晶体Sr_2Cu（HCOO）_6·8H_2O作为先驱物制备Sr_2CuO_2（C

应用ＳｒＣＯ３和ＣＵ（ＮＯ３）·３Ｈ２Ｏ从甲酸溶液中制备出晶体Ｓｒ２Ｃｕ（ＨＣＯＯ）６·８Ｈ２Ｏ，用这一晶体作为先驱物，石英管式炉中，８２５℃烧结六小时，得到单相的Ｓｒ２ＣｕＯ２（ＣＯ３）．通Ｎ２气体，８５０℃烧结十小时，得到Ｓｒ２ＣｕＯ３．Ｓｒ２ＣｕＯ２（ＣＯ３）是形成Ｓｒ２ＣｕＯ３的一种中间相．     

顺磁性对单晶GdBa2Cu3O6＋y监界电流密度的影响

由于单晶ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｙ样品中Ｇｄ＾３＋离子本身固有磁矩对样品有顺磁贡献，使得样品的磁滞回线有所倾斜并使磁滞回线的宽度增大，因而使根据Ｂｅａｎ模型得到的临界电流密度偏离了其真正的值，在温度Ｔ＝４．２Ｋ时，偏离达到８％，因而在对ＹＢＣＯ和ＧＢＣＯ进行比较研究时，对ＧＢＣＯ临界电流密度的修正是必要的。这一顺磁磁化强度的磁场依赖关系可以用反铁磁的分子场理论给以很好的描述。     

锗酸盐晶体压致非晶化的研究

高压拉曼散射研究表明．ＣｕＧｅＯ３，Ｌｉ２ＧｅＯ３和Ｌｉ６Ｇｅ２Ｏ７三种晶体分别在７，１２和１１ＧＰａ压力下转变为非晶。在高于起始转变压力以上一定范围压致非晶是可逆的，ＣｕＧｅＯ３，Ｌｉ２ＧｅＯ３和Ｌｉ６Ｇｅ２Ｏ７压致非晶的不可逆转变压力分别为１４．１，２０和２０ＧＰａ。压致非晶ＣｕＧｅＯ３的重新晶化温度在６００℃附近。锗酸及系列晶体的压致非晶化与它们的成份和结构有关，随着在这一系列晶体中Ｌｉ２Ｏ含量的增加，压致非晶化的压力趋于减小。     

顺磁性对单晶GdBa_2Cu_3O_（6＋y）临界电流密度的影响

由于单晶ＤｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｙ样品中Ｇｄ３＋离子本身固有的磁矩对样品有顺磁贡献，使得样品的磁滞回线有所倾斜并使磁滞回线的宽度增大，因而使根据Ｂｅａｕ模型得到的临界电流密度偏离了其真正的值．在温度Ｔ＝４．２Ｋ时，偏离达到８％．因而在对ＹＭＯ和ＧＢＣＯ进行比较研究时，对ＧＢＣＯ临界电流密度的修正是必要的．这一顺磁磁化强度的磁场依赖关系可以用反铁磁的分子场理论给以很好的描述．     

用不同母体制备Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy超导块材

采用不同的母体材料，在分别淬火的非晶中间相基础上合成了Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ高Ｔｃ超导陶瓷，报道了这些材料的制备、Ｘ射线衍射及电阻率结果。我们用共生长和结构中离子成分的变化对结果进行了讨论。通过对材料结构和性质的分析得出ＳｒＣａＣｕＯ３是最适合２２１２成相的母体。而ＳｒＣｕＯ２是产生２２２３相的最好母体，在４０Ｋ零场中推断的颗粒内临界电流密度Ｊｃ达１０＾６Ａ／ｃｍ＾２。     

Bi2Sr2—xLaxCuO6薄膜的热激活磁通耗散行为

利用不同磁场下的Ｒ－Ｔ曲线，得到了Ｂｉ２Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６薄膜的上临界场Ｈｃ２，讨论了热激活磁通蠕动对上临界场Ｈｃ２的影响。用热激活磁通蠕动理论解释了磁场下Ｒ－Ｔ曲线的展宽效应，得到激活能对温度的线性变化关系，对磁场的指数变化关系。     

