低能Pt原子与Pt(111)表面相互作用的分子动力学模拟

利用分子动力学模拟方法详细研究了低能Pt原子与Pt(111)表面的相互作用所导致的表面吸附原子、溅射原子、表面空位的产生及分布规律,给出了表面吸附原子产额、溅射原子产额和表面空位产额随入射Pt原子能量的变化关系.模拟结果显示:溅射产额、表面吸附原子产额和表面空位产额随入射原子的能量的增加而增加,溅射原子、表面吸附原子的分布花样呈3度旋转对称性质;当入射粒子能量高于溅射阈值时,表面吸附原子主要是基体最表面原子的贡献,入射粒子直接成为表面吸附原子的概率很小.其主要原因是:当入射粒子能量高于溅射能量阈值时,入射 关键词： 分子动力学 低能粒子 表面原子产额 空位缺陷 溅射     

12C+197Au反应中的大质量转移

本文主要介绍了入射离子能量为64和67MeV时,¹²C+¹⁹⁷Au反应中出射的α粒子的能谱和角分布,以及能量为71.5MeV时该反应中出射的α、Be和B等粒子的能谱和角分布。给出了⁶Li粒子的产额和使用α-α粒子符合技术,在相对于东流方向成90°处测得的反应中出射的⁸Be分裂开的α粒子的能谱和产额。反应中出射的各种粒子的最可几能量,随着入射离子能量的降低而降低,角分布都是大约在擦边角附近出现峰值,当入射离子能量从71.5MeV降到64MeV时,其峰位大约从80°移到120°,显示出转移反应的特征。我们对实验结果作了一些简要的分析讨论。     

聚变α粒子对第一壁辐照损伤的蒙特-卡罗研究(Ⅲ)—— 固体中位移原子深度分布

本文用基于两体碰撞的蒙特-卡罗方法研究α粒子轰击固体靶的位移原子深度分布,并分析了位移原子深度分布与固体中能量沉积的关系。文中给出入射α粒子能量、入射角及靶材料的改变对位移原子深度分布的影响。结果表明,位移原子数与轰击离子在靶中的弹性能量损失密切相关。聚变α粒子在SiC中产生的位移损伤远小于它在不锈钢材料中的位移损伤。     

质子在α-LiIO_3单晶中的沟道效应研究

利用MeV能量的准直质子束,在不同的质子能量下,测定了α-LiIO_3单晶<001>向的轴沟道参数角度半宽度ψ1/2和产额极小值χ_(min)。在向静电场作用卞,首次观察到入射质子与表面处的Ⅰ原子沟道-背散射产额随电场作用时间而增加,并定量计算了表面无序Ⅰ原子数随静电场作用时间的关系。另外,入射质子与~7Li原子沟道-核反应[~7Li(p,α)~4He]产生的α粒子产额也随电场作用时间而增加。     

质子对BaTiO3薄膜辐照损伤的计算机模拟

本文先应用分子动力学模拟BaTiO₃体系在初级击出原子(primary knock-on atom, PKA)轰击下缺陷产生和复合的动力学过程, 模拟结果表明：PKA的方向和能量对缺陷数目有重要影响, 并计算了Ba, O和Ti原子的平均位移阈能分别为69 eV, 51 eV和123 eV, 远大于SRIM程序默认的位移阈能25 eV. 然后应用蒙特卡罗软件包SRIM, 模拟质子在BaTiO₃薄膜中的能量损失过程, 比较位移阈能对模拟结果的影响, 分析质子能量和入射角度对空位数量以及分布的影响. 结果表明空位数量随着质子能量增加而增加, 增加的速率随能量的增加是降低的;当入射角度大于60°, 空位数量随入射角增大而明显减少.     

