高Tc超导π环的自发磁化

分析和计算了Tsuei三晶实验中有一个结是π结的三结π环的自发磁化,发现与单结π环明显不同,当β=2πLI_c/φ₀趋于零时,环中仍有自发磁化.详细计算表明随温度下降,β值增大,自发磁化磁矩很快上升并趋于φ₀/2.很好地说明了Tsuei的自发磁化温度曲线. 关键词： 自发磁化 π结 自由能     

环自发磁化的几个物理问题的研究

本文总结了我们对π环自发磁化的几个相关物理问题的研究结果.首先分析计算了有一个结是π结的三结π环的自发磁化,发现与单结π环明显不同,当β=2πLIc/φ0趋于零时,环中仍有自发磁化.详细计算表明随温度下降,β增大,自发磁化磁矩很快上升并趋于φ0/2,能和实验很好的符合.继而运用Runge-Kutta四步积分法分析了一个双结π环电路在输入脉冲电流触发下自发磁化电流的翻转过程.并在此基础上计算了电感系数,输入脉冲电流的峰值和峰宽等因素对翻转过程的影响,获得了自发磁化电流在电触发下翻转的一般规律.最后分析和计算了耦合双π环的自由能,结果表明当两个π环自发磁化方向相反时系统的能量较低,还证明了互感为0时的反向自发磁化是来自量子效应.     

超导π环零环混合阵列的自发磁化

研究了超导π环零环的混合规则阵列，计算了阵列的自由能.结果表明，两个π环通过中间零环间接耦合使得两π环反向自发磁化能量较低.规则阵列中，相邻π环倾向于反向自发磁化.这一现象起因于超导波函数的量子相干效应. 关键词： 超导结 π环 零环 自发磁化     

双结π环自发磁化的研究

研究了超导双结π环的自发磁化现象.讨论了双结π环可能发生自发磁化的条件，指出了自发磁化条件不仅与电感参数β有关，而且与两结临界电流之比有关.并通过分析自由能证明自发磁化是稳定的状态.最后给出了讨论结果和渐进行为. 关键词： 双结π环 自发磁化 自由能     

耦合双π环的自发磁化

分析和计算了耦合双π环的自由能，结果表明当两个π环自发磁化方向相反时系统的能量较低，还证明了反向自发磁化是来自量子效应. 关键词： 耦合双π环 反向自发磁化 自由能     

自发磁化的超导π环在电触发下的行为

运用Runge-Kutta四步积分法分析了一个双结π环电路在输入脉冲电流触发下自发磁化电流的翻转过程.发现在适当的参数条件下，输入周期性脉冲，π环环流会产生周期性翻转现象，由正到负和由负到正的翻转将产生不同的输出脉冲.以此可检验π环自发磁化电流的方向和电触发下的翻转现象. 关键词： π结 自发磁化 Runge-Kutta四步积分法     

多结超导环在外磁场中的行为

分析和计算了双结超导环在无偏置电流时的磁通、环流、自由能与外磁场的关系.发现双结环与单结环在磁场中的行为有所不同.当两个结的Ic相等时，双结环在1＜β=2πLIcΦ0＜2时，若无偏置电流，总磁通Φ、环流I与外磁通Φe的关系仍然是非回滞的曲线.仅当β≥2时，曲线才出现回滞.另外双结环有两支解，并且每支解的周期为2Φ0. 关键词： 双结环 双支解 2Φ0周期 回滞     

金属间化合物DyMn_2Ge_2的自发磁相变和场诱导的磁相变

在 10— 80 0K的温度范围内用X射线衍射方法测量了DyMn2 Ge2 化合物的晶格常数与温度的变化关系 ,观察到高温时DyMn2 Ge2 由顺磁状态到反铁磁状态的自发磁相变伴随着晶格常数a的负的磁弹性异常现象 .在4 2K— 2 0 0K的温度范围内测量了DyMn2 Ge2 的交流磁化率 .在交换相互作用的分子场模型近似下 ,从理论上分析讨论了DyMn2 Ge2 的低温自发磁相变和场诱导的磁相变 .计算了DyMn2 Ge2 单晶的磁化强度与温度的变化关系以及不同温度下外磁场沿晶轴c方向时的磁化曲线 .理论分析和计算结果表明 ,温度低于 33K时在DyMn2 Ge2 中观察到的场诱导的一级磁相变为由亚铁磁状态 (Fi)到中间态 (IS)相变 .     