稀土离子Eu3+掺杂Y2SiO5晶体的光谱和结构研究

用５１４．５ｎｍ、４８８．０ｎｍ的Ａｒ＾＋激光和４４１．６ｎｍ的Ｈｅ－Ｃｄ激光激发Ｅｕ＾２＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的获得了一系列窄带荧光谱线,其中双重谱线结构源于Ｅｕ３＾＋离子发光中在该材料中占据两种不等价的非对称光学格位,测得了Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５的Ｘ射线多晶衍射谱的面间距数据;计算了晶格常数和晶在角度,通过和非掺杂Ｙ２ＳｉＯ５晶体数据的比较,探讨了Ｅｕ＾２＋和Ｙ２ＳｉＯ５格位的相互影响。     

含[V2M6S6O2](M＝Cu,Ag)簇骼单元的八核簇合物的分子结构和谱学性质

报道了两个「Ｖ２Ｍ６Ｓ６Ｏ」（Ｍ＝Ｃｕ,Ａｇ）八核簇合物的合成和分子结构,讨论了它们的约外光谱,＾５１ＶＮＭＲ和电子光谱,采用动态红外光谱跟踪技术探讨「Ｖ２Ｃｕ６Ｓ６Ｏ２」簇合物的成簇机理。     

含不同211相颗粒的区域熔炼YBa2Cu3O6＋x样品的临界电流

在５５－７８Ｋ的温度范围内，最大磁场为２．３Ｔ下，用ＶＳＭ测量了含Ｙ２ＢａＣｕＯ５颗粒的区域熔炼ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ的磁滞回线。利用Ｂｅａｎ模型计算了磁临界电流密度，发现Ｊｃ与外加磁场Ｈ有一普适关系。实验结果能用集体钉扎理论解释。我们同时发现Ｙ２ＢａＣｕＯ５（２１１）颗粒在磁通钉扎中有很大作用，在较高增场下，随２１１相颗粒含量的增加，样品的Ｊｃ下降越缓慢。     

Al2O3加掺杂Cr^3＋,Cr^4＋离子EPF零场分裂的理论解释

在晶体场理论基础上，研究了刚玉Ａｌ２Ｏ３中分别掺杂Ｃｒ＾３＋和Ｃｒ＾４＋的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲ零场分裂Ｄ，理论计算同实验值符合好，研究表明，掺杂晶体Ａｌ２Ｏ３：Ｃｒ＾４＋中络离子（ＣｒＯ６）＾８－局城结构应在压缩的三角畸变（△θ≈３°）这是零场分裂Ｄ反常大（≈７ｃｍ＾－１）的重要原因。     

高压下Eu^3^＋：Gd2O2S的发射光谱,能级及晶体场

在室温下，０－１５ＧＰａ压力范围内，测量了Ｅｕ＾３＾＋：Ｇｄ２Ｏ２Ｓ的发射光谱。通过对７Ｆ０－６多重态能级结构的拟合，研究了压力对能级和晶体场的影响。     

氧有序与YBa2Cu3Oy的比热反常

ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ多晶样品正交Ⅱ区域内的差分比热，样品的氧含量分别为ｙ＝６．７３，６．６６，６．６５和６．５７。比热反常峰值和峰所对应的温度均随氧含量的降低而降低。对于ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．５７样品，其比热反常幅度虽小但仍可分辨出来，说明体超导仍存在于该组份（６０Ｋ超导体）。实验结果表明，Ｃｕ－Ｏ链层的氧有序是与９０Ｋ体超导和６０Ｋ体超导相关的。Ｃｕ－Ｏ２面的完整对保持体超导至关重要。     

ZnAl_2O_4∶Cr~(3 )晶体~4 A_2基态ZFS及其三角晶格畸变研究

用对角化哈密顿矩阵的方法,借助Ｎｅｗ ｍａｎ 晶场叠加模型,研究了ＺｎＡｌ２Ｏ４∶Ｃｒ３ ＋ 晶体的基态零场分裂（ＺＦＳ） 及其电子光谱,理论结果与实验一致．定量研究表明,掺杂晶体ＺｎＡｌ２Ｏ４∶Ｃｒ３ ＋ 中,络离子（ＣｒＯ６）９ － 局域结构应有压缩的三角畸变（Δθ＝ ３ ．０６°） ．同时指出,自旋二重态对４ Ａ２ 基态ＺＦＳ参量ｂ０２ 的贡献不可忽略,而对ｇ 因子的贡献甚微．     

