屏蔽效应对氦原子(e,2e)反应中二重微分截面和单微分截面的影响

用DS3C模型计算了入射能为32.5, 36.5, 40.7 eV时电子入射单电离氦原子的二重微分散射截面, 并把计算结果与实验结果进行了比较, 对屏蔽效应进行了分析. 通过对二重微分散射截面在全空间的角度积分得到了电子入射单电离氦原子的单微分散射截面, 利用3C模型和DS3C模型计算了入射能为32.5, 36.5, 40.7, 50 eV时氦原子的单微分散射截面, 并把计算结果与实验结果进行了比较. 对截面的结构进行了分析, 并系统研究了交换效应对截面的贡献. 关键词： DS3C模型 二重微分散射截面 单微分散射截面 屏蔽效应     

Sn����������䲻͸�������¶ȵı仯

利用SHML模型计算了密度为ρ=1g·cm-3、温度为150eV、200eV、250eV、300eV、400eV的Sn等离子体的随光子能量变化的辐射不透明度及Rosseland平均不透明度.分析了不透明度随光子能量变化曲线的吸收峰值(不透明度峰值)与能级跃迁的对应关系.还将Sn的Rosseland平均不透明度与DCA/UTA及STA模型计算结果作了比较,吻合较好.     

低能电子离化H初通道库仑作用过程的理论研究

基于CDS3C模型,研究了初通道库仑场对低能电子碰撞H(e,2e)反应三重微分截面(TDCS)的影响,计算了在共面对称几何条件下,两个出射电子相对角取不同固定值时,能量近阈值(E0=30、20和17.6eV)的入射电子碰撞H(e,2e)反应的TDCS,将其计算结果与3C、DS3C模型所得结果与实验结果进行了比较.结果表明,初通道库仑场对低入射能,两个出射电子相对角较小时的TDCS有一定影响.     

Yb2.75C60同步辐射光电子能谱

在超高真空系统中制备了Yb2.75C60薄膜.对样品进行了同步辐射光电子能谱研究.在费米能级以下约5 eV范围内的谱数据由Yb2.75C60价带(C60分子轨道LUMO,HOMO和HOMO-1导出的能带)和芯态(Yb 4f7/2,4f5/2)能级构成.用紫外能区不同能量的入射光子,用C 2p和Yb 4f光电离截面随光子能量的不同变化规律,通过定量拟合,得到了对谱线有贡献的上述各个组分的峰位、峰宽和强度.结果表明,光子能量高于约30.0 eV时,芯态4f的贡献使得实验结果远远偏离价带的本征态密度分布.因此,研究Yb2.75C60价态时,应使用能量低于30.0 eV的光子.对实验和拟合结果分析,发现了类似纯C60的光电离截面振荡现象.振荡幅度相对于纯C60较小,反映了化合物中C60分子的化学环境对光电离截面振荡现象起着不可忽略的作用.     

末态电子的关联在氢原子(e,2e)反应中的影响(英文)

在共面非对称几何条件下,利用双势公式解析计算了电子碰撞电离氢原子的三重微分截面.对快电子采用平面波近似,跃迁矩阵元可以表示成两个因子乘积的形式,即结构散射因子和出射道两电子的关联因子.在计算过程中对关联因子采取了最简单的近似,当入射能量为150 eV和54.4 eV时,计算结果与实验结果的符合说明对于这些入射能量该关联近似是有效的;而对于入射能量为27.2 eV时,计算结果与实验结果的较大差异说明这种关联近似是无效的.     

低能电子入射电离He原子二重微分截面的理论研究

研究了低能电子入射单电离He原子的二重微分截面(DDCS)，通过对散射电子三重微分截面在全空间的角度积分得到敲出电子的DDCS.分别用DS3C模型和BBK模型计算了入射能为26.3，28.3，30.3，32.5，34.3，36.5和40.7eV时，低能电子入射电离He原子的DDCS；研究表明：DS3C的计算结果，除在低入射能(比如26.3eV)和小敲出角之外，均能与绝对测量的实验结果较好地符合.此外，对直接和交换效应也进行了研究，给出了交换效应对截面的贡献.     

氢原子(e, 2e) 反应中二重微分截面的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型, 计算了入射能为15.6 eV, 17.6 eV, 25 eV, 40 eV的电子入射电离氢原子的二重微分散射截面. 本文把计算结果与测量的实验结果进行比较, 分析了截面的结构, 系统研究了交换效应对截面的贡献.     

