化合物对不同性质杂质影响的规律总结。我们曾对周期表Ⅰ、Ⅱ族化合物载体对稀土元素和铅、铬、钛、锌、锰等十一个微量元素谱线强度的影响进行研究。本文进一步总结ⅠA、ⅡA族氯化物载体影响谱线强度的规律,并初步探讨其机理。