射频等离子体辅助化学气相沉积方法生长碳纳米洋葱

用射频等离子体辅助化学气相沉积方法生长碳纳米洋葱.电子显微镜观察表明,产物中无碳纳米管等伴随生成,因而制得了较高产率、较高纯度的纳米洋葱.尤其是Co-SiO₂催化剂生长的碳纳米洋葱,实心、光滑,且内无催化剂颗粒,其外层由未闭合的、呈波浪状的石墨片构成,显示出与众不同的微观结构和性能.提出了该方法中碳纳米洋葱的生长机理为碳笼由里向外嵌套形成球形粒子.对波浪状、非闭合结构的形成过程进行了讨论. 关键词： 射频等离子体 化学气相沉积 碳纳米洋葱     

一种节状纳米碳纤维的CVD生长

介绍了以发泡Ｎｉ为催化剂、用ＣＶＤ法生长节状纳米碳纤维的工艺过程,讨论了工艺参数对生成榈的产率和形貌的影响,同时还探讨了该样品的生长机理,认为催化剂的不同晶面分别有利于烃类气体的吸附解离或碳的沉积,因此催化剂颗粒的原始形貌影响了不同形貌的碳纤维生长。     

高阻隔碳氢膜的制备及性能研究

利用射频等离子体化学气象沉积法（r.f.PECVD），在12μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)上制备了碳氢膜. 用原子力显微镜（AFM），x射线光电子能谱（XPS），激光拉曼光谱，傅里叶红外光谱等仪器，对碳氢膜的表面形貌和内部结构特性进行了较详细研究. 镀碳氢膜PET的阻隔性能在标准透水蒸气测试仪上进行检测. 实验结果证明：沉积工艺参数对碳氢膜的生长速率及结构性能有重要影响；在PET上沉积的是纳米碳氢膜，该膜主要由sp2和sp3杂化的碳氢化合物组成；当PET上碳氢膜厚度为900nm时，阻水蒸气性能可提高7倍. 关键词： 碳氢膜 射频等离子体化学气象沉积法 聚对苯二甲酸乙二醇酯 阻隔性能     

电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积

本文叙述了电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积（ＥＣＲＰＣＶＤ）的工作原理、特点及其应用．ＥＣＲＰＣＶ Ｄ由放电室、淀积室、微波系统、磁场线圈、气路与真空系统组成．处于放电室的等离子体在磁场中做回旋运动，使电子的回旋运动频率与微波频率相同；处于回旋共振条件下的电子有效地吸收微波功率而获得高的能量，从而产生高活性和高密度的等离子体．电离度大于１０％，电子密度为１０１３ｃｍ３．ＥＣＲＰＣＶＤ可在低的气体流量、衬底不加热的情况下高速淀积高质量薄膜．以该技术淀积的Ｓｉ，Ｎ４，ＳｉＯ２薄膜可分别与高温ＣＶＤ的Ｓｉ３Ｎ４高温热氧化的ＳｉＯ２相比拟．ＥＣＲＰＣＶＤ淀积ａ－Ｓｉ：Ｈ淀积速率为通常ＣＶＤ的２０倍，而性能与射频ＣＶＤ淀积的ａ－Ｓｉ：Ｈ相当．ＥＣＲＰＣＶＤ 已成功用于淀积多种薄膜。     

四氯化碳同步辐射光电离的研究离子生成焓与键能的测定

采用ＶＵＶ同步辐射光源，在超声冷却条件了研究四氯化碳，光电离的动力学过程，实验表明，母体离子极不稳定。本文通过对ＣＣｌ４光解离电解碎片出现势的测定，结果有关确认的势力学数据，了该体系中有关离子的标准生成焓、离子型分子自由基中的键能、中性分子及自由其中的键能和母体离子的解离能等一系列热化学数据。详细探讨了ＣＣｌ４及ＶＵＶ光解离电离的通道及其它可能发生的动力学过程。     

机械球磨对石墨结构的影响

对石墨进行了150h机械球磨,发现石墨原有的晶体结构被破坏,引入各种晶格缺陷的同时,生成了巴基洋葱、三脚架形碳纳米结构和纳米弓形等具有高度弯曲石墨面的碳纳米结构材料.还研究了其结构特征,并讨论了其形成机理 关键词：     

