半导体平面发光器件通过技术鉴定

由复旦大学研制成功的半导体平面发光器件,于一九八二年十二月二十五日由上海市高等教育局召开鉴定会通过技术鉴定。鉴定组成员包括发光器件生产厂、应用单位以及上海市标准计量管理局等十三个单位的代表。     

化合物半导体发光材料和器件测试学术讨论会在京召开

根据一九八一年九月学会常务理事会议的决定,委托冶金部有色金属研究总院筹备的化合物半导体发光材料和器件测试学术讨论会于今年三月二十六日至二十九日在北京召开。参加会议的有来自全国各地的科研、院校和厂家等二十五个单位,共四十一位代表。     

1984年国际发光会议消息

1984年国际发光讨论会将于8月13～17日在美国威斯康星大学(麦迪逊)召开。会议讨论范围包括对于所有类型材料如半导体和绝缘体、有机和无机材料发光方面的基础理论和实验以及应用研究的最新进展。会议强调发光材料与化学、物理的其它分支学科之间的关系,强调发光应用(但不包括器件工艺)。     

宽禁带化合物半导体(发光材料)体单晶生长的现状及其发展的动向

本文介绍了国外宽禁带化合物半导体(发光材料)体单晶生长的现状和进展,以及在光器件应用方面的动态。综述范围主要有在禁带宽度允许发射近红外波长以下的发光材料,重点是可见光。另外,也介绍了某些新型发光材料,如兰色光MIS型器件所需要的发光材料等。     

第二届全国发光二极管专业学术讨论会在厦门召开

受中国发光分科学会的委托,由厦门大学物理系与厦门华联电子有限公司承办的第二届全国LED专业学术讨论会于1991年11月25～30日在厦门召开。来自全国各地36个高等院校、研究所、工厂的科技、工程技术人员、企业家的代表83人参加了会议;会议收到应征论文42篇,录用41篇,其中特邀报告5篇,化合物发光材料14篇,发光器件与工艺技术及其应用方面22篇。论文基本上反映了自1991年9月第一届全国LED会议以来国内化合物半导体单晶、外延材料、发光二极管芯片、LED器件与组件以及红外发光二极管等有关基础研究及工艺技术发展现状。     

用光伏效应研究有机薄膜电致发光器件中的接触性质

首次发现了有机薄膜电致发光器件的光生伏特效应,通过对器件的光电流响应谱的详细研究,分析了不同结构的有机发光器件中的有机半导体之间,以及有机半导体与电极材料之间的半导体接触性质,发现有机发光材料Alq3,有机空穴传输材料daimine与金属铝电极之间形成阻挡接触,是电致发光器件发光和产生光电效应的根本原因,而双层器件中有机层Alq3与diamine之间的结是双层器件产生高发光效率的原因,正是这种结在双层器件中起了局限载流子和激子的作用,使发光亮度大为提高,结合分区掺杂实验结果,给出了较完善的能带模型。     

具有金属反射腔的半导体平面发先器件设计原理

半导体平面发光二极管与发光二极管单管相比,具有较大的发光面、发光均匀、视角大等优点,在仪器仪共、大型厂矿的中央控制室以及军事指挥所的模拟屏等方面有广泛应用. 在某些应用中(例如将它装备在野外工作的代表上,将它作为飞机骂驶舱的告警显示、模拟显示,以及大型矩阵显示屏幕的发光单元),田于环境照变较高,要求发光器件具有更高的亮度.为了提高发光亮度,在管芯发光效率确定的条件下,我们应用物理学的一些基本原理,对发光器件的结构、材料作了最佳的选择和设计,达到了提高发光器件亮度的目的.图1是金属反射腔半导体平面发光器件的结构. …     

采用Li3Nn型掺杂层作为电子注入层的OLED器件研究

相对于传统的无机半导体材料,有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低,从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能.为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输能力,对有机电子传输材料进行n型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力.本文利用Li3N作为n型掺杂剂,以掺杂层Alq3:Li3N作为...     

用光伏效应研究有机薄膜电致发光器件中的接触性质

首次发现了有机薄膜电致发光器件的光生伏特效应，通过对器件的光电流响应谱的详细研究，分析了不同结构的有机发光器件中的有机半导体之间，以及有机半导体与电极材料之间的半导体接触性质，发现有机发光材料Ａｌｑ３，有机空穴传输材料ｄａｉｍｉｎｅ与金属铝电极之间形成阻挡接触，是电致发光器件发光和产生光电效应的根本原因；而双层器件中有机层Ａｌｑ３与ｄｉａｍｉｎｅ之间的结是双层器件产生高发光效率的原因，正是这种结在双层器件中起了局限载流子和激子的作用，使发光亮度大为提高，结合分区掺杂实验结果，给出了较完善的能带模型．     

SiC材料及器件研制的进展

作为第三代的半导体材料－ＳｉＣ具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半民体器件及紫外探测器和短波发光二级管等方面具有广泛的应用前景,文章综述了半导体ＳｉＣ材料生长及其器件研制的概况。     

国外注入式半导体发光与显示器件进展(第一部分)