手性环状碳纳米管的电子结构及磁化特性

基于石墨平面π电子的紧束缚模型,导出了手性(chiral)环状碳纳米管(TCNTs)在磁场中的电子结构,从而对TCNTs量子特性和磁化规律进行了较深入研究.第Ⅰ,Ⅱ类TCNTs在磁场中存在金属—半导体的连续转变.计算分析表明:在T=0K时,第Ⅰ,Ⅱ类TCNTs的磁化强度随磁通量Φ呈线性周期性变化(以磁通量子Φ₀=h/e为周期),并且磁化强度对手性角θ、管口半径r,以及温度T极为敏感,但与环半径R无关.手性TCNTs的磁化强度比椅形或锯齿形TCNTs的磁化强度强很多;而第Ⅲ类TCNTs 关键词： 手性环状碳纳米管 电子结构 磁化特性     

Zigzag边纳米石墨带超导结中的可控0—π相变

文章作者利用实空间格林函数方法研究了超导体-zigzag边纳米石墨带-超导体(SGS)约瑟夫森结中的超导输运行为.结果发现:(1)通过一个外加横向电场可以使该超导结的超流方向发生翻转,即发生超导0-π相变;(2)通过改变纳米石墨带的长度或者其上的门电压,同样也可以使它发生0-π相变,由于可以用外电场方便地控制该超导结0-π相变的发生,使得它有可能在未来的量子计算以及超导电子学中发挥巨大的作用.     

BaTi_2Bi_2O的电子结构与磁性（英文）

采用第一性原理计算,我们对BaTi2Bi2O材料的电子结构和磁性做了详细的研究.其非磁性态的计算结果显示,费米能级处的态密度主要来自d2 z,d x2-y2和dxy三个轨道的电子.费米面主要有三部分组成,并且将其沿着矢量q1=(π/a,0,0)和q2=(0,π/a,0)平移时,第三部分费米面(沿着X-R连线)与第一部分费米面(M-A连线)a嵌套明显,计算得出磁化系数χ0(q)值出现在在X点出现峰值,这一点与峰M点的FeAs基超导体不同.上述磁化率峰值可以诱导产生自旋密度波,这使得BaTi2Bi2O的磁性基态是能量基本简并的bi-collinear antiferromagnetism(AF3)与blocked checkerboard antiferromagnetism(AF4)磁性态.随着空穴掺杂,χ0(q)的峰值降低并且变得有些不对称,而电子掺杂则导致峰值变大.一般认为超导序和磁性序相互竞争,当自旋涨落被完全压制时,超导出现,这正好可以解释为什么超导只能出现在空穴掺杂型化合物而非电子掺杂型里.     

关于重原子核的自发π介子发射问题

本文建议用测量单举高能γ射线的方法探测文献[1]提出的重原子核自发π介子发射.用文献[1]给出的发射π介子能量最大值,计算了发射π⁰介子衰变的高能γ射线的能量范围.     

关于B~0→π~-~+■_衰变过程分支比的计算

通过构造适当的关联函数,计算B→π跃迁形状因子fB+π(q2),fBπ(q2)和标量形状因子f0(q2),从而就能研究轻子质量对B0→π-+ν(l=e,μ,τ)衰变过程的影响.首次分别计算B0→π-e+νe,B0→π-μ+νμ,B0→π-τ+ντ衰变过程的分支比,并发现轻子质量me,mμ可以忽略,但重轻子质量mτ不能忽略,它对分支比计算有一定的贡献.把计算结果与最近的实验数据进行比较,发现理论结果与实验数据基本符合.     

