巨磁电阻锰氧化物材料的低温电阻率行为的研究

对巨磁电阻锰氧化物材料La2/3Ca1/3MnO3/YSZ(钇稳定氧化锆)(LCMO/YSZ)系列样品低温下电阻率行为进行研究,低温下电阻率行为一般是ρ=ρ0 ATa BTb的形式,其中ρ0为剩余电阻率,a=2或3/2,b=5或9/2.T2代表电子-电子散射项,T3/2代表被无序自旋玻璃散射的电子项,T6代表电子.声子散射项,Tθ/2们代表电子-双磁子散射项.在此指出b=5是合理的,代表电子-声子散射项.     

利用W波段高T_c超导-介质谐振器测量YBa_2Cu_3O_(7-x)薄片的毫米波表面阻抗

本文报道利用高 T_c 超导-介质谐振器测量 YBa_2Cu_3O(7-x)表面阻抗随温度的变化.谐振器由蓝宝石管两端加载 YBCO 超导片组成.测量表明,当温度渐降低于80K 时,样品的表面电阻 R_s 迅速下跌;但在低的相对温度下(如t=0.2=T/T_c),样品的 R_s 仍较大,与 BCS 理论预计相去甚远.文中还提出决定λ_L(t)的一种新方法,并从我们的实测数据导出最佳拟合曲线满足λ_L(t)=λ_L(0)(1-t^2)^(-1/2).     

利用W波段高T_c超导-介质谐振器测量YBa_2Cu_3O_(7-x)薄片的毫米波表面阻抗

本文报道利用高 T_c 超导-介质谐振器测量 YBa_2Cu_3O(7-x)表面阻抗随温度的变化.谐振器由蓝宝石管两端加载 YBCO 超导片组成.测量表明,当温度渐降低于80K 时,样品的表面电阻 R_s 迅速下跌;但在低的相对温度下(如t=0.2=T/T_c),样品的 R_s 仍较大,与 BCS 理论预计相去甚远.文中还提出决定λ_L(t)的一种新方法,并从我们的实测数据导出最佳拟合曲线满足λ_L(t)=λ_L(0)(1-t~2)~(-1/2).     

赝能隙导致的YBa2(Cu1-xMx)3O7-δ(M=Co,Zn)薄膜的输运性质异常

报道了两类典型元素替代的超导Y123相体系-YBa2(Cu1-xCox)3O7-δ(x=0.01,0.02)和YBa2(Cu1-yZny)3O7-δ(y=0.005,0.010)薄膜的电阻率-温度特性(ρ(T))和Hall效应(RH (T)).研究表明,Co掺杂的Y123相体系十分类似于氧欠掺杂的情况,对Co掺杂的薄膜样品,由电阻率-温度特性定义的赝能隙打开的温度T*分别为193和225K.而Zn掺杂的样品没有观察到赝能隙打开对电阻率-温度特性的影响.由Hall效应的测量和Hall角(cotθH)定义了另一个特征温度T 0,介于Tc与T*之间,这一特征温度与核磁共振(NMR)给出的赝能隙打开温度相近,说明可能源于电子自旋自由度上的能隙打开.在室温到Tc范围内,电阻率-温度特性和Hall效应分别定义了两类不同的转变温度(T*和T 0),可能分别源于电子电荷和自旋通道上的赝能隙的打开,预示着电荷和自旋自由度分别进入某种基态.     

赝能隙导致的YBa2(Cu1－xMx)3O7-δ(M=Co,Zn)薄膜的输运性质异常

报道了两类典型元素替代的超导Y123相体系-YBa2(Cu1-xCox)3O7-δ(x=001,002)和YBa2(Cu1-yZny)3O7-δ(y=0005,0010)薄膜的电阻率温度特性(ρ(T))和Hall效应(RH(T)).研究表明,Co掺杂的Y123相体系十分类似于氧欠掺杂的情况,对Co掺杂的薄膜样品,由电阻率温度特性定义的赝能隙打开的温度T分别为193和225K.而Zn掺杂的样品没有观察到赝能隙打开对电阻率温度特性的影响.由Hall效应的测量和Hall角(cotθH)定义了另一个特征温度T0, 关键词： 赝能隙 Y123相 Hall效应     