Eu^2＋：Sr9Ca（PO4）6Cl2中的新型色心及其光激励发光

本文报道了Ｅｕ＾２＋：Ｓｒ９Ｃａ（ＰＯ４）６Ｃｌ２的新型色心。它的吸收带主峰分别位于７０８，７８５，８４５及９９０ｎｍ。用对应于Ｆ心吸收带和这些吸收带波长的光束分别激励样品时得到相同的光激励发光。通过对比研究表明，这些吸收带是由Ｆ心的缔合中心，即由ＦＡ心产生的。由于这些色心的吸收带偏离Ｅｕ＾２＋的发射波长（４５０ｎｍ）更远，故更适应于Ｅｕ＾２＋：Ｓｒ９Ｃａ（ＰＯ４）６Ｃｌ２光波励发光的研究和开发。     

PrBa2Cu3O7中的Pr—O共价因素及其影响

本提出ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７中的Ｐｒ－Ｏ键长的缩短是由于Ｐｒ－Ｏ键含有明显的共价成份，中阐述了这种共价性作用的性质和原因。讨论了这种化学键对ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７电子结构的影响，这性解释了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ中复杂的反铁磁有序。     

Bi系高Tc超导材料的核四极共振（NQR）研究

用标准固相反应法，我们制备了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ和Ｂｉ２ＣａＣｕ２Ｏｙ纯相样品，在液氮温度下测量了Ｃｕ－ＮＱＲ和Ｂ－ＮＱＲ静态谱，发现ＮＱＲ谱都为大宽包，Ｃｕ－ＮＱＲ谱线位置反映铜原子所处的氧环境，Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃｕ２Ｏｙ的ＮＱＲ谱宽反映其调制结构，Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯｙＮＱＲ谱宽取决于其掺杂浓度。由于电场梯度弥散很大，Ｂｉ－ＮＱＲ谱很难观察。     

非晶纳米发光材料(Y,Eu)_2O_3-SiO_2发射光谱的分析研究

ＥＸＡＦＳ测定表明ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备的纳米非晶（Ｙ，Ｅｕ）２Ｏ３－ＳｉＯ２发光材料中，发光中心Ｅｕ３＋的局域环境和晶态Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５Ｅｕ中Ｅｕ３＋离子的局域环境相似．以此结构为依据，用Ｍ．Ｆ．Ｒｅｉｄ的方案计算了晶场迭加模型中的能级参数及光谱强度参数，并得到了与实验结果基本一致的理论光谱图     

CuSO4·5H2O在用KBr压片法制样时所发生的固相反应的研究

用Ｘ射线衍射法和ＦＴ－ＩＲ法研究了ＣｕＳＯ４·５Ｈ２Ｏ在用ＫＢｒ压片法制样过程中所发生的固相反应．主要产物为：Ｋ２Ｃｕ（ＳＯ４）２·６Ｈ２Ｏ和ＣｕＢｒ２。     

Eu3+:Y2SiO5晶体透射光谱和荧光谱研究

在室温条件下,对Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的透射光谱和４５７．９ｎｍＡｒ＾＋激光激发荧光谱进行测量和研究。这些光谱表明,Ｅｕ＾３＋离子在Ｙ２ＳｉＯ５晶体中占据两种最低对称性Ｃ１格位。利用透射光谱和荧光谱对Ｅｕ＾３＋离子的最低激发态＾５Ｄ０的两种格位光谱进行了成功分离。实验发现,在＾５Ｄ０态两种格位谱的谱宽只有０．１ｎｍ左右,其峰间隔约为０．１８ｎｍ。另外,文中还测量了Ｅｕ＾３＋离子的基态＾７ＦＪ     

高压下HgBa_2NcaCu_2NO_（6＋δ）超导体的制备及其超导电性

利用高温高压方法合成了ＨｇＢａ２ＣａＣｕ２Ｏ６＋δ超导体．Ｘ射线衍射结构分析显示该超导体具有四方结构，晶格常数ａ—０．３８６７ｕｒｎ，ｃ—１．２７４３ｕｒｎ．电阻和交流磁化率测量结果表明该超导体的超导起始转变温度为１２７Ｋ，本电阻温度为１２ｌＫ，抗磁转变温度为１１８Ｋ．对合成后的样品做了氧气氛中的退火处理．研究了２７ｋｂａｒ压力下，不同烧结温度对合成作品的超导电性的影响，结果表明该压力下ＨｇＢａＣａＣｕＯ６＋δ超导体的最佳合成温度为８２０～８３０℃．