BmPn和BmP-n(m+n≤5)团簇的几何结构与稳定性

采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-31G(d)水平上对BmPn(m n≤5)团簇及其阴离子的几何构型、电子结构和振动光谱等性质进行了理论研究.并在相同水平下计算了BmP-n(m n≤5)的垂直电离能和BmPn(m n≤5)的绝热电子亲和势.结果表明:BP、B2P2、B3P2、B4P较稳定,而BP2、BP3、B2P3、BP4的稳定性较差;B2P-较容易失去一个电子形成B2P,B3P-和B2P-3的垂直电离能力基本相同.     

Gam Pn和Gam P-n团簇结构及其光电子能谱的理论研究

采用密度泛函理论中B3LYP泛函方法,在6-31 G*水平上,对GamPn(m+n≤5)团簇及其阴离子的几何构型和振动光谱性质进行了研究.在相同水平下计算了GamP-n(m+n≤5)的垂直电离能和GamPn(m+n≤5)的绝热电子亲核势.结果表明:单线态稳定结构有较高的对称性,二重态的稳定结构对称性相对较低.     

AlmPn和AlmP

采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法,在6 311G(d)水平上对AlmPn(m+n=2～6)团簇及其阴 离子的几何构型、电子结构和振动光谱等性质进行了理论研究.计算预测一些过去未知的团簇(例如Al3P-和 AlmPn(m+n≥5)),并认为单聚和二聚的AlP和(AlP)2团簇呈类似Si2和Si4团簇的平面和立体结构,而较大的 AlP团簇则完全不同于含相同电子数的Sin团簇.计算结果表明,单线态稳定结构的对称性比二重态稳定结构的 高.并在相同水平下计算了AlmPn-(m+n=2～6)的垂直电离能和AlmPn(m+n=2～6)的绝热电子亲合能,该结 果合理的解释了最近由Gomez等人报道的磷化铝团簇的阴离子光电子能谱.     

GamPn和GamP-n团簇结构及其光电子能谱的理论研究

采用密度泛函理论中B3LYP泛函方法，在6—31G^*水平上，对Ga_mP_n(m+n≤5)团簇及其阴离子的几何构型和振动光谱性质进行了研究. 在相同水平下计算了Ga_mP^-_n(m+n≤5)的垂直电离能和Ga_mP_n(m+n≤5)的绝热电子亲核势. 结果表明：单线态稳定结构有较高的对称性，二重态的稳定结构对称性相对较低. 关键词： mP_n和Ga_mP^-_n团簇')" href="#">Ga_mP_n和Ga_mP^-_n团簇 密度泛函理论 光电子能谱     

Co_2B_n(n=1-8)团簇几何结构的密度泛函理论研究

受到小型环状和管状的双金属掺杂硼团簇的启发,采用密度泛函理论,在B3LYP/6-311+G(d)水平下对Co_2B_n(n=1-8)团簇的几何结构、相关稳定性、电子性质和磁性进行了的研究.研究结果表明:当n≤5时,团簇的最低能量结构为平面结构.当6≤n≤8时,团簇的最低能量结构为立体结构.对团簇的平均原子结合能、二阶差分能量、HOMO-LUMO能隙、垂直电子亲和能、垂直电离能和化学硬度分析结果表明,Co2B_7具有幻数特征.对Co_2B_n(n=1-8)团簇的总磁矩计算表明其和团簇的自旋态有很强的关系,而且团簇的总磁矩主要由钴原子的3d轨道所贡献.     

第一原理对Aln040234.gif (202 bytes)(n+m=5)团簇结构和稳定性研究

用第一原理中的B3LYP和MP2方法,在6-311G水平上对AlnP- m(n+m=5)的各种可能构型进行几何构型优化,预测各团簇的稳定结构,从中得出各个团簇稳定构型之间的基本关系,当n＞m时,团簇的稳定构型与Al-n相似, 而当n＜ m时,团簇的稳定构型与P-m相似.并用B3LYP/6-311G方法计算了AlnP -m的垂直电子离能(VDE)和绝热电子离解能(ADE),同实验数据符合的较好.     

第一性原理对GanP-m阴离子团簇结构及其光电子能谱的研究

本文利用密度泛函理论(DFT)对GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇的几何结构、电子态及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)团簇的基态结构.这些阴离子团簇的几何结构随着n的增大,在n=5时由平面结构转化为立体结构;在GanP2-(n=1-6)团簇中,P-P比Ga-P容易成键;在GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇中,Ga3P2-,Ga4P2-,Ga5P2-和Ga6P-的基态结构最稳定.     

第一性原理对GanPm小团簇的结构及稳定性的研究

利用密度泛函理论(DFT)对GanP和GanP2 (n=1-7)团簇的几何结构、电子态及稳定性进行了研究. 在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanP和GanP2(n=1-7) 团簇的基态结构. 结果表明,n≤5团簇的几何结构基本上为平面结构,n＞5的团簇均为立体结构;在GanP2 (n=1-6)团簇中,P-P比Ga-P容易成键;在GanP和GanP2 (n=1-7) 团簇中,Ga3P, Ga4P, GaP2, Ga2P2 和 Ga4P2的基态结构最稳定,在所研究的团簇中,稳定性随团簇总原子数的增大而减小.     

