发射白光的石墨烯陶瓷

波兰科学家报道称,石墨烯陶瓷在受到可见光或红外光激发时,可让其带隙张开,发出白光。波兰科学院和弗罗茨瓦夫理工大学的Wieslaw Strek及其同事称,宽带发射的中心在650nm处,具有明显阈值的激发激光功率对宽带发射强度有着极强的影响。这些研究人员的分析表明,此发射源在本质上完全是利用电子作用,而与炽热发光     

GaN的宽带黄光发射研究

使用非线性最优化技术，用多个高斯函数叠加最优化拟合非掺杂GaN薄膜的宽的黄色发光带. 发现宽带黄色发光带可分解为三个高斯型谱的叠加. 表明宽的黄色发光带是由三个独立辐 射跃迁发射叠加而成. 使用一种新的吸收归一化光致发光激发谱直接测量出此三个独立发射 的初始态能级，发现三个独立发射具有相同的初始态和不同的末态，并对初、末态能级的起 源作出了合理的指派. 关键词： GaN薄膜 吸收归一化光致发光激发谱 宽带黄光发射     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展

本文系自1979年以来，宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面：第一，系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射；第二，创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想；第三，深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用，为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径；第四，研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射；第五，CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理；第六，ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。     

宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题

介绍了以金刚石为代表的宽带隙薄膜材料场电子发射研究背景和现状,对金刚石、类金刚石（ＤＬＣ）、立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）、氮化铝（Ａ１Ｎ）和碳化硅（ＳｉＣ）薄膜场电子发射研究的进展进行了评述,着重介绍了发射性能与薄膜的结构特征、杂质含量和处理方法间的关系,并讨论了研究中存在的问题。     

Cd3Al2Ge3O12锗酸盐石榴石中Cr3+的宽发射带和R线

本文首次报道了掺杂不同浓度Cr3+的Cd3Al2Ge3O12锗酸盐石榴石在295K和77K温度下的荧光光谱、Cr3+的鲜红色宽带发射强度与激励功率的关系及荧光衰减.发现在Cr3+的荧光光谱中存在从15400cm-1延伸到11400cm-1附近的宽带、两组R线及R线的Stokes和反Stokes振动光谱.295K时以宽带发射为主,77K时宽带明显减弱,R线发射显着增强.在Cd3Al2Ge3O12石榴石中,Cr3+离子的光谱是由两个性质上稍有差异的Cr3+中心发射组成的.     

激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性

研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜样品的发光性能,发现YAG脉冲激光激发,强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰,此峰可能起源于电子-空穴的复合。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于381nm的近带边紫外发射峰和位于450nm的强的蓝绿带发射,根据光致发光激发光谱的特征给出了一个简单的蓝光发射模型。对比YAG脉冲激光激发和氙灯激发得到的实验光谱,我们认为不同的光谱特征和样品发光的激发机制有关,紫外峰发射需激发强度超过一定值才能观察到,而蓝带发射则在一定的激发强度下迅速饱和。     

基于零维杂化锑基氯化物的可逆荧光发射转化（英文）

零维有机-无机杂化金属卤化物因可调控的自陷态激子发射在发光和显示等领域具有很好的应用前景。特别是同时具有单线态和三线态激子发射双带光谱的零维金属卤化物在白光固态照明应用中极具潜力。本工作报道了两种零维杂化锑基氯化物(C₂₄H₂₀P)₂SbCl₅(Ⅰ)和(C₂₄H₂₀P)₂SbCl₅·H₂O·0.5DMF(Ⅱ)(C₂₄H₂₀P为四苯基膦,Ph₄P)。在低能量光子(如360 nm)激发下,化合物Ⅰ和Ⅱ分别呈现出由自陷态激子发射的红色和黄色的单峰宽带光谱。此外,当用高能量光子(如310 nm)激发时,Ⅱ的光谱呈现出双带白光发射,除黄光发射带外,还出现了一个源于单线态自陷激发发射的蓝光发射带。研究表明,通过引入和去除DMF和水分子,化合物Ⅰ和Ⅱ能实现可逆转化。该研究揭示了小分子对零维杂化金属卤化物晶体结构的调控机制,从而实现单带发射和...     

