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利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术,我们在SiTiO3衬底上成功地外延生长了超薄超导YBa0.2Cu3O7薄膜样品.样品YBa0.2Cu3O7层厚度分别为2.4nm至10.8nm(二至九个原胞).四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变.超导零电阻温度分别为16K至81K.超薄超导薄膜样品显示当YBa0.2Cu3O7层厚度达到和超过四个原胞层厚(9.6nm)时,厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显.实验观察到YBa0.2Cu3O7层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同.这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响.超薄YBa0.2Cu3O7超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件. 相似文献
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在成功制备C60外延薄膜的基础上,我们又尝试了碱金属Rb对该膜的掺杂。结果表明,从室温至80K左右,Rb3C60薄膜的电阻温度系数大于0,并近似符合公式:ρ(T)=a+bT^2,与单晶样品一致。但是,当温度低于80K以后,出现了弱的对数局域。在5K、零场下,样品的Jc值一般为10^3-10^4A/cm^2,且有如下规律:Jc(T)=Jc(0)(1-T/Tc)^a,α=1.3-2.0。此外,我们还测 相似文献
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利用脉冲激光淀积方法,我们制备了外延La0.7Ca0.3MnO3-δ薄膜.实验发现,在30Pa氧分压下制备的薄膜晶格中仅有少量氧空位.可以通过高真空条件下的热处理(热处理温度为780℃)减少样品晶格中的氧含量.室温x射线衍射分析表明,在780℃通过高真空热处理的La0.7Ca0.3MnO3-δ外延薄膜结构不发生改变.通过延长高真空热处理时间可以逐渐减少外延薄膜样品晶格中的氧含量,这反映在样品晶格常数有系统变化及样品绝缘体-金属(I-M)转变温度降低.对样品电阻率.温度曲线的拟合表明,样品晶格中的氧含量是均匀的,这与X射线衍射分析的结果是一致的.通过长时间高真空条件下的热处理可以使样品的I-M转变温度低于10K,而短时间氧气氛中的充氧热处理可以使转变温度回复.这说明样品晶格中的氧扩散出和充入是有区别的.在同一外延薄膜样品可以反复通过高真空条件下的高温脱氧热处理和充氧热处理来改变样品中氧含量,这将方便于将薄膜性能与氧含量的关系进行比较、分析和讨论. 相似文献
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用正电子寿命技术研究了高温超导外延薄膜YBa2Cu3O7-x中空位型缺陷的性质.结果表明,空位缺陷的类型与沉积条件无关,缺陷浓度随空气分压的增加或衬底温度的降低而增加.正电子平均寿命的温度依赖关系测量结果指出,当温度在室温以上时,几乎所有的正电子都逃逸出浅捕获中心;当温度高于375K时,必须考虑其退火效应. 相似文献
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特殊YBCO高温超导双面膜的研制 总被引:3,自引:0,他引:3
本报导用倒筒式直流磁控溅射法在直径为10.5mm、高为5.8mm的LaAlO3单晶圆柱体上通过放置基片使基两面同时均匀淀积出高度外延的YBCO超导薄膜。两面薄膜样品的Tc值均大于91K,ΔTc≤0.2K,FWHM≤0.29,在77K、18.9GHz下的Rs≈3mΩ。该优质薄膜适合于应用在高频微波器件上。 相似文献
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用SQRID直流磁强研究了La1.85Cr0.15Cu1-xFexO4-y(x=0.0,0.002,0.004和0.006)多晶样品在不同磁场下(H=0.01,0.03,0.05T)正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温的关系呈宽峰行为。随着Fe掺杂的增多,直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Curie-Wiss行为。与此同时,超导转变温度也由不掺Fe的31.0K增加到33.6K(x=0. 相似文献
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本采用倒筒式直流溅射法原位生长和Tc值为95K的NdBa23Cu3Ox外延薄膜,样品的XRD分析表明,样品为强烈c轴织构,c轴晶胞参数为1.174nm,样品衍射峰的FWHM=0.29°,RBS分析表明:薄膜的化学计量为Nd1.0Ba2.0Cu3.3Ox。对影响NdBa2Cu3OX薄膜Tc值的因素进行了讨论。 相似文献
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测量了13K到室温下外延生长的La1-xCaxMnO3薄膜的Raman光谱,发现当冷却样品穿过磁有序温度时,纯的和掺Ca2+的样品的一些Raman模式发生红移,而散射强度在转变点附近形成极大值。为了检查散射张量的对称性,进行了左旋和右旋入射光偏振实验,发现当温度降低时,两种入射偏振下散射强度差明显增大,这表明散射过程中有磁激发涉入。这些事实提出了这类材料中单声子-单磁振子散射机制的可能 相似文献
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制备条件对La0.67Sr0.33MnO3外延薄膜结构及磁电阻的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用直流溅寺在LaAlO3基片上生长了La1-xSrxMnO3外延薄膜。测量了薄膜样品退火前后在零场和外加磁场中的电阻率和磁阻随温度的变化。实验发现,随着基片温度的升高,磁阻在减少;电阻在率最高峰位高温区移动;溅射温度为650℃的样品,磁阻效应最大。 相似文献
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在77-300K温度范围内用正电子湮没方法测量了Y1-xPrxBaCu3O7-δ(x=0.2,0.1,0.0)三个超导样品中正电子湮没寿命随温度的变化,细致地研究了正常态异常现象,x为0.0和0.1的二个样品分别在较Tc高40K和30K处观察到了正常态异常现象.x=0.2样品没有观察到正常态异常现象,实验观察到的正常态异常现象可能是发生超导转的前秦,由结构不稳定产生的类相变所致。 相似文献
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本介绍了用熔融法制备Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15-xNaxO8+y(x=0,0.4~0.8)样品,发现诸样品零电阻温度都在90K左右,其中x=0.7,Tc0达到92.5K。在81K较高温区,该类样品仍然表现出良好的超导电性,其临界电流密度还达到10^3A/cm^2量级。 相似文献
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在120K至470K的温区内,测量了脉冲激光沉积YBa2CuO7-x薄膜的正电子寿命的温度依赖关系.实验结果表明,除块材中存在的正电子深捕获中心外,超导外延膜中还存在大量块材中缺乏的正电子浅捕获中心;低温下,深捕获中心所对应的缺陷有可能扩展成为有效的磁通钉扎中心.浅捕获中心对正电子的束缚能为27meV. 相似文献
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采用溅射方法成功地制备了CaCu33Ti44O1212薄膜, 用原子力显微镜、x射线衍射(XRD)仪和LCR分析仪对样品进行形貌、物相结构和介电性质的研究.XRD表明,薄膜比块体的晶 格常数小但晶格畸变较大;LCR测量结果显示,在相同温度下薄膜比块体的相对介电常数低 ,薄膜相对介电常数由低到高转变时对应的温度较高且激活能较大.分析表明:薄膜的相对 介电常数较低是样品中晶相含量较低、缺陷较多使内部阻挡层电容大量减小、致密度不高引 起的;薄膜中
关键词:
磁控溅射
3Ti44O1212')" href="#">CaCu33Ti44O1212
介电常 数
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