二次离子质谱在HL－1托卡马克研究中的应用

应用ＬＡＳ－２０００二次离子质谱表面分析系统作了如下测量：（１）测出ＨＬ－１装置的总出气量以及其主要出气组分的出气量百分比和出气峰值温度等参数；（２）对等离子体－表面相互作用进行了ＳＩＭＳ／蒙特卡洛互补分析，测出等离子体边界层中氢气量径向特征长度和氢粒子注入硅片的特征深度，估算出氢通量平均动力温度；（３）对硅收集探针的ＳＩＭＳ／ＡＥＳ分析表明，ＨＬ－１等离子体删削层中主要杂质组分为Ｏ、Ｃ、Ｎｉ、Ｍｏ和Ｃｒ，同时给出原子密度相对百分比；在ＨＬ－１装置中用原位蒸钛来吸氧、碳杂质，从而提高了等离子体纯度和品质；（４）定期检测表明，装置的器壁表面污染呈减弱趋势，这说明ＨＬ－１真空系统的设计研制及运行维护技术措施等是合适的。     

工业中的现代表面分析技术(Ⅰ) 主要仪器和方法简介

本文扼要地介绍了几种工业中常用的现代表面分析仪器和方法，如俄歇电子谱（ＡＥＳ）、Ｘ－射线光电子谱（ＸＰＳ）［或称化学分析用电子谱（ＥＳＣＡ）］、二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等的基本工作原理、仪器结构、使用方法及其特点，简单讨论了与表面分析有关的超高真空技术、样品表面的清洁、离子束溅射及无损检测等问题．     

表面波型微波感耦氖等离子体空间分辨光谱诊断

用光学多道分析仪（ＯＭＡ－３）考察了表面波型微波感耦氖气离子（Ｎｅ－ＭＩＰ）的发射光谱。经过Ａｂｅｌ反演后，得到了各种气压和微波功率下Ｎｅ－ＭＩＰ光谱辐射光强和激发温度的空间分布及其变化规律，讨论了等离子体的激发机理，推算了亚稳态原子的空间分布情况。     

三元合金Cu76Ni15Sn9的离子溅射研究

在２７ｋｅＶ Ａｒ⁺离子轰击时,用收集膜技术结合俄歇谱仪（ＡＥＳ）,研究了三元合金Cu₇₆Ni₁₅Sn₉系统的择优溅射行为。同时使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）与电子探针微分析（ＥＰＭＡ）．观察了靶点表面形貌变化并测定了形貌特征微区的合金组份原子的相对百分浓度。结果表明,Ｃｕ原子较Ｎｉ原子、Ｎｉ原子较Ｓｎ原子,在所测定范围（０─６０°）内择优发射。最后讨论了靶点表面形貌特征和“元素局域富集”现象对择优溅射过程的影响。 关键词：     

MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析

用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延(MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为表面污染,而O形成一定的深度分布,从而影响氮化镓薄膜的电学和光学性质.     

Al-Sn合金表面元素深度分布的局域性

利用微束卢瑟福背散射能谱（Ｍ－ＲＢＳ）分析方法，对Ａｌ₇₀Ｓｎ₃₀合金表面的两种微相区（Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区），在２７ｋｅＶＡｒ⁺离子轰击（总剂量为１.４×１０¹⁸Ａｒ⁺／ｃｍ²）前后，分别测定了Ｓｎ原子的深度分布。实验结果表明，在Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区之间，以及各相区在离子溅射前后，Ｓｎ原子浓度深度分布曲线是不相同的。     

Al—Sn合金表面元素深度分布的局域性

利用微束卢瑟福背散射能谱（Ｍ－ＲＢＳ）分析方法，对Ａｌ₇₀Ｓｎ₃₀合金表面的两种微相区（Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区），在２７ｋｅＶＡｒ⁺离子轰击（总剂量为１.４×１０¹⁸Ａｒ⁺／ｃｍ²）前后，分别测定了Ｓｎ原子的深度分布。实验结果表明，在Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区之间，以及各相区在离子溅射前后，Ｓｎ原子浓度深度分布曲线是不相同的。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定鲨鱼软骨中的微量元素

用电感耦合等离子体质谱（ＩＣＰ－ＭＳ）对鲨鱼有进行全元素的半定量分析。用电感耦合等离子体原子发射光谱（ＩＣＰ－ＡＥＳ）对其进行微量元素测定，选用钇作内标元素，可较好地克服基体效应，所研究元素的回民率在８１．６－１００．７％之间，铁、锌、硒、铜、锰、钼，钛和锶等元素的测定下限分别是：０．６０、０．５５，０．２１，０．３９，０．０４２，０．２７，０．０３８，０．４８μｇ．ｇ＾－１，实验表明鲨鱼软骨含有     

GexSi1-x/Si超晶格的俄歇深度剖面分析

用氩离子刻蚀和俄歇电子能谱测量Ge_xSi_1-x/Si应变层超晶格的成分深度分布,得到Ge,Si两种成分随深度的周期性变化,在二次电子象中观察到刻蚀坑边缘的明暗交替的周期性结构。讨论了用俄歇深度剖面分布作超晶格结构分析的特点及其局限性。 关键词：     

