分流器形式炮口消弧装置的电路模拟优化与试验

针对轨道炮电枢出炮口时拉弧问题,提出了一种基于分流器形式的炮口电弧抑制方案。以固体电枢为研究对象,采用Simulink软件根据发射器与消弧装置的电气参数建立含有炮口消弧装置的发射系统仿真模型,目的是通过对消弧装置电气参数不同阻抗值的仿真计算,实现消弧装置电气参数与发射系统电气参数的最佳匹配,达到降低消弧支路对电枢出炮口速度的影响,同时有效地抑制炮口电弧。由于与消弧装置串联的电枢前方轨道阻抗在消弧支路阻抗中占比很大,通过消弧装置阻抗电阻、电感优化调整,实现电枢在膛内运动起始阶段,消弧支路的阻抗远大于电枢支路的阻抗,发射电流大部分都流过电枢,保证了电枢的加速运动。随着电枢向炮口方向运行,消弧支路阻抗快速减小,同时在磁通压缩作用下,消弧支路中电流快速增加,电枢支路电流减小,但由于电枢前后方磁场对其都是推进作用,电枢出炮口速度基本不受影响,保持较高的系统效率;电枢出炮口后,消弧支路的阻抗小于电弧的阻抗值,建立合理的电弧快速消引条件,消弧支路电流远大于电枢上电流,发射系统的剩余能量可通过消弧装置释放,降低炮口拉弧对发射性能的影响。经过消弧装置的电阻和电感多参数值的计算与分析,最后确定与文中发射系统匹配的消弧装置电阻约为1 mΩ,电感约为0.1 μH。结合发射装置结构,设计出的消弧装置电阻为1.32 mΩ,电感为0.124 μH,在搭建的发射系统仿真模型中对其进行了充电电压3 kV等级的发射仿真计算,在充电电压3 kV的发射能量等级下进行了消弧发射试验,仿真结果与试验结果具有较好的一致性,消弧效果良好。     

直流电弧炉偏弧和控弧的计算机仿真

根据电弧弧柱在微元电流相互作用下的受力以及空间载流导线在电弧区所造成电磁力动态平衡的原理，建立了研究直流电弧电磁偏弧，多底电极分电流控弧和顶电极倾动控弧的数学模型，并通过计算机仿真实验，对载流导线的电磁影响和一些纠正和控制偏弧的方法进行了考察和研究。     

电弧特性及其对熔池形貌影响的数值模拟

通过电弧模型与熔池模型耦合数值模拟,研究了氩弧和氦弧特性及其对SUS304不锈钢钨极惰性气体保护（TIG）焊熔池形貌的影响.通过比较氩弧和氦弧的温度轮廓线以及阳极表面电流密度和热流密度分布发现,氦弧的径向距离比氩弧收缩明显,导致更多热量传递给阳极.模拟了氩弧和氦弧下浮力、电磁力、表面张力和气体剪切力分别对熔池形貌的影响.结果表明：不论是在氩弧还是在氦弧下熔池中表面张力是影响熔池形貌的最主要驱动力.在氩弧下,影响熔池形貌的另一个重要的驱动力是气体剪切力,而氦弧下则是电磁力.由于电磁力引起的内对流运动增加了熔深,从而导致相同氧含量时氦弧下的熔深和焊缝深宽比要高于氩弧下的熔深和焊缝深宽比.随着氧含量的增加,氩弧和氦弧下的焊缝深宽比均先增加而后保持不变.焊缝深宽比的模拟结果与实验结果符合较好. 关键词： 氩弧 氦弧 电弧特性 熔池形貌     

导波弧光栅的曲率分布及实验设计

本文由柱面透镜会聚光的波前干涉场强度分布推导了弧光栅条纹的周期方程和曲率方程,为设计和制备各种周期和曲率的导波弧光栅器件提供了依据。     

导波弧光栅的曲率分布及实验设计

本文由柱面透镜会聚光的波前干涉场强度分布推导了弧光栅条纹的周期方程和曲率方程，为设计和制备各种周期和曲率的导波弧光栅器件提供了依据．     

Development of the fast arcing protection for ECRH system on the HL-2A tokamak

1 Introduction A series of engineering tests and physical experiments,including ECRH[1],was carried out on the HL-2A tokamak in 2005.A fast arcing protection system[2] was developed to ensure operating of ECRH facilities[3],especially the gyrotron,against arcing in the transmission line.     

165—350nm同步辐射与壁稳氩弧光谱分布的比对

以合肥８００ＭｅＶ电子储存环同步辐射和壁稳氩弧作为初级标准光源，在１６５－３５０ｎｍ波段，标定了石英窗口氙灯的光谱分布，最大偏差为１１％，以石英窗口氘灯为传递标准光源，在紫外及真空紫外辐射区完成了同步辐射和壁稳氩弧两种基准之间的对比。     

大功率多磁极会切场离子源的弧放电特性分析

为了在HL-2A上实现3MW的中性束注入, 我院自主研制了直径为260mm, 高度为240mm的大功率多磁极会切场离子源. 目前, 它的性能已达到并超过了最初设计指标, 放电脉冲为1s时, 最大离子流密度为0.44A/cm²; 放电脉冲为3s时, 等离子体离子流密度0.24A/cm²; 等离子体非均匀性都在5%—7%范围之内. 目前, 它是我国国内等离子体密度最高, 放电功率最大的长脉冲桶式离子源. 本文通过实验数据与理论相结合的方式对弧放电特性进行分析.     

Effect of Substrate Bias on Microstructures of Zirconia Thin Films Deposited by Cathodic Vacuum Arc

Zirconium oxide （Zr02） thin films are deposited at room temperature by cathodic arc at substrate biases of 0 V, -60 V and -120 V, respectively. The crystal structure, composition, morphology, and deposition rate of the as-deposited thin films are systematically investigated by x-ray diffraction, x-ray photoelectron spectroscopy （XPS） as well as scanning electron microscopy. The results show that the crystal structure, morphology and deposition rate of the films all are dependant on substrate bias. With the increase of bias voltage from 0 V to -120 V, the zirconium oxide thin film grown on silicon wafer first exhibits monoclinic lattice and tetragonal lattice, further evolves monoclinic phase with the preferred orientation along the （-111） and （-222） directions at -60 V and finally along nearly one observed preferred （002） direction under -120 V. In addition, the variations of morphology with bias voltage are correlated to changes of the film structure. The results of XPS demonstrate that Zr elements are almost oxidized completely in the films achieved under -120 V bias.     

壁稳氩弧等离子体光谱诊断

本文建立适当的氩弧等离子体柱模型的计算机进行Ａｒ（Ｉ）线的重构，修正了光谱测量中的线翼损失，傍线重叠及自吸现象产生的影响。通过实验。诊断出局部热力学平衡状态下各工作电流的氩弧等离子体温度。     

直流等离子体弧温度测量与模拟计算结果的比较

介绍在等离子体弧符合局部热力学平衡条件下,计算自由燃烧弧的温度、速度和电势场分布的方法.把计算结果与用电荷耦合器件技术的光谱法等离子体温度测量数据进行了比较,理论计算和实验结果符合得较好. 关键词：