MgnPm团簇的几何结构，电子性质和稳定性的密度泛函研究

本文运用密度泛函理论在B3LYP6-311G水平上对MgnPm(n=1～2,m=1～8)团簇的几何构型,稳定性以及电子性质进行了较详细的计算研究.在优化所得的MgnPm(n=1～2,m=1～8)基态结构中,n m≥4时,团簇易形成五元环和四元环型结构.在得到的基态结构的基础上,我们对最低能量结构的二阶能量差分和能隙进行了计算,结果表明MgP4,MgP6,Mg2P2以及Mg2P4具有较高的相对稳定性.在对自然电子组态和电荷布居的进一步分析发现,P原子获得电荷的多少取决于P,Mg原子之间的距离的大小.     

SimCn(m+n≤7)团簇的密度泛函研究

使用密度泛函理论(DFT)的杂化密度泛函B3LYP方法在6-31G*基组水平上对SimCn(m+n≤7)团簇各种可能的构型进行几何结构优化,预测了各团簇的最稳定结构. 并对最稳定结构的平均结合能(Eb),二阶能量差分(Δ2E)和能隙(Eg)等进行了理论研究. 结果表明,随着原子个数的增加,SiC二元团簇的结构由线性转变为平面,再转变为三维立体结构,原子数小于5时,除Si5和Si4C外其他所有的团簇都是平面结构;随着C原子增加,SimCn(m+n≤7)团簇的平均单点能不断增加,说明富C簇要比富Si稳定,对Sin团簇掺杂C原子可以提高团簇的稳定性;Cn,SiCn和Si2Cn团簇表现出明显的"奇-偶"振荡和"幻数"效应,Si2C,Si3C, Si5C,SiC2,Si3C2,Si4C2和SiC4团簇比其他团簇更稳定.     

In_nNa_m和In_nNa_m~+(n+m≤5;m,n≠0)团簇结构和性质的研究

采用密度泛函理论中的B3LYP方法,对In_nNa_m和In_nNa_m~+(n+m≤5;m,n≠0)混合团簇的所有可能构型进行了优化,并作了频率计算.结果表明:较大团簇大多是由较小团簇生长而来的,In_3Na_2团簇有较为丰富的异构体,绝大多数阳离子团簇的稳定结构与其中性稳定结构是相似的;中性团簇基态结构的平均结合能和能隙随Na原子个数变化的趋势基本一致;InNa_3和In_3Na_2的垂直电离能和绝热电离能的差别较大;团簇中的Na原子容易失去电子,而In原子倾向于得到电子.     

(CoO)n (n ≤ 6)合金团簇的结构和磁性理论研究

采用密度泛函理论中的广义梯度近似(DFT-GGA)对(CoO)n (n≤6)合金团簇进行了系统的几何、电子结构和磁性质研究. 研究结果表明(CoO)n (n≤6)团簇最稳定结构除(CoO)6团簇为三维立体结构外, 其余团簇均呈二维平面结构, 且(CoO)n (n=1, 2, 3, 4和6)结构均表现明显的钴氧分离特征, 而(CoO)5团簇表现明显的Co-Co聚合和O-O分离特征. 团簇的总磁矩在n=1, 3, 4时, 以3 μB为单元成倍增长, (CoO)5团簇显著降低, 减小至1 μB, (CoO)6团簇又有所增加, 增大至6 μB. (CoO)n (n≤6)团簇磁性变化的起因也从电荷转移、磁性耦合、电子差分密度和态密度进行了详细阐释.     

Ti_(n-m)Zr_mO_(2n)(n=2-7,0≤m≤n)团簇结构和稳定性研究

应用密度泛函理论中的B3LYP方法对Ti_(n-m)Zr_mO_(2n)(n=2-7,0≤m≤n)团簇的基态几何结构、相对稳定性和电子结构进行了理论研究.结果表明,与桥氧链接的Ti原子被Zr原子取代后形成的混合团簇较为稳定;在团簇尺寸一定的条件下(即n相同),随着Zr原子数m的增加,团簇的结合能基本呈线性增大,团簇的稳定性增强;Ti、Zr、O原子之间发生了电荷转移现象,形成了稳定的Ti-O-Zr键.     

