C-15结构(Hf,Zr,Ta)V2和(Hf,Zr,Nb)V2合金超导转变的压力效应研究

本文研究了C-15结构化合物(Zr_0.5Hf_0.5-xTa_x)V₂(x≤0.2)和(Hf_0.5Zr_0.5-xNb_x)V₂(x≤0.2)的超导转变温度T_c及其压力效应?T_c/?P。报道了实验方法与结果。与(Hf_1-xTa_x)V₂和(Zr_1-xTa_x)V₂的情况不同,在(Zr_0.5Hf_0.5-xTa_x)V₂中Ta的引入使常压下的T_c下降,然而(?)T_c/(?)P却大为提高。因此高压下Zr_0.5Hf_0.45Ta_0.05V₂的T_c反而比Hf_0.5Zr_0.5V₂更高。导出了一个基于角动量分波表象能带论方法的描述压力效应的新关系式。它指出导带电子波函数中的高角动量成分变化对T_c的压力效应影响比较重要。这个公式有助于理解上述复杂的实验现象,并能合理地解释某些元素(如Cs,Ba,La等)的T_c随压力剧增的事实。 关键词：     

Ta对C—15相V2Hf和V2(Zr0.5Hf0.5)系列声子性能的影响

本文用中子飞行时间方法对C-15相的超导材料V₂Hf,V₂Ta和V₂Hf_0.8Ta_0.2以及V₂Zr_0.5。Hf_0.5和V₂Zr_0.5Hf_0.33Ta_0.17的热中子非弹性散射谱作了测量,并计算出相对的广义声子态密度。结果与早先发表的Nb对C-15相V₂Zr和V₂(Hf_0.5Zr_0.5)系列声子性能的影响一致:声子频率随超导转变温度T_c增加而软化,随T_c减小而硬化。这表明,对于此类材料弹性软化在一定程度上对提高T_c起了作用。结果还进一步表明V₂Zr或V₂Hf与V₂(Zr_0.5Hf_0.5)之间有着质的差别,V₂Hf加Ta后,T_c增加,声子频率软化,而V₂(Zr_0.5Hf_0.5)加Ta后,T_c减小,声子频率则略有硬化。这与V₂Zr和V₂(Hf_0.5Zr_0.5)加Nb的结果是一致的。此结果可以用角动量分波表象的能带论方法分析电-声耦合相互作用得出的杂化理论来定性解释。 关键词：     

YBa2Cu3O7-δ外延膜中的非线性光响应

实验结果表明，在连续波He-Ne激光(λ=0.63μm)照射下，YBa₂Cu₃O_7-δ(YBCO)外延膜在超导转变温度T_c以下附近温区的光响应行为，表现为辐射热效应和非辐射热效应同时存在，尤其当样品的R-T变化率dR/dT→0温区明显地表现为一种非平衡光响应行为，且随电流的变化呈非线性关系.基于上述实验事实，在光致准粒子激发假设下，对T_c附近YBCO薄膜中的非线性光响应机制进行了讨论；给出了光辐射 关键词：     

在H2气氛中Bi2Sr2CaCu2O8+δ的热处理效应

对高品质单相多晶Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ样品作真空或H₂气氛中不同温度下的热处理。由X射线结构分析,其正常态和超导态性质(特别是载流子浓度)的系统测量结果表明:Bi₂Sr₂CaCu₂0_8+δ样品在H₂气氛中热处理,其氧的释放可分为两个阶段:一是Bi-O层之间的过量氧原子的逸出,降低系统的载流子浓度,从而调节T_c;二是CuO₂面内氧原子的迁移,产生氧空位,使CuO₂面内Cu²⁺的短程二维反铁磁(2D-AFM)有序背景遭到破坏。可以认为:以往文献中报道的Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ超导体的吸氢效应导致T_c的变化,很可能主要的并不是氢原子的电子掺杂行为,而是与吸氢过程中氧含量的变化相联系。 关键词：     

Pr0.2Yb0.8-xLaxBa2Cu3O7-δ体系的超导电性和磁性

本文研究了Pr_0.2Yb_0.8-xLa_xBa₂Cu₃O_7-δ体系的晶体结构,超导电性和磁性。结果表明,在Pr含量不变的条件下,超导转变温度随稀土离子半径增大而降低,当x≈0.65时,T_c=0;电子比热和费密能级上的态密度也随稀土离子半径增大而降低。并讨论了稀土离子半径与杂化的关系。 关键词：     

(Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3Oy单相样品的超导电性与载流子浓度

对(Bi,Pb)₂Sr₂Ca₂Cu₃O_y单相样品进行不同条件下的热处理,通过X射线衍射、电阻-温度关系、交流磁化率,以及Hall系数等测量,发现样品均具有较好的单相性,随着热处理条件的变化,其超导转变中点温度(T_c)有规律地分布在100—110K之间,T_c随载流子浓度(n_H)的增加而升高。实验结果表明,热处理条件对样品的相结构、超导 关键词：     

混合自旋反铁磁材料Y2BaNiO5的磁学和热力学性质

在格林函数的理论框架下，采用一维自旋为1的各向异性Heisenberg模型来讨论Y₂BaNiO₅材料的磁学和热力学性质.得到了它的自旋关联函数、低激发谱、基态能(E_g)、比热(C)和静态磁化率(χ)在不同交换各向异性因子下的性质，所得结果与实验和数值模拟结果完全一致. 关键词： Heisenberg模型 格林函数理论 Haldane能隙 反铁磁长程序     

非晶态超导合金Zr87.7Si12.3中结构弛豫和结晶化对超导

对非易态超导合金Zr_87.7Si_12.3,在适当的温度下进行了lh等时退火处理.测量了其结构、超导临界参量T_c,H_(C2)及其转变宽度ΔT_c,ΔH_c2等的变化.发现些与金属-金属型非晶态合金不同的变化规律,并结合在结构弛豫过程中所发生的拓扑短程有序化和化学短程有序化,以及相应的结晶化机制,对实验结果作了讨论. 关键词：     

用Monte-Carlo方法计算L12结构的有序度

本文应用Monte-Carlo统计物理计算方法,计算了L1₂结构有序度随温度的变化。计算中考虑了最近邻有序相互作用J₁和次近邻有序相互作用J₂=0,-0.3J₁,0.3J₁三种情况。计算结果显示存在有序无序一级相变,临界温度T_c与准化学方法等理论结果相符,同时发现次近邻有序相互作用J₂敏感地影响到有序无序转变温度T_c,为间隙原子对L1₂结构金属间化合物塑性的作用提供了一种可能的解释。 关键词：     

MgB2 超薄膜的制备和性质研究

利用混合物理化学气相沉积法在6H-SiC(001)衬底上制备干净的MgB₂超导超薄膜.在本底气体压强、载气氢气流量等条件一定的情况下,改变B₂H₆流量及沉积时间,制备得到不同厚度的系列MgB₂超薄膜样品,并研究了超导转变温度T_c、剩余电阻率ρ_(42K)、上临界磁场H_c2等与膜厚的关系.该系列超薄膜沿c轴外延生长,随膜厚度的变小,T_c(0)降低,ρ_(42K)升高.膜在衬底上的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式.对于厚度为7.5 nm的MgB₂超薄膜,T_c(0) =32.8 K,ρ_(42K) =118 μΩcm,是迄今为止所观测到的厚度为7.5 nm的MgB₂超薄膜最高的T_c值;对于厚度为10 nm的MgB₂膜,T_c(0)=35.5 K,ρ_(42K)=17.7 μΩcm,上临界磁场μ₀H_c2估算为12 T左右,零磁场、4 K时的临界电流密度J_c=1.0×10⁷ A/cm²,是迄今为止10 nm厚MgB₂超薄膜的最高J_c值,且其表面连接性良好,均方根粗糙度为0.731 nm.这预示MgB₂超薄膜在超导纳米器件上具有广阔的应用前景. 关键词： 2超薄膜')" href="#">MgB₂超薄膜 薄膜生长 氢气流量 混合物理化学气相沉积     

非晶态超导体转变温度Tc的经验公式

本文提出一个非晶态非过渡金属超导体的T_c经验公式,T_c=Aλ<ω>^1/2/(<ω>/ω₀+(1+λ)/20),式中A=(1/5)^(K1/2)。计算值和实验值,以及和Garland理论值的比较表明,T_c经验公式能很好地描述非晶态超导体的T_c值。 关键词：     

压力对NH4IO3及其固溶体相变的影响

在流体静压力到10kbar范围内,采用DTA技术研究了压力对NH₄IO₃及其固溶体K_x(NH₄)_1-xIO₃的相变温度(T_c)的影响。实验结果表明,虽然固溶体的相变温度T_c随K⁺组分的增加而减小,但是dT_c/dP值却同K⁺组分无关。这意味着在压力下IO₃^-离子的伸长对T_c随压力增加起主要作用。 关键词：     

杂质对K2ZnCl4晶体无公度结构相变的影响

对K₂ZnCl₄铁电晶体在无公度-公度转变的相变点附近的孤子行为进行了研究。发现在相变点附近杂质使介电函数明显偏离居里-外斯定律,并导致介电峰值的明显下降;同时还发现杂质对升温相变点T_c^h较之对降温相变点T_c^c有更大的影响,这与Rb₂ZnCl₄等晶体中的情况恰好相反。采用朗道自由能理论可较好地描述杂质在相变点附近对介电函数的影响。分 关键词：     