CeCu_2Si_2和UBe_(13)的超导理论(Ⅰ) 模型,T_c及序参量

本文从周期性的Anderson晶格模型出发,考虑到局域电子与局域晶格形变的作用,对CeCu_2Si_2和UBe_(13)的重费密子超导现象进行了理论研究。通过计算,得到了合理的超导转变温度T_c;给出了描述同位素效应大小的参数α<1/2,甚至等于零(在BCS理论中α=1/2),说明现在的理论给出的同位素效应比BCS理论小,甚至可以不存在同位素效应,这与重费密子超导的实验相符合;此外还给出了序参量随温度及态密度变化的关系曲线,由此可以自然地得出f电子参加超导的结论。     

非晶Nd-Fe薄膜电阻的温度效应与非晶稳定性

用闪光蒸镀法在77K制备了Nd_xFe_1-x(x=0.06-0.80)非晶薄膜,原位测定了其电阻随温度的变化。结果表明:在0.192和ρ(T)∝T。晶化不是在一个固定的温度,而是在一个温度区间发生。     

氯与甲烷和重氢甲烷反应的矢量相关研究

在扩展的London?Eyring?Polanyi?Sato(LEPS)势能面基础上,利用准经典轨线法在碰撞能Ecol=3.67 kcal/mol下研究了Cl CH4→HCl CH3和Cl CD4→DCl CD3反应,在质心系计算得到四个广义极化微分反应截面((PDDCS)(2π/σ)(dσ00/dωt)、(2π/σ)(dσ20/dωt)、(2π/σ)(dσ22 /dtω)、(2π/σ)(dσ21-/dωt)和k-k′-j′三矢量相关的极角分布p(r)、k-j′两矢量相关的p(rθ)分布以及用θr和r表示的产物转动角动量的空间分布.计算结果与有关实验及理论结果符合得很好,讨论了氯与甲烷和重氢甲烷反应的立体动力学同位素效应.     

量子化极限情况下MOS反型层二维电子气定域态电子电导率σ_(xx)的低频效应

本文分析了量子化极限情况下MOS反型层二维电子气(2DEG)定域态电子电导率的频率特性。主要内容:(1)用费密分布函数随频率变化导出了在2DEG两种主要导电过程的频率特性。即向迁移率边激发导电过程电导率σ_(ME)(ω)和可变程跳跃导电过程电导率σ_(VRH)(ω)。发现:σ_(ME)(ω)和σ_(VRH)(ω)是一个复数。(2)说明了σ_(ME)(ω)有较长时间常数τ_n,对应一个低频过程。σ_(VRH)(ω)有较短时间常数,对应一个高频过程。(3)理论与实验作了比较,拟合结果表明,在实验条件下,向迁移率边E_c激发时间常数τ_n3.6×10~(-6)。     

氯与甲烷和重氢甲烷反应的矢量相关研究

在扩展的London-Eyring-Polanyi-Sato(LEPS)势能面基础上,利用准经典轨线法在碰撞能Ecol=3.67 kcal/mol下研究了Cl+CH4→HCl+CH3和Cl+CD4→DCl+CD3反应,在质心系计算得到四个广义极化微分反应截面((PDDCS)(2π/σ)(dσ00/dωt)、(2π/σ)(dσ20/dωt)、(2π/σ)(dσ22+/dωt)、(2π/σ)(dσ21-/dωt)和k-k′-j′三矢量相关的极角分布p(фr)、k-j′两矢量相关的p(θr)分布以及用θr和фr表示的产物转动角动量的空间分布.计算结果与有关实验及理论结果符合得很好,讨论了氯与甲烷和重氢甲烷反应的立体动力学同位素效应.     

NiS2-xSex在x=1.00附近的反铁磁量子相变

针对NiS2-xSe,系统在x=1.00附近发生的反铁磁量子相变,制备了一系列NiS2-xSex(x=0.96,0.98,1.00,1.05,1.10和1.20)多晶样品,对其结构、磁性质和电阻率进行了系统的观测.结果发现:样品磁化率-温度关系呈现典型的强关联电子系统特征;与铜氧化物超导体相类似,它们的电阻率-温度关系在很宽的温区内(50--300 K)呈现线性行为;对于x=0.98,1.00样品,低温下(3-30 K)电阻率满足p(T)∝T3/2,呈现非费米液体行为,而在x=1,10,1.20样品中的ρ(T)又呈现费米液体预言的T2关系.根据与量子相变行为相关的反铁磁量子涨落对结果进行了讨论.     

