中高能电子电离He原子的二重微分截面

这篇文章用BBK和DS3C模型,计算了入射能为100,200,300,400和600 eV等中、高能情况下,电子入射电离He原子的二重微分截面(DDCS),给出了散射电子和敲出电子截面的角分布.散射电子和敲出电子的二重微分截面分别通过敲出电子和散射电子三重微分截面(TDCS)在全空间的角度积分而得到,所有的理论结果与有效的实验测量进行了比较.研究表明:除400和600 ev的高入射能之外,理论结果均能与绝对测量的实验结果较好的符合.     

屏蔽效应对氦原子(e,2e)反应中二重微分截面和单微分截面的影响

用DS3C模型计算了入射能为32.5, 36.5, 40.7 eV时电子入射单电离氦原子的二重微分散射截面, 并把计算结果与实验结果进行了比较, 对屏蔽效应进行了分析. 通过对二重微分散射截面在全空间的角度积分得到了电子入射单电离氦原子的单微分散射截面, 利用3C模型和DS3C模型计算了入射能为32.5, 36.5, 40.7, 50 eV时氦原子的单微分散射截面, 并把计算结果与实验结果进行了比较. 对截面的结构进行了分析, 并系统研究了交换效应对截面的贡献. 关键词： DS3C模型 二重微分散射截面 单微分散射截面 屏蔽效应     

氦原子(e,3-1e)反应中未探测电子屏蔽效应的理论研究

在DS3C模型的基础上,对氦原子(e,3-1e)反应的末态He+2场中未探测电子的屏蔽效应进行了研究.计算了(e,3-1e)过程中入射能为640 eV时,电子入射双电离He原子的四重微分截面(4DCS);讨论了非一级效应对截面结构的影响.所得结果与其他理论计算进行比较发现:文中结果与最新测量的实验数据较好地吻合.     

氢原子(e, 2e) 反应中二重微分截面的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型, 计算了入射能为15.6 eV, 17.6 eV, 25 eV, 40 eV的电子入射电离氢原子的二重微分散射截面. 本文把计算结果与测量的实验结果进行比较, 分析了截面的结构, 系统研究了交换效应对截面的贡献.     

质子碰撞电离过程中程函近似效应的理论研究

分别利用连续扭曲波方法和初态程函近似-连续扭曲波方法对质子碰撞电离氖原子1s,2s,2p壳层后随电离电子能量变化的单重微分散射截面(SDCS)和二重微分散射截面(DDCS)及总截面进行了计算,所得结果与部分实验数据符合得很好.详细探讨了各壳层SDCS和DDCS的细致结构以及质子碰撞的电离机制.结果表明,对于氖原子2p壳层,随着入射质子能量的增加,SDCS的区域变长,幅度减小,在低能区以软电离为主;而DDCS出现的峰均迅速减小.此外,分析了初态程函近似对SDCS和DDCS的影响,发现该效应对截面的影响在低能入射时非常明显,随着入射能量的增大,这种影响逐渐减弱.     

150 eV电子入射电离He原子三重微分截面的动量转移依赖

用BBK模型和DS3C模型在入射能150 eV对氦原子截面依赖动量转移几何条件下的三重微分散射截面(TDCS)进行了理论计算, 把计算结果与实验测量结果进行了比较, 对截面的结构进行了分析, 并对该几何条件下的交换效应进行了系统的研究.     

中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究

这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由binary峰和recoil峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献.更进一步,修正后的binary峰的幅值对入射电子能量E_0和散射电子偏角θ_1的变化比较敏感.     

散射粒子的相互作用对He(e,3e)五重微分截面的贡献

计算了敲出电子等能分享几何安排下,入射能量分别为5 599 eV和1 099 eV时He(e,3e)反应五重微分截面,并比较在He(e,3e)过程中散射粒子的相互作用和它们之间的干涉效应对五重微分截面的贡献.结果表明,理论计算数据在误差范围内与实验数据基本吻合,并且散射粒子的相互作用以及干涉效应对五重微分截面的影响都是不容忽视的.     