纳米SiC蓝光发射的研究

在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰位与退火温度无关．通过ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＥＭ、ＸＰＳ等研究，认为纳米ＳｉＣ中与氧有关的缺陷可能是引起４７５ｎｍ蓝光发射的主要原因     

用MOCVD技术在Al2O3衬底上外延GaN的光致发光研究

本文通过变温和变激发强度的光致发光研究了用ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３上生长ＧａＮ单晶薄膜的带边发射，通过分峰拟合得到Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ四个谱峰，其中半峰宽分别为１３．８ｍｅＶ，１０．８ｍｅＶ，１５．６ｍｅＶ，和５０ｍｅＶ。Ａ对应自由激子谱，Ｂ，Ｃ为两种束缚激子的跃迁，Ｄ与氧杂质谱有关。     

甲醛光催化氧化的ESR研究

利用自旋俘获－电子自旋共振方法，使用光催化剂在纯水，甲醛，甲酸水溶液中进行紫外光化学反应。使用自旋捕获剂ＤＭＰＯ俘获反应过程中的自由基中间体。检测到羟基加合物（ＤＭＰＯ－ＯＨ），甲醛基加合物（ＤＭＰＯ－ＣＨＯ），以及碳中心自由基加合物（ＤＭＰＯ－ＣＰ＾－２）的ＥＳＲ信号。这些加合物均产生于溶液的光氧化过程。实验表明，在ＺｎＯ存在的体系中，甲醛易被羟基氧经。水在光氧的过程中起了关键性的作用。     

CVD金刚石薄膜生长中的偏压增强成核效应

实现金刚石薄膜的异质外延是目前ＣＶＤ金刚石薄膜制研究的主要奋斗目标，而直流负偏压增强金刚石成核法被认为是达到这一目标的有效途径。文章简要评述了微波等离子体ＣＶＤ制备金刚石薄膜中的直流负偏压增强成核法，以及由此而发展的直流正偏压增强成核法和叠加交流成分的直流负偏压增强成核法，介绍了它们在异质外延金刚石薄膜中的应用。     

液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究

用液封坩埚下降（ＬＥ－ＶＢ）法沿〈１００〉晶向成功地生长了非掺杂ＩｎＰ单晶．ＬＥ－ＶＢ晶体的４．２Ｋ光致发光谱包含束缚于中性浅受主上的激子发光、与Ｚｎ受主相关的施主－受主（ＤＡ）对发光及其声子伴线、以及与本征缺陷等有关的深能级发光三部分．通过与液封直拉（ＬＥＣ）生长的籽晶的光致发光谱比较表明，在ＬＥ－ＶＢ晶体中，束缚于中性浅受主上的激子发光与籽晶中的相差不大；ＤＡ对发光的晶格弛豫比籽晶中的小；与本征缺陷等有关的深能级发光强度比籽晶中的弱．晶体的室温光致发光谱仅包含带—带发光，其发光强度形貌测试结果表明，ＬＥ－ＶＢ晶体的带—带发光强度比ＬＥＣ籽晶的强．用Ｈｕｂｅｒ法对晶片腐蚀的结果表明，在ＬＥ－ＢＶ晶体中，位错密度仅为ＬＥＣ籽晶中的三分之一．分析认为，在ＬＥ－ＶＢ晶体中，本征缺陷和位错等浓度较低，可能是其带—带发光强度比在ＬＥＣ籽晶中强的物理起因．     

光-CVD技术的最新进展及其应用

采用光诱导激励化学反应气氛淀积成固态薄膜，是近些年来在国际上发展极为迅速的一种薄膜生长新技术．本文介绍了光－ＣＶＤ技术的基本原理及特性，以及用该技术淀积各种类型金属薄膜、半导体薄膜、绝缘性薄膜以及ш－ｖ族化合物半导体薄膜.介绍了光－ＣＶＤ技术在大规模集成电路、硅器件微加工过程中的重要应用，用光－ＣＶＤ技术在低到～２００℃温度下已成功地制备出～１００ｎｍ厚的薄层外延单晶硅膜．     

硫化镉胶体体系光反应产生的自由基的研究

本文作者制备了硫化镉的十二烷基磺酸钠胶体，测定了其ＵＶ－Ｖｉｓ吸收光谱和荧光发射光谱，用自旋捕捉－ＥＳＲ技术研究了一些无机盐，有机盐和几种有机物分别在ＣｄＳ／ＳＤＳ胶体系中的光反应产生的活泼自由基。     