自旋三重态超导体结的直流Josephson电流

在s波超导体/绝缘层/自旋三重态超导体结中,计算了直流Josephson电流随结的温度、相位差以及绝缘层势垒强度的变化关系.当自旋三重态超导体具有px波配对势时,自旋三重态超导体结的直流Josephson电流随结两侧相位差的振荡周期是π,与结的相位差的关系为sin(2).结界面的绝缘层势垒散射均抑制结的直流Josephson电流.     

关于B0→π-l+～vl衰变过程分支比的计算

通过构造适当的关联函数,计算B→π跃迁形状因子f+Bπ(q2),～fBπ(q2)和标量形状因子f0(q2),从而就能研究轻子质量对B0→π-l+～vl(l=e,μ,τ)衰变过程的影响.首次分别计算B0→π-e+～ve,B0→π-μ+～vμ,B0→π-τ+～vτ衰变过程的分支比,并发现轻子质量me,mμ可以忽略,但重轻子质量mτ不能忽略,它对分支比计算有一定的贡献.把计算结果与最近的实验数据进行比较,发现理论结果与实验数据基本符合.     

正常态介观环上的持续电流

本文对正常态介观环上持续电流的理论和实验现状进行了系统的评述。对于通道数、弹性散射、系综平均、温度和自旋的效应进行了重点的讨论,也讨论了自发磁化相。     

正常态介观环上的持续电流

本文对正常态介观环上持续电流的理论和实验现状进行了系统的评述。对于通道数、弹性散射、系综平均、温度和自旋的效应进行了重点的讨论，也讨论了自发磁化相。     

BaTi2Bi2O的电子结构与磁性

采用第一性原理方法,对BaTi₂Bi₂O的电子结构和磁性进行计算.非磁性态的计算结果显示:费米能级处的态密度主要来自d_z²,d_x²-y²和d_xy三个轨道,同时费米面也主要有三部分组成,并且将其沿着矢量q₁=(π/a,0,0)和q₂=(0,π/a,0)平移时,第三部分费米面(沿着X-R连线)与第一部分费米面(M-A连线)嵌套明显,计算得出磁化系数χ₀(q)在X点出现峰值,与峰值出现在M点的FeAs基超导体不同.上述磁化率峰值可以诱导产生自旋密度波,使得BaTi₂Bi₂O材料的磁性基态是bi-collinear antiferromagnetism(AF3)与blocked checkerboard antiferromagnetism(AF4)的二度简并态.随着空穴掺杂,χ₀(q)的峰值降低,而电子掺杂则导致峰值变大.当自旋涨落被完全压制时,超导出现,这可以解释为什么超导只出现在空穴掺杂型化合物而非电子掺杂型.     

利用轴向磁化的永磁环制造轴向梯度磁场

首先叙述了由单个轴向磁化环所产生的磁场,并就两个永磁环所产生的纵向磁场进行了分析.对于两个沿同一方向磁化的永磁体环,沿磁环中心线将会产生一个强度较为均匀的轴向磁场.如果两者的磁化方向相反,则在两磁铁间的区域将产生一个纵向的梯度磁场,其磁场强度介于-B₀到+B₀之间.设计制造了一个高梯度的轴向磁场,其磁场梯度为47.2Tm,测量结果与计算结果非常一致.文中还讨论了产生变梯度磁场的方法.由于永磁环所产生的磁场和螺线管的磁场较为相似,磁铁外部空间将有较大的漏场,最后还讨论了屏蔽漏场的问题.     

在半内含过程中用动力学破缺计算π介子的碎裂函数

本文用QCD理论,计算π介子的碎裂函数.在高能时,应用渐近自由的微扰论.但在夸克飞行一段距离后,由于囚禁的作用,夸克碎裂成强子.囚禁的影响是发生在大距离的低能现象,此时π介子应该是Goldstone粒子,此粒子是动力学自发破缺的结果.因此本文用动力学自发破缺机制计算低能现象的π介子碎裂函数.