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| 量子化极限情况下MOS反型层二维电子气定域态电子电导率σ_(xx)的低频效应 | |
| 引用本文： | 赵冷柱.量子化极限情况下MOS反型层二维电子气定域态电子电导率σ_(xx)的低频效应[J].物理学报,1987(4). |
| 作者姓名： | 赵冷柱 |
| 作者单位： | 上海科学技术大学物理系 |
| 摘 要： | 本文分析了量子化极限情况下MOS反型层二维电子气(2DEG)定域态电子电导率的频率特性。主要内容:(1)用费密分布函数随频率变化导出了在2DEG两种主要导电过程的频率特性。即向迁移率边激发导电过程电导率σ_(ME)(ω)和可变程跳跃导电过程电导率σ_(VRH)(ω)。发现:σ_(ME)(ω)和σ_(VRH)(ω)是一个复数。(2)说明了σ_(ME)(ω)有较长时间常数τ_n,对应一个低频过程。σ_(VRH)(ω)有较短时间常数,对应一个高频过程。(3)理论与实验作了比较,拟合结果表明,在实验条件下,向迁移率边E_c激发时间常数τ_n3.6×10~(-6)。 |
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