C60加合物在紫外激光作用下碳笼负离子的碎裂和生长

本文首次利用激光脱附Ｃ６０烃基加合物，发现在负离子通道中碳笼不同寻常的碎裂和生长现象，我们详细分析了其形成机理，认为以价键与Ｃ６０结合的自由基起着很重要的作用，这同样亦开辟了打开碳笼及合成巨富勒烯的一种途径。     

SiC晶须VLS生长机理及生长动力学研究

对ＶＬＳ机理下稻壳合成ＳｉＣ晶须（ＳｉＣｗ）及生长动力学进行了研究，结果表明，ＳｉＯ２与Ｃ在高温下生成ＳｉＯ的反应是ＳｉＣ晶须生长的速率控制步骤；在形成晶须的催化剂作用下，ＳｉＣ晶须的生长速率与ＳｉＯ在催化剂熔球周围的浓度成正比；ＳｉＣ晶须生长的催化选择性温度的增加而提高．复合催化剂可提高合成ＳｉＣ晶须反应速率及催化选择性。     

HL—1M托卡马克LHCD加热离子温度测量和杂质辐射特性

叙述了在ＨＬ－１Ｍ托卡马克ＬＨＣＤ实验中观测到的杂质ＶＵＶ辐射特性。用谱线的都卜勒展宽测量了离子温度。在一定的电子密度下，ＬＨＣＤ改善了等离子体的约束性能，对离子有显著的加热效果。     

MOCVD系统外延生长Ⅲ－Ⅴ族化合物时Ⅴ／Ⅲ比的计算偏差

本文分析了在生长Ⅲ－Ⅴ族半导体时ＭＯＣＶＤ系统中反应气体的输运过程，认为进入反应室的Ⅲ族元素有机金属反应气体的数量是与ＭＯＣＶＤ管道系统的结构以及反应气体的扩散系数有关的，并从理论上导出了计算公式．由于ＭＯＣＶＤ系统中Ⅲ族元素反应气体的输运特点，实际的Ⅴ／Ⅲ比通小于根据目前方法所计算出的数值．此结果不仅说明生长时的Ⅴ／Ⅲ比高于固态组份比的一种原因，同时也可以解释为什么在生长同种材料时，不同研究者所报导的Ⅴ／Ⅲ比不同．这一结果有利于找出生长时的Ⅴ／Ⅲ比与固态组份间的确定关系．     

类锂碳离子能级,波函数和跃迁几率

用组态相互作用程序ＣＩＶ３计算了类锂碳离子能级、波函数和跃迁几率，并与相对论多组态ＤｉｒａｃＦｏｃｋ程序ＭＣＤＦ的计算结果进行了比较。两种方法的结果符合得很好。     

质子射频场照射对碳—13自旋晶格弛豫的影响

用推广的Ｓｏｌｏｍｏｎ方程描述了＾１Ｈ通道加上射频场的＾１３Ｃ自旋晶格弛豫，分析表明在＾１Ｈ射频照射下＾１３Ｃ自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程，但是在一些实验条件下可以变为单指数的；数值计算给出了满足Ｔ１＾ｃ＜Ｔ１＾Ｈ和满足Ｔ１＾ｃ＞Ｔ１＾Ｈ的＾１３Ｃ自旋晶格弛豫过程的明显差别，并显示了不同射频场强度的影响，实验观测了固体Ｌ－缬氨酸的甲基＾１３Ｃ自旋晶格弛豫，所得结果与理论分析很好符合。     

银溶胶催化的对苯二胺及其衍生物的氧化和表面增强Raman散射研究

本文研究了对苯二胺及其衍生物，ＣＤ－２，ＣＤ－３，ＣＤ－４，和ＴＭＰＰＤ的还原型和化型在小金属银颗粒表面的作用。它们的还原型吸附在小银簇表面不能产生表面增强Ｒａｍａｎ散射（ＳＥＲＳ）效应，但它们的氧化型吸附在小金属银颗粒表面，给出稳定的ＳＥＲＳ谱图。文中重点讨论了ＣＤ－２的情况。实验表明，ＣＤ－２的半氧化产物（半醌自由基）通过离域键与小银簇进行作用。本文也讨论了小银簇在催化反应过程中的生长。