杂质-空位复合体导致的非平衡偏聚的机制

本文讨论了导致非平衡偏聚的杂质-空位复合体的结构和扩散方式.计算了γFe-B 系统中硼-空位复合体的扩散系数.给出了FCC合金系统中,当杂质-空位结合能为E_b时,空位在杂质最近邻和无杂质处与基体原子交换的激活能分别为H₁和H₀,在满足E_b>H₁-H₀+kTln10时发生非平衡偏聚,理论和现有的实验符合得很好.据此预测了一些可能发生非平衡偏聚的合金系统.     

高电荷态离子O5+与He原子碰撞中单电子俘获激发过程

本文在O⁵⁺离子与He原子碰撞中,测量了OV单态、OV三重态和Hell双重态的发射谱,经过计算得到了谱线的发射截面.实验结果表明:(1)在入射离子能量范围60—80keV内,仅仅观察到单电子俘获激发过程;(2)非绝热位势图所预期的激发能级同本实验结果是一致的.     

非晶态合金晶化过程中的形核及核长大激活能——Ⅰ.计算方法

本文从非晶态合金晶化动力学理论出发,结合非晶态Ni-P合金晶化过程中的阶段激活能 E_c(x)及阶段Avrami指数n(x)随晶化转变分数的变化关系等实验结果,提出了一种计算形核激活能(E_n)及核长大激活能(E_g)的新方法.对非晶态Ni-P合金晶化过程中E_n和E_g的计算结果表明这种方法实验过程简单,所得结果精确.     

单腔并行双器件功率合成理论与实验研究

本文对一种毫米波单腔并行双器件功率合成器进行了理论和实验研究。分析并计算了矩形波导腔内两只并行振荡器件的外电路阻抗,给出了一些对设计、开发该功率合成器非常有用的数值结果。在36.0GHz频率附近,单腔并行双Gunn器件功率合成器的实验结果为:合成输出功率约400mW,合成效率高于95.5％,大于100mW输出的机械调谐带宽近1.5GHz。     

含氢硅单晶2210cm-1红外吸收峰本质的理论研究——Ⅰ.振子频率的价键力场计算

本文根据Urey-Bradely 力场的思想,用价键力场的方法对文献[1]中提出的含氢硅单晶中2210cm^-1吸收峰对应的缺陷复合体的两个模型:空位+4H,间隙硅烷,进行了振动频率的计算.在对计算结果和力常数调节合理性分析的基础上,得出了空位+4H模型比较合理的结论.此外还介绍了理论计算揭示的从实验上区分两个模型的可靠途径.     

高温高压下采用非金属触媒合成金刚石 *

综述了在非金属触媒作用下石墨-金刚石转变的研究进展 ,为更好地了解非金属触媒对石墨 金刚石转变的作用机理提供了最新相关文献中的典型例子和当前的实验研究结果 .另外 ,通过计算石墨-金刚石相变中碳原子跃迁的激活能和相变几率比较了高温高压下采用碳酸盐、硫酸盐和磷等非金属触媒对石墨-金刚石相变的影响 ,发现触媒的类型对相变激活能的影响非常明显 ,同时给出了采用这些非金属触媒合成金刚石的转变几率.     

锆基大块非晶合金玻璃转变和晶化的动力学效应

采用非等温差热扫描量热分析方法 ,用Kissinger方程计算了几种锆基大块非晶合金的玻璃转变和晶化的表观激活能 .实验表明 :玻璃转变与晶化行为一样与加热速度有关 ,均具有动力学效应 .大块非晶合金在玻璃转变温度附近等温退火后 ,其玻璃转变的表观激活能增加 ,晶化的表观激活能减小 ,但其动力学效应并不改变 .同时从晶化反应速率常数的角度讨论了玻璃形成能力 .     