YVO_4∶Tm~(3+)的真空紫外发光性能(英文)

通过高温固相反应合成YVO4∶xTm(x=0.001,0.003,0.005,0.007,0.01,0.03,0.05)蓝色系列粉末状发光材料。经X射线衍射分析产物为单相,属四方锆英石结构,其结果与JCPDS标准卡(72-0861)相符。检测了材料的真空紫外激发光谱和发射光谱。YVO4∶xTm的真空紫外激发光谱在120~350 nm范围内为连续的带状峰,在155 nm和333 nm附近有明显的峰值。在155 nm激发下,YVO4∶xTm的发射光谱由两部分组成,其中主发射峰在474 nm附近呈一尖锐的线状,来自Tm3+的1G4→3H6跃迁;在650 nm左右有一弱发射峰,来自Tm3+的1G4→3H4跃迁。另外,还有一较弱的带状发射,中心位于540 nm左右,来自样品的VO3-4离子的宽带发射。随着Tm3+摩尔分数x由0.001增加到0.005,Tm3+发射光谱强度逐渐增加到最大值。之后随着x继续增加,发射光谱强度逐渐下降,呈现明显的浓度猝灭现象。通过对YVO4∶xTm的光谱分析及其发光机理进行推导,认为YVO4∶Tm3+在紫外及真空紫外激发下,是一种具有较高发光效率以及色纯度较好的蓝色发光材料。     

纳米银粒子的发光特性研究

研究了不同粒径和表面修饰的纳米银粒子的发光特性。研究结果表明,在不同波长光激发下,纳米银粒子在362 nm附近出现较强的发射峰,592和725 nm附近出现较弱的发射峰。随着激发光波长增加,发射峰强度下降,362 nm附近的发射峰红移。纳米银颗粒对210 nm的激发光最为敏感。发射峰波长与纳米银粒子表面修饰状态和颗粒尺寸关系不大,只是随着颗粒尺寸的减小,发射峰强度下降。随着狭缝宽度的减小,发射峰强度下降。随着纳米银胶浓度减少,发射峰逐渐聚拢合并为426 nm的单峰,且发射峰的强度先增强后逐渐下降。通过纳米银粒子表面光电子的吸收-再发射和表面能级杂化探讨了纳米银粒子的发光机理。     

高温超导体超导态的光场发射研究

场致发射在低于场致发射电场阈值的场强作用下,发射体受脉冲激光照射时将会产生光场发射本文对高温超导体临界温度以下光场发射做一定的研究,并与高温超导体一般的场致发射情况做了一定的比较,两者有不同的发射规律．１引言 光场发射是发射体处于电场强度不及但接近场致发射阈值场强的条件下,输人激光脉冲激发电子发射的现象,其发射电子流受光脉冲控制．在低于场致发射电场阈值的场强作用下,高温超导体受脉冲激光照射也可以产生光场发射．当温度降到临界温度以下时高温超导体材料由正常态变成超导态,体内的电子形成库柏对,能隙会引…     

一种平面宽带发射换能器的设计

本换能器是由多个纵向振动子组成的平面发射阵。振子共振频率有三种,由低至高依次为f_1,f_2,f_3,获得了一个倍频程的宽带发射。其工作频率为50kHz至100kHz,发射电压灵敏度为162.5±2.5dB。声源级SL>200dB(0dB=1μPa/v·m)。水平束宽为7°—14°,垂直束宽为20°—40°。 本文对发射电压灵敏度的频率响应和指向性图作了理论分析,结果与实验相符     

各向异性量子点单光子发射的高偏振度特性

研究了线偏振脉冲光场激发下,单个各向异性InGaAs量子点的高偏振光发射. 给出其偏振因子与两个正交本征态之间的交叉弛豫之间的关系式. 分析表明，交叉弛豫随激发场强度增大，并导致偏振因子随激发场入射脉冲面积减小. 关键词： 量子点 单光子发射 偏振度     

非掺杂GaN的黄光发射模型确定

提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱,并用这种光谱研究了非掺杂GaN的黄光发射.实验上首次直接测量出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位,从而解决了长期争论的有关黄光发射的发光模型问题 关键词： GaN薄膜 黄光发射 吸收归一化光致发光激发谱     

双电荷离子Ar^2＋与He,Ne原子碰撞中的发射截面

双电荷离子Ar~(2 )和He、Ne原子碰撞中,存在着三种碰撞激发过程,一是双电子俘获激发过程,二是单电子俘获激发过程,三是直接激发过程。实验用光学多道分析系统(OMA)对这些过程进行了光学测量,得到了ArⅠ、ArⅡ、NeⅠ、NeⅡ、HeⅠ、HeⅡ谱线的发射截面,并对这些发射截面进行了比较,发现在入射离子速度相同的情况下,Ar~(2 ) Ne碰撞体系的发射截面要比Ar(2 ) He碰撞体系的大。OMA的光谱波长范围是200—800um。入射离子Ar(2 )的能量范围是140—340keV。     