Scattering particle interactions to He( e, 3e) fivefoid differential cross-section contribution

计算了敲出电子等能分享几何安排下,入射能量分别为5 599 eV和1 099 eV时He(e,3e)反应五重微分截面,并比较在He(e,3e)过程中散射粒子的相互作用和它们之间的干涉效应对五重微分截面的贡献.结果表明,理论计算数据在误差范围内与实验数据基本吻合,并且散射粒子的相互作用以及干涉效应对五重微分截面的影响都是不容忽视的.     

电子垂直入射电离氦原子碰撞机理的理论研究

用3C模型和修正后的3C模型在低能、两个出射电子等能分享几何条件下,对电子垂直入射碰撞电离氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算,并把计算结果与实验测量结果进行了比较,系统研究了(e,2e)反应中各种屏蔽效应对氦原子三重微分散射截面的影响,同时对截面中形成各峰的碰撞机理做了详细的探讨.研究结果表明:在入射能较低时,各种屏蔽效应对氦原子的三重微分散射截面幅度以及角分布均存在一定影响,并且形成各峰的碰撞机理直接影响截面的变化规律.     

EXCHANGE AND FINAL CHANNEL SCREENING EFFECTS IN (e, 2e) PROCESSES

The DS3C model has been improved by taking into account the final channel screening effects. The triple differential cross sections for electron impact ionization of helium at an incident energy of 40 eV are considered. The results of the present DS3C model are compared with the absolute measurements and those of other theoretical models. It has also been shown in which situation the exchange effects are crucial.     

DOUBLE DIFFERENTIAL CROSS SECTIONS FOR ELECTRON IMPACT IONIZATION OF HELIUM

The double differential cross sections for electron impact ionization of helium at incident energies of 200 eV, 100 eV and 64.6 eV have been calculated in the BBK model. The present results are found to be in generally good agreement with the latest measurements of R?der et al. and the theoretical results of the convergent close-coupling method although some quantitative discrepancy remains.     

Angular and energy distribution of electrons produced by 200–500 keV protons in gases

The cross beam method was used to measure double differential ionization cross sections for electron production by 200–500 keV protons incident on a molecular beam. The ejected secondary electrons were detected by an electron multiplier and an electrostatic 90 °-spectrometer which was movable in the scattering chamber from 18 °–155 ° with respect to the incident proton direction. After the elimination of disturbing electric and magnetic fields, electrons were measured at energies down to 1 eV. The absorption of the very slow electrons along their path through the spectrometer could be minimized by using a relatively low gas pressure in the scattering chamber of a few 10^?5 Torr. The efficiency of the electron detector was determined with an electron source whose emission rate per solid angle was known. Absolute cross sections and their angular dependence were obtained by measuring the slow electrons—ejected with a relatively high rate—without the molecular beam; these data being used to normalize the electron spectra acquired with the molecular beam. Ionization cross sections with 300 keV protons incident on helium are discussed and except for the very slow electrons, a good agreement is found with results of Ruddet al.     

电子入射双电离He原子的理论研究

完成了高入射能(E05.6keV),低敲出能(E1=E2=10eV)情形下,电子入射双电离He原子五重微分截面(FDCS)的理论计算.计算中使用了三个电子在He+2离子场中的四体末态波函数.计算结果与其他理论结果进行比较发现:所得结果与最新的(e,3e)实验数据较好地一致.     

730 eV电子碰撞He原子(e, 2e)电离的三重微分截面

考虑初态He原子电子间的关联效应、末态敲出电子与剩余束缚电子间的关联效应和末态屏蔽效应, 计算和分析了在共面、大能量损失和小动量转移这一特殊几何条件下730eV电子离化He原子的三重微分截面. 所得结果与Stevenson等人的相对实验数据和CCC理论计算结果进行比较发现: 所得到的理论曲线能够反映实验数据给出的三重微分截面的结构特征.     

730 eV电子碰撞He原子(e, 2e)电离的三重微分截面

考虑初态He原子电子间的关联效应、末态敲出电子与剩余束缚电子间的关联效应和末态屏蔽效应, 计算和分析了在共面、大能量损失和小动量转移这一特殊几何条件下730eV电子离化He原子的三重微分截面. 所得结果与Stevenson等人的相对实验数据和CCC理论计算结果进行比较发现: 所得到的理论曲线能够反映实验数据给出的三重微分截面的结构特征.