高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究

不同电荷态低速离子(Ar^q+,Pb^q+)轰击Si(110)晶面,测量不同入射角情况下的次级粒子的产额. 通过比较溅射产额与入射角的关系,证实沟道效应的存在. 高电荷态离子与Si相互作用产生的沟道效应说明溅射产额主要是由动能碰撞引起的. 在小角入射条件下,高电荷态离子能够增大溅射产额. 当高电荷态离子以40°—50°入射时,存在势能越高溅射产额越大的势能效应. 关键词： 高电荷态离子 溅射 沟道效应     

核温度测量与粒子能量的关系

提取了30MeV/u ⁴⁰Ar+natAg反应中后角出射的同位素(^6,7Li,^3,4He)产额比温度为5MeV.观察到这一同位素产额比温度随阈值能量E_cut/A的增加而逐渐由5MeV上升到6MeV.为进一步研究这一变化关系,用Monte Carlo方法模拟了热核蒸发粒子的过程,表明随粒子能量的增加,发射该能量粒子的发射源平均温度也在增加.说明高温热核发射高能量粒子的几率大.     

聚变α粒子对第一壁辐照损伤的蒙特-卡罗研究(Ⅲ)——固体中位移原子深度分布

本文用基于两体碰撞的蒙特-卡罗方法研究α粒子轰击固体靶的位移原子深度分布,并分析了位移原子深度分布与固体中能量沉积的关系。文中给出入射α粒子能量、入射角及靶材料的改变对位移原子深度分布的影响。结果表明,位移原子数与轰击离子在靶中的弹性能量损失密切相关。聚变α粒子在SiC中产生的位移损伤远小于它在不锈钢材料中的位移损伤。 关键词：     

高能带电粒子库仑对数量子力学效应研究

 先进燃料D-3He聚变产生的高能带电粒子在本底等离子体中慢化时间的准确性直接影响到能量平衡和高能离子压强的计算结果。结果表明：高能带电粒子与本底等离子体的离子相互作用的库仑对数量子力学效应明显。应使用高能带电粒子库仑对数力学效应来研究聚变产生的高能端部粒子慢化过程；能量大于等于25Z²_iZ²_iA_i keV的高能粒子与本底等离子体中离子的相互作用库仑对数最好也使用量子截断。     

中能重离子碰撞中的碰撞参数研究

在入射能量E为40和100MeV/u时,对¹¹²Sn+¹¹²Sn和¹²⁴Sn+¹²⁴Sn两个反应系统在不同碰撞参数下进行了同位旋相关的量子分子动力学模型计算,系统研究了阻塞率、线性动量转移、荷电粒子多重性、轻荷电粒子多重性、中子多重性以及束缚核总电荷Z_bound随碰撞参数的变化规律,结果表明,中子多重性对碰撞参数的依赖在两个能量下都存在着明显的同位旋效应,Z_bound在E为40MeV/u时存在着同位旋效应.同时讨论了在较低和较高能量时如何更合理地确定反应事件的碰撞参数.     

Ni原子倾斜轰击Pt(111)表面低能溅射现象的分子动力学模拟

采用嵌入原子方法的原子间相互作用势,通过分子动力学模拟详细研究了以不同角度入射的低能Ni原子与Pt (111)基体表面相互作用过程中的低能溅射行为.结果表明:随着入射角度从0°增加到80°,溅射产额Y_s和入射原子钉扎系数S的变化均可以根据入射角θ近似地分为以下三个区域:当θ ≤ 20°时,Y_s和S几乎保持不变,其值与垂直入射时接近,溅射原子的发射角分布和能量分布也与垂直入射时的情 关键词： 分子动力学模拟 入射角 低能溅射     

离子轰击入射角对溅射参数的影响

本文用基于两体碰撞近似的蒙特-卡罗模拟方法研究离子轰击入射角对溅射参数的影响,讨论了入射角与溅射产额、溅射粒子能谱、角分布和阈能的关系,并把计算结果与某些半经验公式和实验数据进行了比较。 关键词：     

入射能量为5.1MeV中子58Ni(n,α)55Fe反应截面和出射粒子角分布测量

用屏栅电离室测量了入射中子能量为5.1MeV的⁵⁸Ni(n,α)⁵⁵Fe核反应的α粒子角分布,²³⁸U裂变电离室作中子注量率的测量,测得该能点⁵⁸Ni(n,α)⁵⁵Fe的总截面为(47.4±5.0)mb.用中国核数据中心推荐的理论计算程序UNF计算了在1—8MeV能区⁵⁸Ni(n,p)⁵⁸Co,⁵⁸Ni(n,α)⁵⁵Fe的反应截面和入射中子能量为5.1MeV的⁵⁸Ni(n,α)反应角分布.理论和测量数据的比较说明,用复合核模型来描写该能点的角分布是可行的.     