微波诱导等离子体原子吸收光谱法（MIP—AAS）测定土壤中的铜

本文报道了利用微波诱导等离子体原子吸收光谱法（ＭＩＰ－ＡＡＳ）对实际土壤中铜（Ｃｕ）的测定方法。     

ICP－AES法分析水质的探讨

本文用ＩＣＰ－ＡＥＳ（电感耦合等离子体－原子发射光谱法）测定水中Ａｌ、Ｂ、Ｂａ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｖ、Ｚｎ等１８种微量元素。方法简便、快速，只将样品简单酸化，即可测定。方法检出限为０．０００５－０．５μｇ／ｍＬ。相对标准偏差＜１８％     

X射线光电子能谱中的俄歇参数

简要介绍了几种俄歇参数定义以及俄歇参数图中涉及的原子外部驰豫能和俄歇双电离体系终态能，最后评述它们的应用。     

用ICE技术观察和测定镁Mg原子3p9d（J=1,3）的自由离谱

用原子束技术－－ＩＣＥ分步激发方案－－激光共振电离－－飞行时间质谱探测离化信号的方法，观察到了原子束中镁Ｍｇ原子３ｐ９ｄ（Ｊ＝１，３）的自电离谱，并对实验结果进行了讨论和分析。     

HCT晶体上电化学阳极化膜的AES研究

对Ｈｇ１－ｘＤｄｘＴｅ（ＨＣＴ）晶体表面上由电化学阳极化生长的氧化膜进行了俄歇电子能谱分析，并经Ａｒ＾＋离子蚀刻，研究了薄膜及其与底晶的界面层的深度元素分布和化学计量，估计了可能生成的化合物，阐述了阳极化过程中电流密度，糟电压及电解质溶液浓度对阳极化膜的ＡＥＳ的影响。     

因子分析法校正ICP-AES中光谱干扰及与其他方法的比较

本文将目标变换因子分析用于电感耦合等离子体原子发射光谱分析（ＩＣＰＡＥＳ）中光谱干扰的校正，对因子分析法校正谱线重叠和结构背景干扰作了较详细的讨论。     

氘束轰击石墨化学腐蚀的实验研究

石墨的化学腐蚀实验是在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪的分析室中进行的，用高能氘离子束或与电子束联合辐照石墨，石墨温度从３００－１０００ＫＷ可调。辐照下释放的产物用四极质谱探头进行了质谱分析，得到了１．３μＡ、３ｋｅＶ氘束轰击下ＤＳＭＦ－８００石墨释放氘甲烷的温度特性，在７８０Ｋ处有一释放高峰。     

Si｛111｝的吸附表面结构

利用低能电子衍射研究了金属和非金属吸附在Ｓｉ｛１１１｝表面的表面结构。结果显示出：对Ａｌ、Ｇａ、Ｂｉ和Ａｕ原子，形成α－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ或β－Ｓｉ｛１１１｝３×３Ｒ３０°－Ｍ结构的共价吸附。对Ｌｉ、Ｎａ和Ａｇ原子，形成正离子吸附，全部经高温解吸后，便诱导出Ｓｉ｛１１１｝１×３重构。对Ｔｅ原子，形成负离子吸附，经高温解吸后，便诱导出Ｓｉ｛１１１｝类（１×１）结构。     

用修正嵌入原子法（MEAM）研究金属铝的稳定性

用两种不同的嵌入原子法（即ＥＡＭ和ＭＥＡＭ）计算了Ａｌ的结合能、层错能，并考察了它的稳定性，发现用修正嵌入原子法计算出的结果与已有的实验和理论结果基本一致，作者认为对立方晶系材料，原子的电子密度可用自由原子外层电荷密度的线性迭加表示，而不用修正嵌入原子法中的解析拟合过程表示。     

原子吸收光谱法测定有机锗（Ge—132）中的锗及其杂质

火焰原子吸收法测定有机锗（Ｇｅ－１３２）中的锗，线性浓度范围为０－１．２５ｍｇ／ｍＬ，方法精度为１．２％，相对标准偏差〉２％，平均回收率为９９．５％，杂质Ｐｂ和Ａｓ用塞曼石墨炉原子吸收测定，Ｐｂ用（ＮＨ４）２ＨＰＯ４＋Ｍｇ作改进剂，Ａｓ用Ｐｄ作改进剂，特征质量分别为８．２ｐｇ和８ｐｇ，相对标准偏差分别为２．１％和２．２％，并讨论了有关机理问题。     

重离子物理研究所核药物化学组的12年

用放射性核素标记抗肿瘤单克隆抗体（ＭｃＡＢ）－直是核药物化学组的研究重点，研究出一个制备超纯无载体＾１１１Ｉｎ的方法，通过双功能连接剂ＤＴＰＡ环酐将其标记于抗肿瘤ＭｃＡＢ在临床实验中获得成功，用直接标记法制备的＾９９Ｔｃ标ＭｃＡＢ片段在诊断胃癌方面性能优良，此外，还进行了两种标记法的方法学及Ｔｃ和Ｒｅ的配位化学研究，用加速器质谱计（ＡＭＳ）研究化学物质与ＤＮＡ的加合作用及其遗传病毒性是另一个研究方