晶格反演的嵌入原子法模型及其应用

讨论一种基于晶格反演的嵌入原子法模型 ,其特点是未知函数的参数化是对原子间对势和单原子电荷密度函数的晶格和 ,而不是对原子间对势和单个原子的电荷密度函数进行的 ,其最大优点在于待定参数可以用物理输入解析地表达出来 ,而不是像大多数埋入原子法模型中那样通过拟合来确定 .给出了它在计算点缺陷 (自间隙杂质和空位原子 )和晶体表面形成能方面的应用 .     

嵌套模拟组合风险度量的方差减小

嵌套模拟是金融中非常复杂的问题,涉及的计算量很大.试图用方差减小技术来减小嵌套模拟估计的方差,进而减小均方误差,以减少计算成本,提高模拟效率.对要用嵌套模拟估计的风险度量,提出了对外层随机因子的双参数重要性抽样方法,以及对外层随机因子的单参数重要性抽样方法与控制变量方法结合的方法.数值实验表明,双参数重要性抽样法和单参数重要性抽样方法与控制变量方法结合的方法效果都比普通的单参数重要性抽样方法好.     

基于坐标平移法的正常固结非饱和土三剪弹塑性本构模型

采用单应力变量法和双应力变量法建立了非饱和土的三剪统一强度准则,在此基础上用坐标平移法分别推导了相应的破坏应力比.将所得破坏应力比与非饱和土修正Cambridge模型进行结合,分别建立了单应力变量及双应力变量下的正常固结非饱和土三剪弹塑性本构模型,并对其做了ABAQUS二次开发.以南昌非饱和重塑红土为研究对象,分别对其做了非饱和土三轴固结排水试验验证、真三轴固结排水试验模拟,并研究了中间主应力影响系数b和基质吸力s对重力式挡土墙计算模型的影响.计算结果表明:所提的2种本构模型在三轴固结排水试验中均能很好地描述正常固结非饱和土的变形特性,且双应力变量下采用坐标平移法的模拟结果相对更为接近真实试验结果;在真三轴固结排水试验模拟中,采用双应力变量法相对单应力变量法所得偏应力和体应变偏大,随着中间主应力影响系数b增大,2种本构模型的偏应力和体应变也会随之增大;双应力变量下的重力式挡土墙计算模型更为稳定,随着中间主应力影响系数b或基质吸力s的增大,挡土墙模型土体位移相应减小,而墙后土体强度及稳定性相应增大.     

激光晶体的Xα研究——Ⅳ.金绿宝石的DV-Xα-HF计算

本文首次报道了原子簇(BeCrO₆)^7-的DV-X_α-HF计算结果,给出了单电子能量本征值、晶场参数10D_q和电荷转移跃迁能量,并且把DV-X_α-HF方法推广到普遍的多重态计算和组态混合,我们的计算结果与激光晶体金绿宝石的吸支谱实验符合得很好,这表明DV-X_α波函数和双电子算符的结合可能为原子簇的多重态计算提供了一种较为简便而有效的方法。     

散射裂变截面的最优设计

在[1]中讨论了反应堆散射裂变截面的最优设计,基于下列单能静态各向同性迁移方程     

GaP∶N束缚激子发光的能量转移和热猝灭过程

本文在带-带激发条件下,研究了15—150K范围内GaP:N中束缚激子发光与温度的关系。用发光动力学的方法,分析了掺N浓度不同、无辐射复合强弱不同的样品中各发光中心之间的能量转移过程以及同束缚机制相关的发光热猝灭过程。结果表明,无辐射复合在转移和热猝灭过程中超重要作用。由于无辐射复合几率随温度升高而增大,发光热猝灭的表观激活能比发光中心本身热离化的激活能偏大,而且,能量转移越显著,所得的表观激活能越大。对于NN₁和NN₃中心,发光热猝灭规律的具体分析结果完全符合HTL模型。     

含氢硅单晶2210cm-1红外吸收峰本质的理论研究——Ⅱ.振子强度及振动势函数的MNDO计算

在前文价键力场频率计算的基础上,本文利用MNDO量子化学方法对含氢硅单晶中2210cm^-1吸收峰对应缺陷复合体的两个模型(空位+4H,间隙硅烷),在氢氘混合气氛下各自产生的5种组态,12个红外活性的振动模式进行了振子强度计算.计算结果表明,空位+4H模型是可取的.根据用MNDO对Si₁₆H₁,Si₁₆H₃,Si₁₆H₄,SiH₄,Si₁₁H₄原子集团A振动模式势函数的计算结果,讨论了建立在价键力场频率计算基础上的振子强度计算的合理性以及影响硅单晶中Si—H伸缩振动吸收峰频率的因素.此外还介绍了证实理论预言的实验结果.     