锗的正电子表面态的测量研究

通过测量低能正电子入射到锗(Ge)靶的电子偶素产额随靶温度的变化,测定了在真空度为1.33×10^－4Pa时锗的正电子表面态的束缚能E_b=2.2eV;Ps形成的激活能E_a=0.2±0.01eV.讨论了高真空与超高真空条件下E_b,E_a的变化.     

hcp结构的Co磁性膜表面和界面的非线性克尔旋转及SHG的研究

本文基于对称性理论、磁性表面的菲涅耳反射和折射定律,研究了hcp(密排六方体)Co结构的χ⁽²⁾、SHG(二次谐波振荡)信号强度和非线性磁光克尔旋转角Φ_k,α⁽²⁾与入射角、偏振角及光子能量的关系.结果表明,Φ_k,α⁽²⁾比线性克尔角有巨大的增强;当接近垂直入射时,Φ_k,α⁽²⁾接近90°;Φ_k,α⁽²⁾灵敏地依赖于M的影响,从而可以通过Φ_k,α⁽²⁾来决定薄膜中的晶轴方向和磁化强度的取向.     

α粒子的准弹性敲出反应

使用独立α粒子模型波函数, 在eikonal扭曲波冲量近似下, 对入射能量为100MeV的准弹性敲出反应¹²C(p, pα)⁸Be进行了计算. 理论结果较好地与实验符合, 从而进一步地检验了独立α粒子模型的可靠性.     

质子在α-LiIO3单晶中的沟道效应研究

利用MeV能量的准直质子束,在不同的质子能量下,测定了α-LiIO₃单晶<001>向的轴沟道参数角度半宽度ψ1/2和产额极小值χ_min。在向静电场作用卞,首次观察到入射质子与表面处的Ⅰ原子沟道-背散射产额随电场作用时间而增加,并定量计算了表面无序Ⅰ原子数随静电场作用时间的关系。另外,入射质子与 ⁷Li原子沟道-核反应[⁷Li(p,α)⁴He]产生的α粒子产额也随电场作用时间而增加。 关键词：     

初态相互作用与高能p—A碰撞中J/ψ产额的压低

研究了初态相互作用对高能p—A碰撞中J/ψ产额压低的影响.由于入射质子与靶核的非弹性作用,使它的能量减小.考虑了这个贡献之后,只需末态相互作用的截面为σ^f_abs=2.1mb,就能很好地再现实验结果.     

5.5到21.7MeV/A28Si+197Au系统的裂变测量(Ⅰ)线动量转移和偏离反应平面分布

用5.5到21.7MeV/A²⁸Si+¹⁹⁷Au,测量关联裂片的速度及角分布.实验表明:入射能超过10MeV/A时,出现非完全熔合裂变(ICF);E_cm>200MeV时,伴随ICF又出现跟随裂变(SF).从线性动量转移(LMT)分布中,提取了SF产额对总裂变产额的比值.从关联裂片偏离反应平面的分布中,给出了分布宽度与单核子激发能的线性关系式.     

西藏羊八井广延空气簇射阵列性能的Monte Carlo研究

本文用Monte Carlo方法研究西藏羊八井空气簇射阵列性能.确定好事例判选标准.簇射中心定位精度达3.4m.原初粒子到达方向角分辨率好于1.1°.原初粒子能量按lgE₀=lg(0.45ΣN_i)±0.226确定,其中E₀(TeV)为初级入射粒子能量,ΣN_i为FT探测器上探测到的粒子总数.