助熔剂BaF2在制备BaSi2O5:Pb2+过程中的机理

采用高温固相合成法制备出BaSi₂O₅:Pb²⁺荧光体。考察了BaF₂的加入量对产物紫外发射强度的影响。用差示扫描量热分析,X射线衍射,光致发光光谱研究了掺入助熔剂BaF₂后BaSi₂O₅:Pb²⁺紫外发射强度显著增强的机理,并从热力学角度对实验结果作了分析。研究表明少量BaF₂的掺入加快了反应速度;降低了BaSi₂O₅:Pb²⁺形成温度,在高温下与SiO₂反应生成SiF₄气体,生成的SiF₄再与BaCO₃反应形成结晶良好的BaSi₂O₅:Pb²⁺荧光体。     

Ll2超导体的Tc表达式

通过对L1₂超导体的研究,我们得出了这类超导体临界温度的表达式T_c=(15.9T_BV(B)G_A)/(M^1/2V(L1₂)G_B)。其中T_B是B组元的超导转变温度,V(B)是B组元的原子体积,V(L1₂)为L1₂化合物的平均原子体积,M是L1₂化合物的平均原子量,G_A,G_B分别为A组元、B组元的Gordy电负性值。 关键词：     

CeCu2Si2和UBe13的超导理论(Ⅰ) ——模型,Tc及序参量

本文从周期性的Anderson晶格模型出发,考虑到局域电子与局域晶格形变的作用,对CeCu₂Si₂和UBe₁₃的重费密子超导现象进行了理论研究。通过计算,得到了合理的超导转变温度T_c;给出了描述同位素效应大小的参数α<1/2,甚至等于零(在BCS理论中α=1/2),说明现在的理论给出的同位素效应比BCS理论小,甚至可以不存在同位素效应,这与重费密子超导的实验相符合;此外还给出了序参量随温度及态密度变化的关系曲线,由此可 关键词：     

YBa2-xSrxCu3O7-δ系统的超导电性与结构的关联

本文系统地研究了YBa_2-xSr_xCu₃O_7-δ中超导电性与物相以及结构变化之间的关系。发现当0c并不随Sr的含量而单调变化。在x=1.0处,T_c出现一峰值。同时,超导临界温度与样品的晶体结构之间呈现出强烈的相关性:随着正交性的增强(即a,b间差值的增大),T_c单调地上升。本文还就S 关键词：     

Nb对C-15结构V2(HfZr)系列的超导转变温度的影响

本文中研究了C-15结构V₂Hf_1-xNb_x,V₂Zr_1-xNb_x和V₂Hf_0.5Zr_0.5-xNb_x系列的超导转变温度T_c与Nb合量x的关系,发现V₂Zr,V₂Hf加Nb后与V₂Hf_0.5Zr_0.5加Nb后性能显著不同。测定了V₂Zr,V₂Hf和V₂Hf_0.5Zr_0.5的X射线光电子能谱。结果表明,当Hf原子和Zr原子共存于AB₂化合物的A位上时,发生了一种增强原子间相互作用的新的电荷转移。这个事实支持由角动量分波表象能带论方法分析电声耦合超导原理的结果对四元V₂(HfZrNb)系列的超导行为提出的一种可能解释:4d-5d原子配位可能有助于提高4d导带的杂化程度,从而有利于提高超导T_c。 关键词：     

McMillan Tc公式的解析推导(Ⅰ)——μ*=0情形

作者在μ^*=0情形,从Eliashberg方程解析地导出如下的T_c公式:T_c=αω_logexp{-b((1+cλ)/λ)},式中α=2γ/π,b=c=1;Inγ=C=0.5772是Euler常数。这个T_c公式只有在T_c=0.36/α(k)以下才是正确的,α是个大于1并随材料而异的常数。我们推测,当T_c超过上述范围后,T_c公式的函数结构很可能不同于McMillan T_c公式,至少α,b和c等参量不再是些不依赖于材料的常数了。 关键词：     

(Hf0.5Zr0.5V2)Hx的声子谱与超导性的关系

本文报道了用Be过滤探测器谱仪对C-15相的(Hf_0.5Zr_0.5V₂₎H_x等五种样品的声子谱的测量。观察到了它们的声子谱随含氢量而变化以及声学支有规则的软化现象。表明(Hf_0.5Zr_0.5V₂₎H_x的T_c随x的变化,主要是声学支的贡献,声学文软化有利于T_c的提高,而光学支“软化”可能会抑制超导性。 关键词：