顶部籽晶法生长磁光晶体硼酸铁

本文首次采用顶部籽晶泡生法在敞开体系中生长了出了磁光晶体硼酸铁单晶。选用Ｂ２Ｏ３作自助溶剂，ＬｉＦ作稀释剂，确定了原料配方。对长出的晶体作了初步的物化性能测试。讨论了晶体生长的结果。     

KTP晶体的电光研究进展

本文简述了KTP晶体的电光性能并与KD*P、LN晶体进行了比较。概括了KTP晶体电光器件研究的主要进展。对水热法生长的KTP晶体和熔剂法生长的KTP晶体在电光应用中的优缺点进行了分析。最后介绍了熔剂法生长的低电导率KTP晶体在电光领域的应用研究。     

GaAs基980 nm高功率半导体激光器的研究进展

GaAs基980 nm半导体激光器在材料加工、通信和医疗等领域有着重要应用。应变量子阱结构的出现提高了GaAs基半导体激光器的转换效率、输出功率和可靠性。本文综述了高功率GaAs基量子阱激光器历史发展,介绍了高功率半导体激光器的外延结构、芯片结构和封装结构设计,重点阐述了影响高功率GaAs基量子阱激光器光电性能、散热和实际应用的问题。针对以上问题讨论了相应解决方案及研究成果,并指出了各个方案的不足之处和改进方向。最后,总结了高功率半导体激光器的发展现状,对高功率半导体激光器发展方向进行了展望。     

NaY（WO4）2：Sm^3＋晶体的生长与上转换发光

用Czochralski法生长了高光学质量,大尺寸的NaY(WO4)2:Sm^3 单晶。测量了晶体在室温下的吸收谱,对跃迁的能级进行了指认。在946nm泵浦下测量了晶体的上转换荧光发射谱,了NYW晶体中Sm^3 上转换发光的机制。     

铁电薄膜/半导体异质结构的研究进展

综述了铁电薄膜／半导体异质结构研究近年来的新进展。重点介绍了异质结构制备工艺的改进和界面的最新研究状况。简单叙述了全钙钛矿异质结构的发展情况。指出了铁电薄膜／半导体异质结构研究领域需要解决的一些问题。     

α—甘氨酸单晶体生长及快速结晶方法研究

本文提出了用非离子表面活性剂从３％－２０％的乙醇中培养α－甘氨酸单晶体的新方法。研究了其晶过程，改进了结晶条件，大大缩短了结晶时间。探讨了甘氨初始浓度，乙醇用量，结晶温度对结晶过程的影响，得到了最佳控制参数。晶体纯度为９９．９ｗｔ－％，产率大于９２％，α－甘氨酸晶体率１００％，氯含量为０．００１ｗｔ－％。     

4—氨基二苯甲酮（ABP）的半导体倍频性能研究

从有机溶剂中生长４－氨基二苯甲酮晶体。采用Ｘ射线衍射方法分析了晶体结构；测定了三个主轴方向的折射率；确定了几个有效非线性系数；研究了晶体的半导体倍频性能。     

粘度测量方法进展

粘度测量方法在近年来有了很大的发展。文中总结了几种传统的粘度测量方法,重点介绍了近年来出现的新型测量方法及晶体生长中熔体粘度的测量,并对晶体生长中粘度测量方法的发展进行了展望,提出了粘度测量方法发展的几种方向。     

ZnGeP2晶体点缺陷影响光学性能的研究进展

ZnGeP2晶体具有非线性系数大和透光波段宽的特点,是目前重要的中红外频率转换介质材料。然而,点缺陷的存在却引起了ZnGeP2晶体的额外光学吸收,影响了其应用发展。本文对ZnGeP2晶体点缺陷影响光学性能的研究进展情况做了详细的综述。利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体中存在的点缺陷类型;结合光学吸收和电子顺磁共振方法分析了ZnGeP2晶体点缺陷影响光学性能的机理;介绍了降低ZnGeP2晶体额外光学吸收的方法;最后,展望了围绕ZnGeP2晶体点缺陷及光学性能将开展的研究方向。     

氮化镓生长反应模型与数值模拟研究(I)

对氮化镓(GaN)生长的化学反应过程进行了全面的阐述。从两条基本的反应路径出发,对各反应的机理进行了剖析,并结合近期的研究发现,提出了MOCVD生长GaN的核心反应模型。该化学反应动力学模型综合考虑了有效气相反应和表面反应,适用范围广且计算成本较小,为预测GaN薄膜的生长速率提供了一种精简的计算方法。     

