共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
制备LiNbO3周期性畴反转的一种新方法 总被引:1,自引:1,他引:1
本文对用电子束扫描LiNbO3晶体的负畴面实现畴反转进行了实验研究。对于不同的扫描电压,扫描电流和扫描速率得到了不同的畴反转宽度,并且研究了畴反转宽度与扫描参量之间的关系。 相似文献
2.
3.
为了采用扩散法制备大厚度近化学计量比钽酸锂(nSLT)晶体,本文从富锂多晶料配比及合成工艺、极化工艺和扩散条件等方面对钽酸锂晶体高温富锂扩散工艺进行了研究,对处理后晶片组分、畴反转电压和光学均匀性进行了表征,研究了扩散条件对晶体组分的影响.结果表明,富锂多晶料锂钽为60/40时较佳,多次使用对所制备晶片组分、畴反转电压和光学质量无明显影响.在研究基础上,制备了系列nSLT晶片,晶片厚度最大为3.2 mm,其组分达到化学计量比且组分均匀,矫顽场约为152 V/mm,晶体光学质量满足实用需求. 相似文献
4.
5.
6.
7.
采用脉冲激光沉积技术(pulsed laser deposition,PLD),在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了La0.1Bi0.9FeO3(BFO),Bi0.5(Na0.85K0.15)0.5TiO3(BNKT)和BFO/BNKT纳米复合薄膜.结果表明,复合薄膜的铁电特性比单层的BFO、BNKT薄膜有所增强.利用压电力显微镜(piezoresponse force microscopy,PFM)观察到了铁电畴.由于畴结构内部矫顽力分布不均匀,导致极化反转随时间改变,疲劳测试结果也证实了该结论.随着转换周期的增加,极化随之增强.运用PFM测量了纳米级的压电响应,同样证实了BFO/BNKT复合薄膜中的畴反转现象. 相似文献
8.
《人工晶体学报》2016,(3)
采用脉冲激光沉积技术(pulsed laser deposition,PLD),在Pt/Ti/SiO_2/Si基片上制备了La_(0.1)Bi_(0.9)FeO_3(BFO),Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))0.5TiO_3(BNKT)和BFO/BNKT纳米复合薄膜。结果表明,复合薄膜的铁电特性比单层的BFO、BNKT薄膜有所增强。利用压电力显微镜(piezoresponse force microscopy,PFM)观察到了铁电畴。由于畴结构内部矫顽力分布不均匀,导致极化反转随时间改变,疲劳测试结果也证实了该结论。随着转换周期的增加,极化随之增强。运用PFM测量了纳米级的压电响应,同样证实了BFO/BNKT复合薄膜中的畴反转现象。 相似文献
9.
10.
11.
12.
13.
利用助溶剂法,已经生长出15mm×25mm×60mm的大尺寸NdP5O14(NPP)晶体.用高分辨X射线衍射术对自发应变及铁弹畴结构进行了研究.对几个不同的反射,可在其摇摆曲线上观测到由基体畴和铁弹畴之间的取向差导致的反射峰的分离.通过反射峰分离的特点,可以确定铁弹畴结构.NPP晶体中大多数铁弹畴为a型畴,b型畴只出现在严重形变的区域. 基于NdP5O14晶体畴结构,我们分别计算了802,402和204反射的峰分离量.实验测量结果符合计算结果.另外,通过测量基体畴和铁弹畴的800反射的峰分离量我们确定了NdP5O14的自发应变是0.0082.通过结构和对称性分析,我们对这种晶体的畴结构进行了详细讨论. 相似文献
14.
本文回顾了(Nd3+,Yb3+):Ca3(VO4)2晶体的研究历程,通过对晶体结构和对晶体激光性能研究年代的对比,认为高的泵浦阈值是由于晶体中存在的对泵浦光和激光散射很强的畴壁结构未被发现而造成的.讨论了极化的原理、建立了极化装置,采用Laue定向法和X射线定向仪定向法结合解决了(Nd3+,Yb3+):Ca3(VO4)2这种大晶格常数(c=3.8029nm)晶体的定向问题.把晶体的抛光面放入0.5mol;的温度为30℃的硼酸中腐蚀样品1h,用显微镜可以观察到畴结构.在~1100℃和电流密度为~10μA/mm2的条件下极化2h即可完成极化.变黑的极化样品可以通过把晶体放入马福炉中升温至850℃,保持1h,然后降至室温即可消除. 相似文献
15.
16.
Mg:LiNbO3及Nd:Mg;LiNbO3晶体畴结构与单畴化研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对Mg;LiNbO3及Nd:Mg:LiNbO3晶体的畴结构与单畴化条件进行了系统的研究;报道了主要晶面的畴结构特征;确定了合适的极化温度和电流密度。 相似文献
17.
TadahiroASADA ZhanchangTANG ChanghoNOH DongsikSAKONG 《液晶通讯》1993,1(3):74-77
本文通过控制胆甾相扭曲力改进了LCPC膜混浊度和衰减时间,并且介绍了聚合畴效应。我们称LCPC膜是由于在我们所研究的系统中,聚合物的浓度大大低于其它所研究的系统。 相似文献
18.
本文利用快速退火对 8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了 FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2/O2(3;)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理.对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs. 相似文献
19.
20.
铌酸锂(LiNbO3,LN)是一种多功能的单轴铁电材料,广泛应用于光学调制器、光学频率梳、光波导等领域。导电畴壁(DW)作为镶嵌在绝缘材料中纳米尺度的导电通道,在非易失性存储器、逻辑门、晶体管等领域展现出重要的应用前景,促进了铌酸锂在纳米光电子学领域的应用。绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)畴壁p-n结的实现有望进一步促进铌酸锂基光电一体化芯片的发展进程。本文简要回顾了铌酸锂导电畴壁的研究进展,介绍了畴壁的制备、导电机制、导电类型和畴壁的应用,重点介绍了铌酸锂畴壁p-n结的研究,进一步结合应用热点概述了铌酸锂畴壁光电子器件开发进程中的关键问题、机遇和挑战。 相似文献