半导体激光器的进展（Ⅰ）

经历了４０年的发展，半展体激光器已经成为激光大家族中的极为重要的一员，由它引申发展的半导体光子学，集成光电子学已成为信息高科技的重要支柱，正在推动着诸如光通信光信息处理，光互连，光计算等重要的前沿应用领域的发展。文从原理，结构出发，按其发阶段的有机地简略回顾了同质结构，异质结构，量子阱结构，分布布拉格反馈结构，垂直腔面发射结构以及最新发展的单极性注入半导体激光器的进展及其主要应用，同时对其未来的     

极性半导体超晶格中的等离激元与纵光学声子的耦合模

在无规相近似下,计入相邻量子阱间的电子隧穿效应,研究了极性半导体超晶格中的等离激元与纵光学声子的耦合,得到了它们耦合模的色散关系,并表明外磁场存在时,电子隧穿使体系出现了一支新的耦合模.     

极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征

利用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）技术,在不同晶面的蓝宝石（Al2O3）衬底上实现了极性（0002）面、半极性（11-22）面和非极性（11-20）面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。X射线衍射（XRD）曲线展示了（0002）、（11-22）和（11-20）面InN较强的衍射峰,表明InN薄膜具有较高的成膜质量。通过扫描电子显微镜（SEM）表面图发现,极性（0002）面InN的表面形貌较光滑,而半极性和非极性InN表面均存在未完全合并的孔洞。光致发光（PL）光谱展示,不同极性面InN的峰值能量在0.63 eV附近,并从极性、半极性到非极性逐渐红移。此外,可见-红外分光光度计测得的透射谱显示,极性（0002）面InN的吸收边约为0.85 eV,而半极性（11-22）面和非极性（11-20）面InN的吸收边约为0.78 eV,表明极性InN具有更大的斯托克斯位移。     

硅基混合集成技术的研究进展

硅基光电子集成技术(PICs)为高速宽带光互连和光通信的发展提供了一种低成本的有效方案,受到人们的高度重视.目前将III-V族和锗等半导体化合物集成到硅衬底的方法主要分为两类:异质结外延生长和异质材料的键合.低温下晶片键合的方法克服了异质结外延生长中的生长温度高、晶格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点,为大规模的异质(不同半导体材料)集成提供了可能.文章综述了近几年来一些常用的键合方法,并对低温键合方法的发展动向做了展望.     

ZnSe(100)极性表面电子结构研究

从实验和理论方面研究了闪锌矿结构ZnSe（100）表面电子结构，讨论了ZnSe（100）无再构无弛豫理想表面及其c（2×2）非二聚和二聚再构表面的结构稳定性，从中得到ZnSe（100）非二聚再构表面较理想表面和二聚再构表面稳定，支持了Farel等的实验结果，分析了ZnSe（100）理想表面与非二聚再构表面表面电子态差别，并与同步辐射光电子能谱作了对比，理论与实验符合较好 关键词：     

极性半导体的表面电子

有不少的极性半导休,电子与表面声学声子和体纵光学声子的耦合弱,但与表面光学声手的耦台强.本文同时考虑体纵光学声子、表面光学声子以及表面声学声予的影响,研究这类半导体的表面电予的性质,采用线性组合算符和拉格朗日乘子法,导出其有效哈密顿量和重正化质量。     

Si/ZnS极性界面能带偏移的同步辐射光电子能谱研究

用同步辐射光电子能谱测量了Si/ZnS（111）及（100）异质结的价带偏移ΔE_v．对于Si/ZnS（111）及（100）两界面，ΔE_v的实验结果均为（1.9±0.1）eV，与已有理论预期值相当符合，但与Maierhofer所报告的ZnS/Si（111）异质结测量结果之间则存在明显差别．该实验结果表明对于Si/ZnS极性界面，互逆性规则（commutativity rule）可能不成立，就此进行了讨论． 关键词：     

半导体极性界面电子结构的理论研究

半导体电子结构的有效调控一直是人们长期关注的科学问题,也是主流半导体材料物性与器件设计的核心科学问题之一.传统栅极技术只能在小范围内改变半导体材料的带隙,作者从理论上通过人工设计半导体极性界面,产生约10 MV/cm的內建电场,从而实现对Ge、InN等主流半导体带隙在0—2 eV范围内的有效调控,并显著增强Rashba自旋轨道耦合强度,作者进一步利用构建的多带k.p模型证明增强的Rashba自旋轨道耦合可以将常规半导体驱动至拓扑相.文章重点介绍极性半导体InN的极性界面能隙调控;以及Ⅳ族非极性半导体Ge的极性界面能带调控.半导体极性界面的制备与主流半导体工艺兼容,展现了极性界面在主流半导体量子结构的物性调控与光电器件中潜在的应用前景.     