本文对国外半导体发光与显示器件的发展及应用作了简单的评述,比较了几种发光材料(特别是GaAs_(1-x)P_x)的优缺点,认为目前发光显示器件的主流是GaAs_(1-x)P_x,但随着高压、液封直拉单晶的进步,GaP材料将克服价格问题,充分发挥其效率高、颜色丰富(能发红、绿光)的优点、进而占居主导地位。同时指出,SSD法也许会成为一种制备GaP单晶的较有希望的廉价方法。对于半导体显示器的结构、主要困难(如价格,大面积显示及发光的颜色问题)及器件的可靠性等问题,本文也进行了一定的叙述。     

大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律

高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界广泛高度重视。本文对大失配、强极化氮化物半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律进行了研究,旨在攻克蓝光发光效率限制瓶颈,突破高Al和高In氮化物材料制备难题,实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构,制备多波段、高效率发光器件和高频率、高耐压电子器件,实现颠覆性的技术创新和应用,带动电子材料产业转型升级。     

基于金属卤化物钙钛矿材料的高效发光二极管

金属卤化物钙钛矿半导体既在光伏器件研究中获得巨大进展,又在发光应用中体现出明显优势。金属卤化物钙钛矿半导体的荧光转化效率高、发光峰形窄、发射光谱可调控并可覆盖整个可见光范围,从而使得该类材料所制备的发光二极管有望满足下一代显示技术应用的性能要求。文章在简要叙述发光二极管基本原理的基础上,分别介绍了钙钛矿材料的结构和荧光特性、钙钛矿发光二极管的电致发光特性,以及钙钛矿发光二极管进入实际应用所必须解决的器件寿命、离子迁移和光谱不稳定性等主要技术问题,最后讨论了钙钛矿发光技术所面临的机遇和挑战。     

激光荧光在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料及器件中的应用

利用激光作激发光源,研究Ⅱ—V族GaAs晶体,GaAs—GaAlAs外延晶体及半导体发光,激光器件的光致发光(PL)特性,可以获得有关材料、器件的缺陷、杂质的分布以及它们对发光复合过程的影响的知识,了解器件的退化过程和寻找制备长寿命器件的方法,选择器件制备的合理参数和条件以及研究有关复合的动力学过程。     

国外注入式半导体发光器件进展

本文评述了近几年来半导体发光器件的市场和应用情况;评述了常见几种发光器件的现状;叙述了为提高器件效率和可靠性,在非辐射复合中心及退化机理方面所开展的一些基础研究工作;同时还叙述了兰色发光器件和光纤通讯用红外发光器件的若干进展。     

半导体带间级联激光器研究进展

半导体带间级联量子阱是实现3~5μm波段中红外激光器的重要前沿,其在半导体光电器件技术、气体检测、医学医疗以及自由空间光通信等诸多领域具有重要科学意义和应用价值。半导体带间级联量子阱发光机理是以二类量子阱中的电子与空穴的带间辐射复合发光为主导,再通过电子注入区与空穴注入区形成级联放大,实现多个量子阱周期内电子与空穴的重复利用。本文综述了半导体带间级联激光器从提出能带结构、外延材料到器件制备技术的发展历程,剖析了器件结构各功能区基本概念和工作原理,介绍了器件结构设计与制备工艺技术难点的里程碑突破,详细解释了载流子再平衡、分别限制层等设计,最后展望了半导体带间级联激光器的发展方向和趋势。     

采用Li3N n型掺杂层作为电子注入层的OLED器件研究

 相对于传统的无机半导体材料,有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低,从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能.为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输能力,对有机电子传输材料进行n型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力.本文利用Li3N作为n型掺杂剂,以掺杂层Alq3∶Li3N作为电子注入层,有效地提高了有机发光器件器件的性能,在掺杂浓度为5%,掺杂层厚度为10 nm时器件性能表现为最优.Li3N在空气中稳定,并且在较低的温度和压强下能分解产生Li原子和氮气,避免了采用金属掺杂剂如Li、Cs等材料时易受空气中水分和氧气影响的缺点,有利于工艺处理.     

介绍一种光谱能连续随外加电压改变的结型器件——金属-绝缘体-金属隧道发光二极管

众所熟知的一些结型发光器件是PN,MIS及MS结等,这些器件的发光光谱都是由半导体材料性质决定的,所以一种器件一般说只能发出一种颜色的光谱。对于直接跃迁型Ⅲ—Ⅴ族发光材料,例如GaAs0.6P0.4的PN结发光二极管,发光光谱取决于禁带宽度,所以只能发出红光;而直接带的Ⅱ-Ⅵ族材料,例如ZnSe:Mn肖特基二极管在反向偏压下的发光则利用杂质中心Mn的发光,只能得到黄色。目前人们已成功地制得了红色GaAsP,GaP、GaAlA以及黄色和绿色的GaP发光二极管。但这类器件的光谱并不随外加电压改变。     

半导体发光二极管及“蓝光热”

综述了国内外半导体发光二级管在近３０年来的研制、发展和应用．在红色、黄色和绿色超高亮度的半导体发光二级管相继问世并相继推向市场后，９０年代以来，特别是１９９４年以来出现了“蓝光热”，蓝光材料及蓝光器件的研制将是本世纪末、下世纪初高科技的重要领域之一，本文对此作了介绍．     

有机低维结构EL器件的特性

近年来，有机电发光器件已经有了很大进展，寿命也已突破万小时，尽管如此，如何更进一步提高发光效率仍是人们所关注的热点。通过与无机半导体低维结构特性的类比，指出对某些有机材料体系,低维结构同样可以改善器件的性能。