Al2O3X(X=H,D,T)的电子振动近似理论方法研究

用密度泛函理论(DFT)方法在6-311 G(d,p)水平上对Al2O3X(X=H,D,T)分子较低能量的几何构型进行了优化.计算结果表明该分子有两个可能基态,即Al2O3X(X=H,D,T)(2A′)Cs和Al2O3X(X=H,D,T)(2B2)C2v.全电子计算了氢同位素分子及Al2O3X(X=H,D,T)的能量E、定容热容CV和熵S.应用电子振动近似理论,即用单个分子Al2O3X(X=H,D,T)中的电子和振动能量和熵近似代表它们处于固态时的能量和熵,计算得到固体Al2O3的氢化热力学函数ΔH0,ΔS0,ΔG0以及平衡压力与温度的关系.当Al2O3吸附氢(氘,氚)形成C2v对称性气态Al2O3X(X=H,D,T)对应的固体时,氢气可以排代氘气,氘气可以排代氚气.这种排代效应非常不明显;形成Cs对称性气态Al2O3X(X=H,D,T)对应的固体时,反应的氢氘氚排代效应的顺序为氚排代氘,氘排代氢,与钛等的氢氘氚排代效应的顺序相反.总体而言,这种排代效应都非常弱.随着温度的增加,这一系列反应的氢氘氚排代效应趋于消失.     

非晶态(Fe_(1-x)Nb_x)_(84.5)B_(15.5)合金低温下的磁性和自旋波激发

非晶态(Fe_(1-x)Nb_x)_(34.5)B_(15.5)(0≤x≤0.1)合金是用单辊急冷技术制备的。用提拉法和磁天平测量了磁化强度与温度以及磁场的关系。推出OK时的自发磁化强度σ(0)随Nb含量的增加近似线性下降,计算出每个Fe原子和每个Nb原子的平均磁矩分别为2.05μB和-2.57μB。在室温以下,磁化强度的温度关系较好地与自旋波激发公式σ(T)/σ(0)=1—BT~(3/2)-CT~(5/2)-…相符,得到自旋波劲度系数D从x=0时的71.3 mev·A~2下降到x=0.1时的59.8 mev·A~2,而D与居里温度的比值D/Tc随成分变化很小。当x从0增加到0.1时,交换相互作用范围的平方平均值〈r~2〉在11.8A~2—13.6A~2之间。     

高T_c氧化物Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y大块超导体的磁化和H_(c1)

高T_c氧化物 Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y(x=0.2,0.3,0.4,0.5)大块超导体的 Meissner 效应表明存在110K 和85K 两个超导相,并且以110K 相为主,抗磁转变起始于103K 附近.不同样品在77.3K 的磁化实验表明,当 x≤0.3时,H_(Cl)≈28Oe,当 x>0.3时,H_(cl)=25Oe.x=0.3的样品在不同温度下的磁化实验结果表明,在 T=77.3—95K 之间,H_(Cl)与 T 成线性关系,且 dH_(Cl)/dT=-1.07Oe/K.两个超导相的存在导致磁化曲线峰的拉宽,且拉宽程度与85K 相所占的比例有关.     

Li2Mo2O6多晶材料的结构与电性能的研究

本文用固相反应烧结制备出Li₂Mo₂O₆多晶材料。经X射线分析、红外光谱和电子顺磁共振谱(EPR)的研究,确定了它的结构是Li₂Mo₂O₄和MoO₂两个晶相组成的烧结体。钼离子以四价状态存在于MoO₂晶相结构中。采用交流阻抗谱分析了晶界与温度变化的相关性。测得了样品的ln(σ_总T)-1/T 曲线是由两段直线和一段曲线所组成;总电导率化能σ_27℃=1.36×10^-3(Ω·cm)^-1,σ_115℃=1.49×10^-3(Ω·cm)^-1,σ_300℃=9.71×10^-3(Ω·cm)^-1,σ_370℃=2.42×10^-3(Ω·cm)^-1;电导活化能E₁=0.043eV,E₂=0.235eV,E_平均=0.76eV。采用维格纳极化电池法测得电子电导率σ_e,σ_e27℃=2.240×10^-5(Ω·cm)^-1,σ_e300℃=4.476×10^-3(Ω·cm)^-1。实验证明,室温下材料为固体电解质,300℃附近为良好的离子与电子混合导体。 关键词：     