异质结半导体激光器

异质结半导体激光器是半导体激光发展史上的重要突破，它的出现使光纤通信及网络技术成为现实并迅速发展。异质结构已成为当代高性能半导体光电子器件的典型结构，具有巨大的开发潜力和应用价值。     

极性反转结构电光波导调制器的频域响应分析

本文详细分析了具有极性反转电极结构电光调制器的响应特性，推导出器件输出端振幅和相位的频率响应的解析表达式，并给出相应的数值计算结果．     

阿耳费罗夫（Alferof，Zhores I，1930-）俄国物理学家（Physicist，Russia）

阿耳费罗夫主要从事半导体异质结构方面的研究工作，因而导致异质结晶体管、发光二极管和双异质结半导体激光器的发明。异质结晶体管的工作频率比普通晶体管高100倍，噪声小，适合做微波晶体管、高速开关管和光电晶体管。阿耳费罗夫因这方面的成就，与克勒默（Kroemer）分享Y2000年诺贝尔物理学奖。他曾来我国访问，并被南京大学聘为名誉教授。     

窄台衬底内条形半导体激光器

研制了一种新型结构双异质结半导体激光器,这种激光器是利用非平面衬底液相外延的特点,使电流阻挡层和四层双异质结构在腐蚀成窄台的衬底上一次外延完成生长,内条形电流通路在外延生长中自然形成.工艺特别简单,且具有良好线性输出和稳定基横模式振荡等特点.     

半导体中的输运过程

半导体的输运性质直接决定了半导体器件的性能，如响应时间、截止频率等，因此与半导体器件发展的同时，人们对半导体的输运性质进行了广泛的实验和理论研究。文章根据半导体物理的发展历史，分体半导体输运、调制掺杂异质结输运、超晶格微带输运、弹道输运以及介质系统输运等几个方面来讨论这一问题。     

液相外延生长超薄有源层AlxGa1—xAs／GaAs分别限制双异质结构激…

报道超薄有源层ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为６８０℃时，ＧａＡｓ有源层厚度可低至２５－３５ｎｍ。宽接触分别限制双异结构ＬＤｓ的室温连续阈值电流密度多在７００－８００Ａ／ｃｍ＾２。     

GaInSb/GaSb量子阱结构的低温光致发光谱

ＧａＩｎＳｂ三元合金半导体可用于制作工作于１．５５～５．５μｍ波段范围的光电子器件．在光通讯方面,需要２．５５μｍ波长的激光器和接收器,ＧａＩｎＳｂ半导体合金无疑是一种可选的材料．此外,这种材料也可用于制作高速电子器件,与ＧａＡｓ基异质结构相比,Ｇａ...     

尖端放电中的极性效应

基于气体击穿的汤森德理论和流注理论定性地分析了一个尖端放电演示实验中极板的极性对放电过程的影响．指出了尖端接电源的阳极时击穿电压比接阴极时低的原因．     

衬底温度对非极性ZnO薄膜结晶性能和发光特性的影响

采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)设备在LiGaO2(100)衬底上制备了结晶性能良好的非极性ZnO薄膜.研究了衬底温度对ZnO薄膜结晶性能的影响.X射线衍射(XRD)分析结果表明在衬底温度为500℃时可以获得高质量的(1100)晶面取向的非极性ZnO薄膜.采用原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面形貌及晶体尺...     

AlGaAs短波长超辐射集成光源

设计了一种新型半导体集成光源－－ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光与光放器集成在一起，在脉冲条件下获得了输出功率为５７ｍＷ的超辐射，谱线宽度ＦＷＨＭ为２０ｎｍ，放大器的增益为２１ｄＢ。     

第一讲光电子器件在光纤通信中的应用

光纤通信技术发展的阶段性飞跃总是伴随新型光电材料和功能器件的突破．文章介绍了光纤通信系统中应用到的各种光电子器件，从光纤通信的3个环节：光发送、光接受、光放大为出发点，着重阐述了半导体激光器、光调制器、光检测器、光放大器等关键器件的基本原理、工作特性以及发展现状和趋势，并在回顾传统集成光电子器件发展的同时，展望了以新一代微纳结构光电子器件为基础的光子集成技术的发展趋势。     

GaAs／GaAlAs脊型波导交变式△β耦合器

研制了具有肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导交变式△β耦合器。通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度和上、下包层中Ａｌ的含量，以及采用反应离子刻蚀和和剥离等技术，使器件总损耗降为１０ｄＢ，消光比为２６．８ｄＢ，器件在１．３μｍ下实现单模工作。