第一性原理对VO1-x(x=1～5)阴离子团族结构及稳定性的研究

用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,V的内层10个电子用相对论有效实势(RECP)近似,氧原子用全电子基组6-311++g(d,P),V的价电子用lan12dz基组,对气态VO1-x(x=1～5)分子的几何构型、振动频率、垂直电子亲和能、垂直电离能和能级分布进行了理论研究.该系列分子的基态电子态为:VO1-(3∑),VO1-2(3B1),VO1-3(1A1),VO1-4(1A1),VO1-5(3A).VO1-3分子基态的几何构型为平面分子,没有John-Tdler效应或Renner-Tdler效应.而VO1-4、VO1-5分子的基态都是立体结构,存在明显的John-Teller和Rennet-Teller效应,对称性降低,稳定性增加.该系列分子离子基态结构的垂直电离能分别为:1.052eV,2.085 eV,4.690 eV,4.460 eV,5.046 eV,该结果表明该系列分子离子的氧原子数从3增加到5时,垂直电离能没有明显改变.垂直电子亲和能也大致有这个规律,但由于该系列分子离子是负离子,对电子有排斥,它们得到一个电子都需要外加能量,其垂直电子亲和能都为负值.VO1-5(3A)的垂直电子亲和能最大,吸收一个电子需要的能量最小.能级分布研究表明:VO1-2比VO1-稳定,氧原子数从3增加到5,稳定性没有明显变化.     

第一原理对AlnP-m(n+m=5)团簇结构和稳定性研究

用第一原理中的B3LYP和MP2方法，在6-311G^*水平上对AlnPm^-(n＋m=5)的各种可能构型进行几何构型优化，预测各团簇的稳定结构，从中得出各个团簇稳定构型之间的基本关系，当n＞m研时，团簇的稳定构型与Alm^-相似，而当n＜m时，团簇的稳定构型与Pm^相似。并用B3LYP／6—311G。方法计算了AlnPm^-的垂直电子离能(VDE)和绝热电子离解能(ADE)，同实验数据符合的较好。     

Na_mSi_(7-m)(m≤6)团簇的结构和电子性质的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/6-311 G(d)水平上,对NamSi7-m(m≤6)团簇的最低能量结构和电子性质进行了研究.结果表明:m≤4时,团簇的稳定结构倾向于Na原子附着在带负电的Si7-m结构的不同位置上,Na原子成分较多时(m≥4)混合团簇的稳定几何结构发生较大的变化,且团簇中Nam的结构与单一的Nam团簇的稳定结构不同;自然电荷布居分析表明,电荷从Na原子转移到Si原子;随着Na原子成分的增加,团簇越来越容易失去电子,且团簇的稳定性也随之减弱;随着m的增加能隙出现振荡,其中Na5Si2的能隙最小,化学活性最强,Na2Si5的能隙最大,化学活性最弱.     

B_nC_mN_(3-n-m)微团簇结构和红外光谱的DFT研究

基于密度泛函B3LYP/6-311 G(2df)理论,本文对BnCmNl(n m l≤3)团簇进行结构优化和简谐振动频率计算.结果表明,硼碳氮双体团簇BnCmNl(n m l=2)的基态分别为B2(3∑g),BC(4∑-),BN(3∑),C2(1∑g),CN(2∑),N2(1∑g),其键能遵循顺序:N-N>C-N>C-C>B-N>C-B>B-B;三体团簇BnCmNl(n m l=3)的基态中,B2C(C2v,1A1)、C2B(Cs,2A′)、N2B(C2v,2A1)采取环状结构,而BCN(C∞v,1∑)、B2N(D∞h,2∑u)、C2N(D∞h,2∏g)、CN2(D∞h,3∑g)则采取直线结构.分析表明相对强键和芳香环的形成是主导硼碳氮三体团簇同分异构体稳定性的决定因素.在相同的理论水平上,所有基态都给出预测的红外频率和相应的振动强度.     

Tin-mZrmO2n(n=2-7，0≤m≤n)团簇结构和稳定性研究

应用密度泛函理论中的B3LYP方法对Tin-mZrmO2n (n = 2-7,0≤m≤n) 团簇的基态几何结构、相对稳定性和电子结构进行了理论研究.结果表明,与桥氧链接的Ti原子被Zr原子取代后形成的混合团簇较为稳定;在团簇尺寸一定的条件下（即n相同）,随着Zr原子数m的增加,团簇的结合能基本呈线性增大,团簇的稳定性增强;Ti、Zr、O原子之间发生了电荷转移现象,形成了稳定的Ti-O-Zr键.     

AlB+n(n=2～10)团簇结构和红外振动光谱研究

用密度泛函理论的B3LYP方法在6-311G(d)水平上对AlB+n(n=2～10)团簇几何结构、稳定性、电子结构和成键特性进行了系统理论研究,得到了AlB+n(n=2～10)团簇的最稳定结构.结果表明,硼原子间容易聚集,铝原子处于整个硼原子集团的外围.与相应中性AlBn团簇相比,Al-B键作用变弱,使正价团簇(n=6...     

CuH~n(n=0,+1,+2)分子及离子的势能函数与垂直电离势(英文)

推导出了CuHn(n=0、+1、+2)的基态电子状态及其离解极限.基于SDD和6-311G**基组,用B3PW91方法计算了他们的平衡几何、电子状态,在此基础上分别计算了CuH,CuH+1的Murrell-Sorbie解析势能函数和CuH+2的解析势能函数及其对应的力常数、光谱参数.CuHn(n=+1,+2)离子的垂直电离势为:I+=-965.00eV,I++=-944.70eV.计算表明CuH+、CuH2+的势能曲线均具有对应于稳定平衡结构的极小点,说明CuH+、CuH2+可稳定存在.