Belt型超高压模具若干问题研究和降低金刚石生产成本的途径

本文研讨了提高Ｂｅｌｔ型模具寿命的若干关键技术。介绍了国外模具寿命，容积大小与金刚石生产成本的关系现状。指出了我国两面顶技术大幅度降低金刚石生产成本，提高模具寿命的途径。     

DKDP晶体快速生长的研究

本文研究了DKDP晶体溶液中的有害杂质、过热方式和溶液稳定性的关系。根据DKDP晶体快速生长的特点,设计了新的晶体生长装置。并利用新的生长装置进行了DKDP晶体的快速生长,生长出60mm×60mm×60mm的高光学质量的DKDP晶体。测量了快速生长出的DKDP晶体的透过率和光学均匀性。     

温梯法大尺寸白宝石单晶的生长

应用温梯法生长出直径１２０ｍｍ,质量为４ｋｇ的白宝石晶体。进行了杂质定量分析和光谱分析,对晶体中杂质的来源进行了讨论。确定了晶体有Ｆ心引起的紫外吸收和杂质离子的吸收。     

离心倾液法与初晶Si的生长

本文首次提出了一种研究晶体生长的新方法－离心倾液法。用该方法获得了过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金初晶的Ｓｉ的生长形貌，发现了初晶Ｓｉ存在错台阶生长机制，并且，借助该生长机制成功地解释了初晶Ｓｉ的分枝和初晶Ｓｉ包裹共晶组织的形成机理。此外，观察到了共晶体包裹初晶Ｓｉ生长的过程。     

碘化铅单晶体生长新方法探索

本文分析了用布里奇曼法生长碘化铅单晶体的结晶过程。发现坩埚下降法生长碘化铅单晶体过程中,碘的蒸发与凝结、铅的分凝与沉淀是影响晶体质量的两个重要因素。提出了采用U型安瓿提拉方式生长碘化铅单晶体的新方法,有效抑制了碘的蒸发并排除了分凝的铅,获得了桔红色半透明的碘化铅晶体。经测试,晶体的结晶性好,红外透过率达45%,电阻率为1.7×1012Ω.cm,为制备性能优异的碘化铅室温核辐射探测器奠定了基础。     

彩色液晶显示

随着信息技术的发展，对便携式的彩色显示的要求不断增加，彩色液显示器以其轻便、低功耗等优点得到了日益广泛的应用。本文简要介绍了彩色液晶显示的发展,重点介绍了现在广泛全彩色滤光膜的几种制作方法及其优缺点。还介绍了近期在场序方式及反射式彩色液晶显示方面的研究和进展情况。     

β—SiCW合成工艺及反应机理的研究

本文研究了β－ＳｉＣｗ合成工艺参数和反应历程，提出了合成工艺优化参数，确定了反应进行了步骤。通过对晶须形貌、晶型、杂质含量的分析，表明本方法合成的β－ＳｉＣｗ具有较高的质量水平。     

利用波导技术研究液晶SA相的光学特性

本文介绍了利用波导技术测量液晶分子光学特性的方法，并用这种方法研究了铁电液晶（简称FLC）在SA相时分子垂直排列的光学特性。通过计算机对P-P和S-S偏振理论与实验反射率数据进行了拟合计算，测出了SA相的介电常数。     

LaFeO_3晶体缺陷研究

以La2O3和Fe2O3粉体为原料,在1400℃烧结24 h制备出了LaFeO3多晶料棒,采用浮区法生长出LaFeO3晶体。从晶体开裂、晶体中孔洞、晶体生长层、晶体内包裹物和晶体位错几方面,系统地研究了LaFeO3晶体的缺陷形成。通过分析晶体缺陷产生的原因,提出了有效减少缺陷和控制缺陷的方法。同时,优化了晶体生长工艺,提高了LaFeO3晶体质量。     

Tb2Fe17和Tb2（Fe,Si）17磁性单晶的生长和相图

利用磁悬浮冷坩埚提拉法技术生长了Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17的单晶,并用差热分析等方法研究了材料的相图。研究结果表明：Tb2Fe17的相关系并非以往报道的包晶反应。而是同成分熔化。本文还给出了Tb2Fe17化合物附近的新相图。采用优化后的生长条件,获得了缺陷较少的Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17高质量单晶,分析了Si替代对于化合物结构的影响,测量了Tb2Fe17单晶样品的基本磁性。从材料的一级磁化过程的测量可以看出,在理想配比条件下最容易获得缺陷密度低的单晶样品,这种磁性测量方法为了解单晶的完整性提供了一个有效的间接观察方法。