50-5000 eV电子被C4H8O, C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面

使用电子被C, H和O原子散射总截面的实验数据, 利用修正后的可加性规则计算了能量为50-5000 eV的电子被4个复杂大分子C4H8O, C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面, 并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 结果表明, 即使是在几十电子伏的入射能量下, 修正后的可加性规则计算出的总截面依然能与实验结果符合很好, 而使用未修正的可加性规则进行计算, 即使是在几百电子伏的入射能量下得到的总截面仍偏离实验值较远. 分析表明, 未修正的可加性规则计算得到的总截面在中低能区过大、随电子入射能量的增加而衰减太快的问题是由可加性规则本身引起的, 其实质是未考虑低能下分子内原子间的相互屏蔽对散射总截面的计算所带来的影响.     

硅的间接跃迁双光子吸收系数谱

利用皮秒Nd:YAG脉冲激光器作为激发光源,测量出光子能量介于1.36 μm (0.912 eV)—1.80 μm (0.689 eV)之间的硅间接跃迁双光子吸收系数谱.尽管此波段范围内的激光光子能量小于硅间接带隙,但当激光辐照在硅基光电二极管受光面时,在二极管两电极端仍然探测到了显著的脉冲光伏信号.光伏信号峰值强度与入射光强呈二次幂函数关系,表明其是双光子吸收过程.采用pn结等效结电容充放电模型,将光伏响应信号峰值与入射光强相关联,从中提取出硅的间接跃迁双光子吸收系数,改变入射波长得到系数谱.研究表明:     

Yb2.75C60同步辐射光电子能谱

在超高真空系统中制备了Yb275C60薄膜.对样品进行了同步辐射光电子能谱研究.在费米能级以下约5 eV范围内的谱数据由Yb275C60价带（C60分子轨道LUMO，HOMO和HOMO 1导出的能带）和芯态（Yb 4f7/2，4f5/2）能级构成.用紫外能区不同能量的入射光子，用C 2p和Yb 4f光电离截面随光子能量的不同变化规律，通过定量拟合，得到了对谱线有贡献的上述各个组分的峰位、峰宽和强度.结果表明，光子能量高于约300 eV时，芯态4f的贡献使得实验结果远远偏离价带的本征态密度分布.因此，研究Yb275C60价态时，应使用能量低于300 eV的光子.对实验和拟合结果分析，发现了类似纯C60的光电离截面振荡现象.振荡幅度相对于纯C60较小，反映了化合物中C60分子的化学环境对光电离截面振荡现象起着不可忽略的作用. 关键词： Yb275C60 同步辐射光电子能谱 光电离截面振荡     

150 eV电子入射电离He原子三重微分截面的动量转移依赖

用BBK模型和DS3C模型在入射能150 eV对氦原子截面依赖动量转移几何条件下的三重微分散射截面(TDCS)进行了理论计算, 把计算结果与实验测量结果进行了比较, 对截面的结构进行了分析, 并对该几何条件下的交换效应进行了系统的研究.     

Electronic structure and the local electroneutrality level of SiC polytypes from quasiparticle calculations within the GW approximation

The most important interband transitions and the local charge neutrality level (CNL) in silicon carbide polytypes 3C-SiC and nH-SiC (n = 2?C8) are calculated using the GW approximation for the self energy of quasiparticles. The calculated values of band gap E _g for various polytypes fall in the range 2.38 eV (3C-SiC)-3.33 eV (2H-SiC) and are very close to the experimental data (2.42?C3.33 eV). The quasiparticle corrections to E _g determined by DFT-LDA calculations (about 1.1 eV) are almost independent of the crystal structure of a polytype. The positions of CNL in various polytypes are found to be almost the same, and the change in CNL correlates weakly with the change in E _g, which increases with the hexagonality of SiC. The calculated value of CNL varies from 1.74 eV in polytype 3C-SiC to 1.81 eV in 4H-SiC.     