BagAl10O17：Eu^2＋发射光谱的谱峰形状

BaMsAl10O17：Eu^2＋（BAM）是三基色荧光灯和等离子显示用荧光粉中的蓝色组分。用晶格弛豫和多声子跃迁理论研究了BAM发射光谱的谱峰分布。结果表明可以用三个高斯函数很好地拟合BAM的宽带发射。BAM的宽带发射可能由分布在BaMgAl10O17晶格中三个不同位置的Eu^2＋的能级跃迁构成。三个Eu的发光中心分别是Beevers-Ross位和anti-Beevers-Ross位，第三个Eu^2＋的发光中心可能是位于尖晶石基块中的mid-oxygen（mo）位。     

BaMgAl_(10)O_(17)∶Eu~(2+)发射光谱的谱峰形状(英文)

BaMgAl10O17∶Eu2+(BAM)是三基色荧光灯和等离子显示用荧光粉中的蓝色组分。用晶格弛豫和多声子跃迁理论研究了BAM发射光谱的谱峰分布。结果表明可以用三个高斯函数很好地拟合BAM的宽带发射。BAM的宽带发射可能由分布在BaMgAl10O17晶格中三个不同位置的Eu2+的能级跃迁构成。三个Eu的发光中心分别是Beevers-Ross位和anti-Beevers-Ross位,第三个Eu2+的发光中心可能是位于尖晶石基块中的mid-oxygen(mo)位。     

基于指示克立格法的最佳激发波长和最佳发射波长的确定

激发波长和发射波长是分子荧光光谱测量的重要参数,它的选择影响分子荧光光谱的测量以及其后续研究的精确度。由于如HITACHI F-4500 荧光分光光度计等一些光谱仪器的测量精度达不到一些光谱分析技术的要求以及测量数据的有限,在实际工作中,利用已测量的光谱数据,通过插值生成所需要的光谱数据,就成为一种有效的解决方法。因此,文章使用指示克立格法对一定体积分数的乙醇溶液的最佳激发波长和最佳发射波长的确定进行了研究。基于指示克立格法求取的最佳激发波长和最佳发射波长分别是226.9和337.1 nm,经验证其值是准确的。此外,文章采用相对标准偏差对插值结果进行了评价。结果表明在分子荧光光谱测量中基于指示克立格法确定最佳激发波长和最佳发射波长是可行的,这为最佳激发波长和最佳发射波长的确定提供了一种新的方法。     

铕离子掺杂七铝酸十二钙蓝光 发射导电荧光粉的制备及其光学特性

采用碳包埋方法制备了不同Eu~(2+)掺杂浓度的七铝酸十二钙(C12A7∶x%Eu~(2+))导电荧光粉。在254 nm的紫外光激发下,样品呈现出位于444 nm的蓝光宽带发射峰,其来源于Eu~(2+)的4f~65d~1-4f~7跃迁。当Eu~(2+)的掺杂浓度为1.0%时,蓝光发射强度最大。通过漫反射吸收光谱结合经验公式可计算C12A7∶1.0%Eu~(2+)粉末样品的困陷于笼中的电子浓度为3.40×10~(19) cm~(-3)。在空气气氛下对C12A7∶1.0%Eu~(2+)样品进行热处理,通过减少困陷于笼中的电子浓度,即增加困陷于笼中的O~(2-)离子浓度,可进一步提高样品的发光强度。阴极射线发光实验结果表明:铕掺杂七铝酸十二钙蓝光发射导电荧光粉在低压场发射显示器件中有潜在的应用前景。     

高压X光机发射谱的测量与研究

本文描述了测量高压Ｘ光机发射谱的技术,并成功地测量了１４０ｋＶ高压Ｘ光机的发射谱。研究了滤波片对Ｘ光机发射谱特性的影响,在此基础上提出了可根据不同的测试目的和条件,用不同的滤波片可形成高强度的准单能,双能等Ｘ光激发源及其可能的应用领域。     

数值模拟飞秒激光加热金属的热电子发射

研究了超短超强激光脉冲与薄膜靶相互作用中产生的电子热发射.当超短激光脉冲与薄膜靶相互作用时,首先入射超短脉冲激光对吸收深度内的自由电子进行热激发,接下来热激发电子将能量传递到附近的晶格,再通过电子和晶格二体系的热传导,以及电子晶格间的热耦合,将能量传递到材料的内部.因此,电子在皮秒级甚至更短的时间内不能与晶格进行能量耦合,使电子温度超出晶格温度很多,电子热发射就变得非常明显了.用双温方程联合Richardson-Dushman方程的方法对飞秒脉冲激光照射金属靶的电子热发射进行了研究,结果发现电子热发射对飞