高T_c氧化物Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y大块超导体的磁化和H_(c1)

高T_c氧化物 Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y(x=0.2,0.3,0.4,0.5)大块超导体的 Meissner 效应表明存在110K 和85K 两个超导相,并且以110K 相为主,抗磁转变起始于103K 附近.不同样品在77.3K 的磁化实验表明,当 x≤0.3时,H_(Cl)≈28Oe,当 x>0.3时,H_(cl)=25Oe.x=0.3的样品在不同温度下的磁化实验结果表明,在 T=77.3—95K 之间,H_(Cl)与 T 成线性关系,且 dH_(Cl)/dT=-1.07Oe/K.两个超导相的存在导致磁化曲线峰的拉宽,且拉宽程度与85K 相所占的比例有关.     

非晶态(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)合金的磁性和电性

用单辊急冷法制备了非晶态(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)(x=0,0.02,0.04,0.06,0.10)合金的薄带,分别用磁天平和四端引线法测量了饱和磁化强度和高温电阻率的温度关系。得到平均每个磁性原子的磁矩随V含量的增加近似线性下降,计算出每个Fe原子和每个V原子的平均磁矩分别为2.08μ_B和-5.08μ_B。居里温度T_c从x=0时的622K下降到x=0.10时的478K。利用自旋波激发公式:σ(T)=σ(0)(1-BT~(3/2)-CT~(5/2))得到,自旋波劲度系数D在75.4-81.8(meV·)之间(x=0-0.10),交换相互作用范围的平方平均值〈r~2〉从x=0.02时的4.4增加到x=0.10时的6.5。电阻率的测量得到,室温电阻率在155-127(μQ·cm)之间,晶化过程中电阻率的下降幅度随V含量增加而线性减小,其原因与晶化过程中的相变有关。     

与铷（5^2S1／2）原子碰撞产生的铷7^2D态精细结构转移截面

本文报道使用蒸汽泡和两光子两步激发方法,测量原子激发态敏化荧光I_(3/2)~1和直接荧光I_(3/2)~2其与温度的关系,得到与基态(5~2S_(1/2)铷原子碰撞产生的铷7~2D_(5/2)→7~2D_(3/2)和7~2D_(3/2)→7~2D_(5/2)精细结构转移截面分别为:σ_(fs)=4.7×10~(-13)cm~2、σ_(fs)~’=7.0×10~(-13)cm~2;碰撞转移出7~2D双态的转移截面σ_(tr)(5/2)=0.62×10~(-13)cm~2.由计算的7~2D态几何截面σ_(geom)能够相对很好地描述σ_(fs)和σ_(fs)~’的数量级.     

电子-正电子散射与电子-电子散射的极化效应

计算了电子-正电子散射的16种极化散射截面.根据角分布的特征,它们可以分为三大类,其前向奇性分别是sin~(-4)(θ/2)、sin~(-2)(θ/2)和1.也计算了电子-电子散射的16种极化散射截面,它们既可以按前向奇性分为三大类,也可以按后向奇性分为三大类.三类奇性的特征与电子-正电子散射类似.对于三类奇性的出现给出了直观的物理说明.     

CeCu2Si2和UBe13的超导理论(Ⅰ) ——模型,Tc及序参量

本文从周期性的Anderson晶格模型出发,考虑到局域电子与局域晶格形变的作用,对CeCu₂Si₂和UBe₁₃的重费密子超导现象进行了理论研究。通过计算,得到了合理的超导转变温度T_c;给出了描述同位素效应大小的参数α<1/2,甚至等于零(在BCS理论中α=1/2),说明现在的理论给出的同位素效应比BCS理论小,甚至可以不存在同位素效应,这与重费密子超导的实验相符合;此外还给出了序参量随温度及态密度变化的关系曲线,由此可 关键词：