10－5000 伏下电子被多原子分子CF4, CF3H, C2F4, C2F6, 及 C2H3F3散射总结面的计算

利用可加性规则和光学势方法计算了能量在10-5000 eV范围内电子被多原子分子CF4, CF3H, C2F4, C2F6, 及 C2H3F3的总结面，并与已有的实验结果和理论计算进行了比较，与这些结果符合得很好。对于CF4, CF3H, C2F4, C2F6, 及 C2H3F3在1000eV以上没有实验数据，本文对实验研究提供了对比和预测的数据。     

SeX(X=H,C,N,O)的结构与势能函数

用密度泛函B3LYP方法对SeX(X=H,C,N,O) 分子体系进行了理论研究,得到SeX(X=H,C,N,O) 分子体系的基态电子状态的平衡几何Re和离解能De,并在计算出来的一系列单点势能基础上,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie(M-S)势能函数,得到相应态的解析势能函数,光谱参数Be、αe、ωe、和ωeχe为:HSe:7.74786cm-1、0.22000cm-1、2425.33344cm-1 and 39.51563cm-1;SeC:0.56678cm-1、0.00370cm-1、1021.70315cm-1、5.10000cm-1;NSe:0.45528cm-1、0.00375cm-1、946.30895cm-1、4.98923cm-1;OSe:0.45296cm-1、0.00001cm-1、889.77025cm-1、4.55983cm-1.由此计算对应的光谱参数和力学性质.结果表明SeX(X=H,C,N,O) 分子体系是可稳定存在的.     

氦原子(e,3-1e)反应中未探测电子屏蔽效应的理论研究

在DS3C模型的基础上,对氦原子(e,3-1e)反应的末态He+2场中未探测电子的屏蔽效应进行了研究.计算了(e,3-1e)过程中入射能为640 eV时,电子入射双电离He原子的四重微分截面(4DCS);讨论了非一级效应对截面结构的影响.所得结果与其他理论计算进行比较发现:文中结果与最新测量的实验数据较好地吻合.     

On the thermal stability of vacancy-carbon complexes in alpha iron

In this work we have summarized the available ab initio data addressing the interaction of carbon with vacancy defects in bcc Fe and performed additional calculations to extend the available dataset. Using an ab initio based parameterization, we apply object kinetic Monte?Carlo (OKMC) simulations to model the process of isochronal annealing in bcc Fe doped with carbon to compare with experimental data. As a result of this work, we clarify that a binding energy of ～0.65?eV for a vacancy-carbon (V-C) pair fits the available experimental data best. It is found that the V (2)-C complex is less stable than the V-C pair and its dissociation with activation energy of 0.55?+?0.49?eV also rationalizes a number of experimental data where the breakup of V-C complexes was assumed instead. From the summarized ab initio data, the subsequently obtained OKMC results and critical discussion, provided here, we suggest that the twofold interpretation of the V-C binding energy, which is believed to vary between 0.47 and 0.65?eV, depending on the ab initio approximation, should be removed. The stability and mobility of small and presumably immobile SIA clusters formed at stage II is also discussed in the view of experimental data.     

非共面几何条件下102eV电子碰撞He原子电离的全微分截面

利用DS3C模型研究了非共面几何(垂直平面与垂直动量转移平面)条件下,散射电子的散射角θ₁取不同固定值时,102eV的电子碰撞He原子单电离反应过程的完全微分截面(FDCS),将其计算结果与3C,CCC等理论模型及实验数据进行了比较.结果表明DS3C模型能够较好地定性描述非共面几何(垂直平面与垂直动量转移平面)条件下的碰撞结果,说明对于非共面几何条件下的碰撞过程,出射道三粒子间的动力学关联效应是比较强的. 关键词： 非共面几何 单电离 全微分截面     

Simulating a low-temperature Maxwellian plasma using SH-HtscEBIT

This paper reports an experimental realization of a low-temperature quasi-Maxwell–Boltzmann plasma in an electron beam ion trap (EBIT) by employing a special energy sweep technique. A Maxwellian C IV plasma with electron temperatures in the range 10–40?eV is simulated in the Shanghai high-temperature superconducting EBIT (SH-HtscEBIT), which requires stable performance of the EBIT under the extreme condition of ultralow electron beam energy. The C IV spectra are obtained by an extreme ultraviolet spectrometer in the wavelength region 290–400?Å. The measured spectral line intensity ratios are compared with the results of calculations using a collisional-radiative model. The mean difference between the experimental and theoretical results in the simulated temperature region is about 14%.     

Three-body coupling for electron impact ionization of helium in the perpendicular plane geometry

Dynamically screened three-Coulomb-wave (DS3C) model is applied to study single ionization of helium by 102 eV electron impact. Fully differential cross sections (FDCS) are calculated at different scattering angle of (8°, 10°, 15°, 20°) in the perpendicular plane asymmetric geometry. The results are compared with experimental data and theoretical predictions from a three-Coulomb wave function (3C) approach, convergent close-coupling calculation (CCC), as well as second-order distorted-wave Born method (DWB2). It is shown that three-body coupling effects are important for the perpendicular plane geometry.