固体介质电偶极子等温衰减电流与激活能分布

从经典的单一弛豫时间Debye方程着手,考虑各个弛豫时间的电偶极子对弛豫过程贡献的物理意义后,近似地获得了以任意激活能分布的电偶极子数与等温衰减电流的基本关系,即电偶极子激活能分布密度与电流I和衰减时间t的乘积成正比.数值计算结果检验该理论时表明:无论以分立或连续分布形式存在的电偶极子,精确的与近似的It-logt关系符合得相当好.该理论解决了长期以来电介质中弛豫时间分布非常难得的问题,应用于介电频谱时得到了Hamon早年提出的广泛应用的经验公式的相似结果.     

基于光子结构猜想的波动性现象建模仿真研究

综合龚祖同院士的光子类氢原子结构论和北大俎栋林教授的光子电磁场结构论,提出了两种结构相统一的理论猜想.基于猜想对单缝衍射、双缝干涉以及多缝干涉中光强与光子尺度、细缝宽度等参数的关系进行建模,并以双缝干涉为例进行了仿真实验.通过实验结果与经典波动光学中光强分布的对比,验证了模型的合理性.     

脉冲532nm激光导致的HoP5O14非晶紫外上转换发光的分析

本文报道了532nm 脉冲激光导致的 HoP₅O₁₄非晶的紫外上转换发光现象.从实验和理论上对上转换发光现象、机理和通道进行了测量、分析和计算,表明单离子的步进双光子吸收和离子间能量传递共同参与而感生了其上转换发光.     

分类问题的在线顺序双并联快速学习机

双并联前馈神经网络模型是单层感知机和单隐层前馈神经网络的混合结构,本文构造了一种双并联快速学习机算法,与其他类似算法比较,提出的算法能利用较少的隐层单元及更少的待定参数,获得近似的学习性能.数值实验表明,对很多实际分类问题,提出的算法具备更佳的泛化能力,因而可以作为快速学习机算法的有益补充.     

低压化学蒸汽淀积(LPCVD)的三维计算机模拟通式

在反应管中轴向和径向分别引入片间和片内的反应气体分子的转化率η和η(ρ,±l)以及反应气体的迁移分流因子ξ,提出了LPCVD的三维计算机模拟通式,可以同时模拟计算各种LPCVD薄膜技术中的片间和片内均匀性。计算结果同实验结果符合较好。对实际反应过程中出现的气流绕流和Bernoulli效应以及反应物分子的吸附和反应副产物分子的脱附等对算式的影响作了讨论并提出相应的修正措施。三维LPCVD计算机模拟通式的最大优点是:表达式简单,具有普遍性,不受化学反应级数的限制;计算过程中运算速度快,所占计算机内存空间小;等等。因此,三维LPCVD计算机模拟通式的提出将有利于实现LPCVD薄膜工艺的微型计算机控制。     

在存在高浓度深能级情况下确定各深能级分布的理论与实践

本文是对在多个深能级情况下求分布的理论的改进.原来的理论不适用于在Fermi能级与所研究深能级之间存在浓度与载流子浓度可以比拟的深能级的情况,也不适用于待研究深能级位于禁带中央附近的情况.本工作克服了这些限制,使原有理论适用于更普遍的情况.对于质子注入直拉硅,在存在高浓度氧空位E(0.15)的条件下,求出了双空位第二受主能级E(0.22)的分布,并与不考虑E(0.15)的条件下求出的E(0.22)的分布作了对比.